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평균 입경이 10 nm 이하의 나노 다이아몬드를 준비하는 제1 단계; 상기 나노 다이아몬드에 플라즈마 이온을 주입하는 제2 단계; 상기 플라즈마 이온이 주입된 나노 다이아몬드를 진공 또는 불활성 가스 분위기 하에서 열처리하는 제3 단계; 상기 열처리한 나노 다이아몬드를 산소를 포함하는 가스 분위기 하에서 열처리하여, 나노 다이아몬드 표면을 산소처리하는 제4 단계; 상기 산소처리된 나노 다이아몬드를 산처리하는 제5 단계;상기 산처리된 나노 다이아몬드를 원심 분리하여 세척하는 제6 단계; 및 상기 세척된 나노 다이아몬드를 건조하는 제7 단계를 포함하고, 상기 제 2단계는, 1013 이온/cm2 이상, 1020 이온/cm2 이하의 입사 이온 밀도로 플라즈마 이온을 주입하는 것인 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 제1 단계의 평균 입경이 10 nm 이하의 나노 다이아몬드는, 폭발법에 의하여 제조되는 것인 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 제2 단계는 -10 kV 이상, -40 kV 이하의 플라즈마 이온 주입 전압으로 수행되는 것인 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법
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4
청구항 1에 있어서, 상기 제2 단계는 헬륨(He), 질소(N), 네온(Ne) 및 아르곤(Ar)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 공정 가스로 수행되는 것인 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법
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5
청구항 1에 있어서, 상기 제2 단계는, 0
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6
청구항 1에 있어서, 상기 제2 단계는, 5 μs 이상, 100 μs 이하의 고전압 펄스 폭으로 수행되는 것인 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법
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7
청구항 1에 있어서, 상기 제2 단계는 1 Hz 이상, 1,000 Hz 이하의 공정 주파수로 수행되는 것인 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법
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8
청구항 1에 있어서, 상기 제3 단계에서 진공 또는 불활성 가스 분위기 하에서의 열처리 온도는, 600 ℃ 이상, 1100 ℃ 이하인 것인 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법
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9
청구항 1에 있어서, 상기 제3 단계에서 진공 또는 불활성 가스 분위기 하에서의 열처리 시간은, 10초 이상, 10 시간 이하의 시간 동안 수행되는 것인 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법
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10
청구항 1에 있어서, 상기 제4 단계에서 산소를 포함하는 가스 분위기 하에서의 열처리 온도는, 350 ℃ 이상, 600 ℃ 이하인 것인 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법
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11
청구항 1에 있어서, 상기 제4 단계에서 산소를 포함하는 가스 분위기 하에서의 열처리 시간은 1 시간 이상, 70 시간 이하의 시간 동안 수행되는 것인 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법
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12
청구항 1에 있어서, 상기 제5 단계의 산은, 불화 수소(HF) 및 질산(HNO3)의 혼합물인 것인 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법
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13
청구항 1에 있어서, 상기 제5 단계는, 40 ℃ 이상, 150 ℃ 이하의 온도에서 수행되는 것인 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법
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14
청구항 1에 있어서, 상기 제6 단계의 원심 분리는, 1,000 g 이상, 60,000 g 이하의 원심 가속도로 수행되는 것인 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법
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15
청구항 1에 있어서, 상기 제6 단계의 원심 분리는, 10분 이상, 10 시간 이하의 시간 동안 수행되는 것인 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법
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16
청구항 1에 있어서, 상기 제7 단계는, 40 ℃ 이상, 200 ℃ 이하의 온도에서 수행되는 것인 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법
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17
청구항 1에 있어서, 상기 제7 단계는, 10-1 Torr 이상, 770 Torr 이하의 압력에서 수행되는 것인 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법
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