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금속산화물 나노입자를 이용한 가스센서 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015121652
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 전극이 형성된 센서기판 및 상기 전극이 형성된 센서기판 상에 금속산화물 나노입자가 분산된 용액을 분사하여 형성된 박층의 센서소재를 포함하는 가스센서 및 그의 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 의한 가스센서는 센서소재가 미세한 나노입자들로 구성된 금속산화물 박층으로 형성되어, 매우 큰 금속산화물 비표면적을 가지며 다공성이므로, ppb 레벨의 높은 감도(Sensitivity)와 우수한 반응속도를 구현한다. 또한, 본 발명의 가스센서는 상온에서 제조하는 것이 가능하며, 분사 시간의 조절을 통해 센서소재의 두께를 쉽게 조절할 수 있어, 박막 또는 후막 가스센서로 제조하는 것이 용이하다. 금속산화물, 전기분사(Electrospray), 가스센서, 나노입자
Int. CL G01N 27/12 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) C23C 4/10 (2006.01) B82Y 15/00 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020090038043 (2009.04.30)
출원인 주식회사 아모그린텍, 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1125170-0000 (2012.03.02)
공개번호/일자 10-2010-0119100 (2010.11.09) 문서열기
공고번호/일자 (20120319) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.04.30)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 아모그린텍 대한민국 경기도 김포시
2 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김일두 대한민국 서울특별시 동작구
2 김동영 대한민국 서울특별시 동대문구
3 장성연 대한민국 대구광역시 중구
4 조성무 대한민국 서울특별시 성북구
5 홍재민 대한민국 서울특별시 성북구
6 이윤석 대한민국 경기도 김포시 김
7 양성철 대한민국 서울특별시 강서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 아모그린텍 경기도 김포시
2 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0263409-29
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.02.10 수리 (Accepted) 4-1-2010-5024744-15
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.06.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.07.09 수리 (Accepted) 9-1-2010-0041195-70
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0210810-00
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0466578-35
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.06.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0466579-81
9 등록결정서
Decision to grant		 2011.12.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0718639-68
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전극이 형성된 센서기판, 및 상기 전극이 형성된 센서기판 상에 금속산화물 나노입자가 분산된 용액을 정전기력에 의한 분사 과정(Electrostatic Spray Deposition)에 의해 분사함으로써, 금속산화물 나노입자가 정전기적인 힘에 의해 센서기판에 증착되어 형성된 박층의 센서소재를 포함하는 가스센서
2 2
청구항 1에 있어서,상기 금속산화물 나노입자의 평균 직경은 5~200 nm인 것을 특징으로 하는 가스센서
3 3
청구항 1에 있어서,상기 금속산화물 나노입자는 그레인(grain) 또는 로드(rod) 형상인 것을 특징으로 하는 가스센서
4 4
청구항 1에 있어서,상기 금속산화물 나노입자는 SnO2, TiO2, ZnO, VO2, In2O3, NiO, MoO3, SrTiO3, Fe 도프(doped) SrTiO3, Fe2O3, WO3 및 CuO 나노입자로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 것으로 구성되는 것임을 특징으로 하는 가스센서
5 5
청구항 1에 있어서,상기 전극은 백금(Pt), 금(Au), 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir), 은(Ag), 루테늄(Ru), 니켈(Ni), 스테인리스 스틸(STS), 알루미늄(Al), 몰리브데늄(Mo), 크롬(Cr), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), ITO(Sn doped In2O3) 및 FTO(F doped SnO2)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것으로 구성되며, 상기 센서기판은 세라믹 기판, 알루미나(Al2O3)기판, 절연층이 증착되어진 실리콘(Si) 기판 또는 실리콘옥사이드(SiO2) 기판인 것을 특징으로 하는 가스센서
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 센서기판은 2개 이상이 정렬(array)되고, 각각의 센서기판 상에는 서로 다른 금속산화물 나노입자가 분산된 용액이 분사되어 서로 다른 박층의 센서소재가 형성된 것을 특징으로 하는 가스센서
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 센서소재는 열압착 또는 열가압에 의하여 상기 센서기판 위에 압착된 것임을 특징으로 하는 가스센서
8 8
청구항 1 또는 청구항 7에 있어서,상기 센서소재는 80oC~300oC의 열처리에 의해 잔류 용매를 제거시킨 것임을 특징으로 하는 가스센서
9 9
청구항 1 또는 청구항 7에 있어서,상기 센서소재는 350oC~600oC의 열처리에 의해 형성된 조대화된 금속산화물 나노입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서
10 10
금속산화물 나노입자가 용매에 균일하게 분산된 분사용액을 제조하는 단계; 및상기 분사 용액을 전극이 형성된 센서기판 상에 정전기력에 의한 분사 과정(Electrostatic Spray Deposition)에 의해 분사하여, 금속산화물 나노입자를 정전기적인 힘에 의해 센서기판에 증착시켜서 박층의 센서소재를 형성하는 단계를 포함하는 가스센서의 제조방법
11 11
청구항 10에 있어서,상기 센서소재를 열압착 또는 열가압하는 단계를 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법
12 12
청구항 11에 있어서,상기 센서소재의 열압착 또는 열가압은 20oC~150oC의 온도, 0
13 13
청구항 10 또는 청구항 11에 있어서,상기 센서소재를 80oC~300oC의 온도에서 열처리 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법
14 14
청구항 10 또는 청구항 11에 있어서,상기 센서소재를 350oC~600oC의 온도에서 열처리 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법
15 15
청구항 10에 있어서,상기 금속산화물 나노입자는 SnO2, TiO2, ZnO, VO2, In2O3, NiO, MoO3, SrTiO3, Fe 도프(doped) SrTiO3, Fe2O3, WO3 및 CuO 나노입자로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 것으로 구성되는 것임을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법
16 16
청구항 10에 있어서,상기 용매는 에탄올, 메탄올, 프로판올, 부탄올, 이소프로필알콜(IPA), 디메틸포름아마이드(dimethylformamide; DMF), 아세톤, 데트라하이드로퓨란, 톨루엔, 및 물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상으로 구성되는 것임을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법
17 17
청구항 10에 있어서,상기 분사용액은 트린톤 X-100(Triton X-100), 아세트산, 세틸트리메틸 암모늄 브로마이드(Cetyltrimethyl ammonium bromide, CTAB), 이소프로필트리스(N-아미노에틸-아미노에틸)티타네이트(isopropyltris(N-aminoethyl-aminoethyl) titanate, INAAT), 3-아미노프로필트리에톡시-실란(3-Aminopropyltriethoxy-silane, APTS), PVP(Polyvinyl Pyrrolidone) 및 폴리(4-비닐페놀)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 분산제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법
18 18
청구항 10에 있어서,상기 분사는 전기분사(Electrospray) 또는 에어플레쉬분사(Air Flash Spray)인 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02426484 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP02426484 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 US09133549 US 미국 FAMILY
4 US20120042713 US 미국 FAMILY
5 WO2010126336 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
6 WO2010126336 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 EP2426484 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP2426484 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 EP2426484 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 US2012042713 US 미국 DOCDBFAMILY
5 US9133549 US 미국 DOCDBFAMILY
6 WO2010126336 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
7 WO2010126336 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.