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전류가 흐르는 채널 및 상기 채널의 한 측면에 수직 연결된 다수의 전압단자를 갖는 반도체 2DEG과, 상기 다수의 전압단자 중 이웃하는 두 전압단자 사이의 채널 부위 위에 교대로 위치하는 마이크로자석을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체-자성물질 융합 소자
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제1항에 있어서,상기 다수의 전압단자 중 이웃하는 두 전압단자는, 외부자기장이 인가됨에 따라 상기 채널 내에 형성되는 부호가 서로 다른 2개의 자기 장벽의 최소 및 최대 높이에 해당하는 위치에 각각 형성된 것을 특징으로 하는 반도체-자성물질 융합 소자
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제1항에 있어서,상기 다수의 전압단자 중 이웃하는 두 전압단자 사이의 채널 부위 위에 마이크로자석이 위치하는 경우, 외부자기장이 인가됨에 따라 상기 이웃하는 두 전압단자 사이의 채널 부위에 자기장이 음인 영역과 양인 영역 간의 접합 면이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체-자성물질 융합 소자
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제1항에 있어서,상기 다수의 전압단자 중 이웃하는 두 전압단자 사이의 채널 부위 위에 마이크로자석이 위치하지 않는 경우, 외부자기장이 인가됨에 따라 상기 이웃하는 두 전압단자 사이의 채널 부위에 자기장이 음인 영역과 양인 영역 간의 접합 면이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체-자성물질 융합 소자
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제1항에 있어서,상기 마이크로자석과 상기 반도체 2DEG 사이에 절연층이 개재된 것을 특징으로 하는 반도체-자성물질 융합 소자
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제1항에 있어서,상기 반도체 2DEG은 InAs 또는 HgCdTe를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체-자성물질 융합 소자
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