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게이팅 히스테리시스를 제거하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법(Method for fabricating gating hysteresis-free carbon nanotube sensor)

  • 기술번호 : KST2016010204
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, (a) 기판 상에 절연막을 형성하는 단계, (b) 절연막 상에 복수개의 전극들을 형성하는 단계, (c) 절연막 상에 OTS막을 형성하는 단계, 및 (d) 전극들에 탄소나노튜브 입자를 흡착하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법을 제공한다.
Int. CL G01N 27/02 (2006.01) G01N 27/26 (2006.01) G01N 27/327 (2006.01) G01N 27/414 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01)
CPC G01N 27/02(2013.01) G01N 27/02(2013.01) G01N 27/02(2013.01) G01N 27/02(2013.01) G01N 27/02(2013.01) G01N 27/02(2013.01)
출원번호/일자 1020140153385 (2014.11.06)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0054171 (2016.05.16) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.11.06)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 변영태 대한민국 서울특별시 성북구
2 김선호 대한민국 서울특별시 성북구
3 전영민 대한민국 서울특별시 성북구
4 이제행 대한민국 서울특별시 성북구
5 김재성 대한민국 서울특별시 성북구
6 박민철 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 티앤아이 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2014-1068558-35
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0078215-62
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2016.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0299175-59
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.04.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0374030-31
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-0374021-20
6 등록결정서
Decision to grant		 2016.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0546070-38
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판 상에 절연막을 형성하는 단계;(b) 상기 절연막 상에 복수개의 전극들을 형성하는 단계;(c) 상기 기판 전체를 OTS 용액에 담금으로써, OTS 박막이 상기 절연막 표면에 형성되도록 하여, 상기 절연막 상에 OTS 박막을 형성하는 단계; 및(d) 상기 전극들에 탄소나노튜브 입자를 흡착하는 단계를 포함하되, 상기 (d) 단계는, 단일벽 탄소나노튜브(SWCNT)가 분산된 용액에 상기 기판을 담금으로써, 전극 사이 채널에서 상기 OTS 박막 위에 탄소나노튜브가 부양된 형태로 흡착되되, 상기 전극 사이 채널 길이보다 긴 탄소나노튜브가 부양된 형태로 흡착되도록 하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 절연막은 산화막인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 (b) 단계는, 상기 절연막 상에 전극을 형성할 영역에 따라 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 기판 전면에 걸쳐 전극을 적층하는 단계;상기 마스크 패턴이 형성된 영역을 리프트 오프하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 (b) 단계에 있어서, 상기 복수개의 전극들은, 폭 보다 길이가 긴 직사각형 형태의 소오스 및 드레인 전극들이 병렬로 배열되는 것이고, 소오스 전극과 드레인 전극 사이에 채널이 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제1항에 있어서, 상기 (d) 단계 후에, 복수의 전극들을 연결하는 전극 패드를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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1 WO2016072557 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.