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적어도 상부가 절연체로 된 기판;
상기 기판 상에 소정 간격으로 분리되어 형성된 두 전극;
상기 각 전극 상에 형성된 금속 촉매층; 및
상기 각 전극 상의 금속 촉매층으로부터 성장된 가시광 대역 반도체 나노선들;을 포함하고,
상기 두 전극의 금속 촉매층 위에 성장된 양측의 반도체 나노선들이 상기 두 전극 사이에서 상기 기판과 이격되게 부양된 상태로 양측 상호간에 서로 접촉되는 구조로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 나노선 광센서
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2
제1항에 있어서,
상기 두 전극의 금속 촉매층 위에 성장된 양측의 나노선들은 상기 두 전극 사이에서 공중 부양된 상태로 서로 엮여져 접촉되는 네트워크 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 나노선 광센서
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3
제1항에 있어서,
상기 나노선들은 CdSxSe1-x (0≤x≤1) 및 ZnSxSe1-x (0≤x≤1) 중에서 선택된 반도체 물질의 나노선들인 것을 특징으로 하는 반도체 나노선 광센서
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4
제1항에 있어서,
상기 두 전극은 백금 전극인 것을 특징으로 하는 반도체 나노선 광센서
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5
제4항에 있어서,
상기 백금 전극의 두께는 3000 내지 8000Å이고, 두 전극 간 간격은 5 내지 20㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 나노선 광센서
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6
제4항에 있어서,
상기 백금 전극과 기판 사이에는 티타늄층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노선 광센서
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7
제1항에 있어서,
상기 금속 촉매층은 금(Au) 촉매층인 것을 특징으로 하는 반도체 나노선 광센서
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8
제7항에 있어서,
상기 금 촉매층의 두께는 20 내지 100Å인 것을 특징으로 하는 반도체 나노선 광센서
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9
제1항에 있어서,
상기 절연체는 SiO2, AlN, Si3N4 및 TiO2 로 이루어진 그룹으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 반도체 나노선 광센서
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10
기판 위에 소정 간격으로 분리된 두 전극을 형성하는 단계;
상기 각 전극 상에 금속 촉매층을 형성하는 단계; 및
상기 각 전극 상의 금속 촉매층에서 가시광 대역 반도체 나노선들을 성장시키는 단계;를 포함하고,
상기 나노선들의 성장 단계에서, 상기 두 전극의 금속 촉매층 위에 성장된 양측의 반도체 나노선들이 상기 두 전극 사이에서 상기 기판과 이격되게 부양된 상태로 양측 상호간에 서로 접촉되는 구조로 연결되도록 상기 나노선들이 성장되는 것을 특징으로 하는 반도체 나노선 광센서의 제조 방법
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11
제10항에 있어서,
상기 나노선들의 성장 단계에서, 상기 두 전극의 금속 촉매층 위에 성장된 양측의 나노선들이 상기 두 전극 사이에서 공중 부양된 상태로 서로 엮여져 접촉되는 네트워크 구조를 갖도록 상기 나노선들이 성장되는 것을 특징으로 하는 반도체 나노선 광센서의 제조 방법
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12
제10항에 있어서,
상기 나노선들은 CdSxSe1-x (0≤x≤1) 및 ZnSxSe1-x (0≤x≤1) 중에서 선택된 반도체 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 나노선 광센서의 제조 방법
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13
제10항에 있어서,
상기 두 전극의 형성 단계에서, 상기 두 전극은 백금을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 나노선 광센서의 제조 방법
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14
제13항에 있어서,
상기 두 전극은 전극 두께가 3000 내지 8000Å이 되고 두 전극 간 간격이 5 내지 20㎛가 되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 나노선 광센서의 제조 방법
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15
제10항에 있어서,
상기 금속 촉매층은 금 촉매층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 나노선 광센서의 제조 방법
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16
제15항에 있어서,
상기 금 촉매층은 20 내지 100Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 나노선 광센서의 제조 방법
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17
제10항에 있어서,
상기 나노선들의 성장 단계에서, 나노선 합성을 위한 반응로에 상기 금속 촉매층이 형성된 기판을 배치한 후 상기 반응로의 온도를 20 내지 40℃/min의 승온속도로 400 내지 600℃의 반응온도까지 상승시키고, 상기 반응온도에서 수소(H2)와 아르곤(Ar)을 포함하는 운반가스를 50 내지 200 sccm으로 흘려주면서 5 내지 30분 동안 유지시켜 펄스 레이저 증착법을 사용하여 CdSxSe1-x (0≤x≤1) 또는 ZnSxSe1-x (0≤x≤1)의 나노선들을 합성하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노선 광센서의 제조 방법
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18
제10항에 있어서,
상기 전극 형성 단계에서 웨이퍼 상에 상기 두 하부 전극을 한 쌍으로 하여 복수의 전극쌍을 형성하고, 이 후에 복수의 전극쌍에 대하여 상기 금속 촉매층 형성 단계 및 상기 반도체 나노선 형성 단계를 웨이퍼 단위로 실시하여 상기 웨이퍼 상에 복수개의 광센서 소자를 일괄 제조하고, 이 후에 상기 웨이퍼 상에 복수개로 일괄 제조된 소자들을 각 소자별로 분리하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노선 광센서의 제조 방법
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