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자기장 영역의 음·양 접합 구조를 갖는 반도체-자성물질융합 소자

  • 기술번호 : KST2015121366
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 반도체-자성물질 융합 소자는 반도체(InAs) 2차원 전자 위에 마이크로자석(Co)이 증착되고, 마이크로자석에서 나오는 stray field를 이용한 음·양 자기장 영역의 접합 구조를 갖는 소자이다. 이러한 반도체-자성물질 융합 소자에서 측정된 자기저항은 비대칭적인 홀 저항 모양을 하고 있고, 자기저항 변화가 매우 크다. 측정 데이터는 diffusive 모델과 ballistic 모델에 의해 계산된 결과와 잘 일치한다.
Int. CL H01L 43/08 (2006.01) G01D 5/12 (2006.01)
CPC H01L 43/08(2013.01) H01L 43/08(2013.01) H01L 43/08(2013.01) H01L 43/08(2013.01)
출원번호/일자 1020080051226 (2008.05.30)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0852184-0000 (2008.08.07)
공개번호/일자 10-2008-0063733 (2008.07.07) 문서열기
공고번호/일자 (20080813) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자 10-2006-0079567 (2006.08.22)
관련 출원번호 1020060079567
심사청구여부/일자 Y (2008.05.30)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신경호 대한민국 서울 노원구
2 홍진기 대한민국 서울 송파구
3 주성중 대한민국 서울 관악구
4 이긍원 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2008.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0391747-25
2 등록결정서
Decision to grant
2008.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0402836-96
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1
전류가 흐르는 채널 및 상기 채널의 한 측면에 수직 연결된 다수의 전압단자를 갖는 반도체 2DEG과, 상기 다수의 전압단자 중 이웃하는 두 전압단자 사이의 채널 부위 위에 교대로 위치하는 마이크로자석을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체-자성물질 융합 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 다수의 전압단자 중 이웃하는 두 전압단자는, 외부자기장이 인가됨에 따라 상기 채널 내에 형성되는 부호가 서로 다른 2개의 자기 장벽의 최소 및 최대 높이에 해당하는 위치에 각각 형성된 것을 특징으로 하는 반도체-자성물질 융합 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 다수의 전압단자 중 이웃하는 두 전압단자 사이의 채널 부위 위에 마이크로자석이 위치하는 경우, 외부자기장이 인가됨에 따라 상기 이웃하는 두 전압단자 사이의 채널 부위에 자기장이 음인 영역과 양인 영역 간의 접합 면이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체-자성물질 융합 소자
4 4
제1항에 있어서,상기 다수의 전압단자 중 이웃하는 두 전압단자 사이의 채널 부위 위에 마이크로자석이 위치하지 않는 경우, 외부자기장이 인가됨에 따라 상기 이웃하는 두 전압단자 사이의 채널 부위에 자기장이 음인 영역과 양인 영역 간의 접합 면이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체-자성물질 융합 소자
5 5
제1항에 있어서,상기 마이크로자석과 상기 반도체 2DEG 사이에 절연층이 개재된 것을 특징으로 하는 반도체-자성물질 융합 소자
6 6
제1항에 있어서,상기 반도체 2DEG은 InAs 또는 HgCdTe를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체-자성물질 융합 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.