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이중 자기 이방성 자유층을 갖는 자기 터널 접합 구조

  • 기술번호 : KST2014049271
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이중 자기 이방성 자유층을 갖는 자기 터널 접합 구조에 관한 것으로서, 고정된 자화 방향을 지닌 제1 자성층과; 반전 가능한 자화 방향을 지닌 제2 자성층과; 상기 제1 자성층과 상기 제2 자성층 사이에 형성되는 비자성층과; 상기 제2 자성층과의 자성 결합에 의해 상기 제2 자성층의 자화 방향을 상기 제2 자성층의 평면에 대하여 경사지게 하며, 수직 자기 이방성 에너지가 수평 자기 이방성 에너지보다 큰 제3 자성층과; 상기 제2 자성층과 상기 제3 자성층 사이에 형성되며, 상기 제2 및 제3 자성층 간의 결정 배향성을 분리하는 결정구조 분리층을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 터널 접합 구조를 제공한다.본 발명에 의하면, 자기 터널 접합 구조를 구성하는 자유 자성층을, 자기 이방성의 방향 및 크기가 서로 다른 두 개 이상의 자성 박막으로 구성하여, 재생신호 값 증대 및 스위칭에 필요한 임계전류 값 저감 효과를 독립적으로 최적화할 수 있다.수직 자기 이방성, 자기 터널 접합, 경사, 전류 인가 자기 저항
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC G11C 11/16(2013.01) G11C 11/16(2013.01) G11C 11/16(2013.01) G11C 11/16(2013.01) G11C 11/16(2013.01) G11C 11/16(2013.01) G11C 11/16(2013.01) G11C 11/16(2013.01)
출원번호/일자 1020080106942 (2008.10.30)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1178767-0000 (2012.08.27)
공개번호/일자 10-2010-0047985 (2010.05.11) 문서열기
공고번호/일자 (20120907) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.10.30)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신경호 대한민국 서울특별시 성북구
2 민병철 대한민국 경기도 광명시 디지털로 **,

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0754533-21
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.06.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0044020-14
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0323609-11
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.09.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0621063-47
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0621062-02
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0490172-22
9 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2010.12.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2010-0052050-58
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0049626-61
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0221593-97
12 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination		 2011.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0286166-18
13 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner		 2011.06.30 수리 (Accepted) 7-8-2011-0017699-45
14 등록결정서
Decision to grant		 2012.08.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0470705-79
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
고정된 자화 방향을 지닌 제1 자성층과;반전 가능한 자화 방향을 지닌 제2 자성층과;상기 제1 자성층과 상기 제2 자성층 사이에 형성되는 비자성층과;상기 제2 자성층과의 자성 결합에 의해 상기 제2 자성층의 자화 방향을 상기 제2 자성층의 평면에 대하여, 3차원 공간 상 수직축을 향하여 경사지게 하며, 수직 자기 이방성 에너지가 수평 자기 이방성 에너지보다 큰 제3 자성층과;상기 제2 자성층과 상기 제3 자성층 사이에 형성되며, 상기 제2 및 제3 자성층 간의 결정 배향성을 분리하는 결정구조 분리층을 포함하고,상기 결정구조 분리층은 비정질 구조를 갖고, 200~600 ℃의 온도에서 열처리 시 비정질 구조를 갖는 Ru, Ta, Re 및 Rh로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하고, 상기 제2 자성층의 자화 방향이 상기 제2 자성층의 평면에 대하여, 3차원 공간 상 수직축을 향하여 경사진 각도(θ)는 -30°≤θ＜0° 또는 0°＜θ≤30°인 것을 특징으로 하는 자기 터널 접합 구조
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 제2 자성층은 체심입방 (Body Centered Cubic; BCC) 격자 구조를 가지며, 상기 제3 자성층은 면심입방 (Face Centered Cubic; FCC) 또는 조밀육방 (Hexagonal Close-Packed; HCP) 격자 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 자기 터널 접합 구조
4 4
제1항에 있어서, 상기 제3 자성층의 자화 용이 축은 상기 제2 자성층의 평면에 대하여 수직인 방향으로 배향된 것을 특징으로 하는 자기 터널 접합 구조
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서, 상기 제1 자성층은 자성층/비자성층/자성층의 적층 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 자기 터널 접합 구조
7 7
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 자성층은 각각 CoFeX (여기서, X는 B, Re, Rh, Cr, Cu, Gd 및 Tb로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나)를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 자기 터널 접합 구조
8 8
제1항에 있어서, 상기 비자성층은 절연체 또는 반도체를 포함하여 이루어지며, 상기 절연체는 MgO, Al2O3, HfO2, TiO2, Y2O3 및 Yb2O3로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 자기 터널 접합 구조
9 9
제1항에 있어서, 상기 제3 자성층은 GdFeCo 또는 TbFeCo를 포함하여 이루어지거나, 혹은 [Co/Pt]n, [Co/Pd]n, [Ni/Pt]n 또는 [CoCr/Pt]n계 다층 박막 (여기서, n은 1과 10 사이)을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 자기 터널 접합 구조
10 10
제1항에 있어서, 상기 제3 자성층은 [Co/Ni]n 또는 [CoX 합금/Ni]n계 다층 박막을 포함하여 이루어지며, n은 1과 10 사이이고, X는 B, Re, Rh, Cr, Cu, Gd 및 Tb로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 자기 터널 접합 구조
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
제1항에 있어서, 상기 제3 자성층 상에 형성되어 상기 제3 자성층의 수직 자기 이방성 에너지를 증대시키는 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 터널 접합 구조
14 14
제13항에 있어서, 상기 버퍼층은 Au, Cu, Pd, Pt, Ta 및 다이아몬드상 탄소로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 자기 터널 접합 구조
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02182532 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP02182532 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP05113135 JP 일본 FAMILY
4 JP22109372 JP 일본 FAMILY
5 US08338004 US 미국 FAMILY
6 US20100109111 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP2182532 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP2182532 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 JP2010109372 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP5113135 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US2010109111 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US8338004 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.