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TASINX 확산 방지막의 제조방법과 그를 이용한 반도체 소자의 접촉접합 및 다층금속 배선

  • 기술번호 : KST2015120403
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 소자제조시 실리콘(Si) 및 화합물반도체(GaAs, GaN, InP)와의 저항성 접합공정 및 개별소자간의 상호연결을 위한 다층 구조 금속 배선 공정에서 반도체/금속, 금속/금속, 층간절연층/금속 사이에 탄탈륨실리나이트라이드 (TaSiNx)의 삼원소계 확산 방지막을 사용하므로써, 종래의 이원소계 확산 방지막이 열처리온도 500∼700℃에서 확방지 기능이 상실되어서 높은 밀도의 결함 및 전기적 특성의 열화를 막을 수 없는데 반하여 850℃이상의 고온에서 후속열처리하여도 반도체 및 구리금속의 확산을 방지할 수 있으며, 전기적 특성을 열화 및 결함이 전혀 발생하지 않는 특징이 있다. 따라서 본 발명은 기억소자 및 비기억 소자의 제조방법에서 새로운 다층 금속 배선 구조로써 기존의 확산 방지막을 사용한 다층 금속 배선보다 월등히 우수한 특성을 가진다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01)
CPC H01L 21/2855(2013.01) H01L 21/2855(2013.01) H01L 21/2855(2013.01) H01L 21/2855(2013.01) H01L 21/2855(2013.01)
출원번호/일자 1019970057884 (1997.11.04)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0250954-0000 (2000.01.08)
공개번호/일자 10-1999-0038230 (1999.06.05) 문서열기
공고번호/일자 (20000415) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.11.04)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용태 대한민국 서울특별시 송파구
2 김동준 대한민국 서울특별시 은평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.11.04 수리 (Accepted) 1-1-1997-0182834-59
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.11.04 수리 (Accepted) 1-1-1997-0182835-05
3 특허출원서
Patent Application		 1997.11.04 수리 (Accepted) 1-1-1997-0182833-14
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
9 등록사정서
Decision to grant		 1999.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0382777-06
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

탄탈륨실리사이드(Ta5Si3) 타겟을 사용한 스파터링 방법으로, 질소 및 알곤 가스의 전체 유량에 대한 질소 가스의 유량을 0 에서 10%까지변화시키면서 탄탈륨실리나이트라이드(TaSiNx)를 증착함으로써, 상기 탄탈륨실리나이트라이드 박막내의 질소 농도가 0 내지 43 원자농도%로 제어되는 것을 특징으로 하는 탄탈륨실리나이트라이드 박막 제조 방법

2 2

제 1 항에 의하여 제조되는 상기 탄탈륨실리나이트라이드 박막을 두께 500-2000Å로 증착하여, 실리콘(Si), 갈륨비소(GaAs), 갈륨나이트라이드(GaN), 및 인듐인(InP)중 어느 하나와의 접합하기 위한 접합금속으로 사용하는 방법

3 3

탄탈륨실리사이드(Ta5Si3) 타겟을 사용한 스파터링 방법으로, 질소 및 알곤 가스의 전체 유량에 대한 질소 가스의 유량을 0 에서 10%까지변화시키면서 탄탈륨실리나이트라이드(TaSiNx)를 증착함으로써, 상기 탄탈륨실리나이트라이드내의 질소 농도가 28원자농도% 이하인 탄탈륨실리나이트라이드 박막이, 확산방지 및 접착력 향상을 위하여, 소스 및 드레인 접촉접합의 반도체 및 주배선금속 사이에 사용되는 것을 특징으로 하는 집적 반도체 소자

4 4

탄탈륨실리사이드(Ta5Si3) 타겟을 사용한 스파터링 방법으로, 질소 및 알곤 가스의 전체 유량에 대한 질소 가스의 유량을 0 에서 10%까지변화시키면서 탄탈륨실리나이트라이드(TaSiNx)를 증착하여, 상기 탄탈륨실리나이트라이드내의 질소 농도가 0 내지 43원자농도%가 되는 상기 탄탈륨실리나이트라이드 박막이, 반도체 소자중의 층간절연층 및 하부금속사이에 확산 방지막으로 사용되므로써, 층간절연층/탄탈확산방지막/주배선금속으로 이루어진 금속배선이 2층 이상으로되어 있는 다층 금속 배선을 가지는 집적 반도체 소자

5 5

탄탈륨실리사이드(Ta5Si3) 타겟을 사용한 스파터링 방법으로, 질소 및 알곤 가스의 전체 유량에 대한 질소 가스의 유량을 0 에서 10%까지변화시키면서 탄탈륨실리나이트라이드(TaSiNx)를 증착하여, 상기 탄탈륨실리나이트라이드내의 질소 농도가 40원자농도% 이상이 되는 상기 탄탈륨실리나이트라이드 박막이, 구리금속아래에 직접 접촉하는 금속 배선을 구비하는 집적 반도체 소자

6 6

제 1 항에 의하여 제조된 탄탈륨실리나이트라이드 확산방지막을 이용한 반도체 소자의 접합배선 방법으로서,

반도체 기판상에 분리산화막을 형성하고, 소스 및 드레인의 접촉창을 식각한 후, 불순물을 주입하여 소스 및 드레인을 형성하고, 상기 소스 및 드레인 접촉창을 열산화막으로 덮는 단계와,

게이트부분을 다시 식각하고, 게이트 산화막을 형성하는 단계와,

상기 게이트에 금속을 증착하고, 전 기판상에 게이트 금속보호막을 도포한 후, 상기 소스 및 드레인 접촉창 부분을 다시 식각하는 단계와,

상기 게이트 윗면을 제외한 전 기판상에 제 1 항에 의하여 제조되는 탄탈확산 방지막을 도포하는 단계 및

상기 소스 및 드레인상에 구리, 알루미늄, 은 및 텅스텐중 하나로 구성되는 주금속 배선을 도포하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 집적 반도체 소자의 소스 및 드레인 접촉공정

7 7

제 1 항에 의하여 제조되는 탄탈륨실리나이트라이드 확산방지막을 이용한 집적 반도체 소자의 다층 금속 배선방법으로서,

반도체 기판상에 분리산화막을 형성하고, 소스 및 드레인의 접촉창을 식각한 후, 불순물을 주입하여 소스 및 드레인을 형성하고, 상기 소스 및 드레인 접촉창을 열산화막으로 덮는 제 1 단계와,

게이트부분을 다시 식각하고, 게이트 산화막을 형성하는 제 2 단계와,

상기 게이트에 금속을 증착하고, 전 기판상에 게이트 금속보호막을 도포한 후, 상기 소스 및 드레인 접촉창 부분을 다시 식각하는 제 3 단계와,

상기 게이트 윗면을 제외한 전 기판상에 제 1 항에 의하여 제조되는 탄탈확산 방지막을 도포하는 제 4 단계와,

상기 소스부분에 구리, 알루미늄, 은 및 텅스텐중 하나로 구성되는 주금속 배선을 도포하는 제 5 단계와,

상기 전 기판면에 층간절연박막을 도포하는 제 6 단계와,

상기 드레인 측의 상기 층간절연박막을 다시 식각하고, 전면에 상기 탄탈확산방지막을 도포하는 제 7 단계와,

상기 탄탈확산방지막상에 주금속배선을 도포하는 제 8 단계 및

층간절연막/탄탈확산반지막/주배선금속층이 2층이상이 되도록, 상기 6 내지 8 단계를 2회이상 반복한 후, 그 위에 보호막을 형성시키는 제 9 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 다층 금속배선 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.