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벌크 헤테로 접합 무기 박막 태양전지 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015121672
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 벌크 헤테로 접합 무기 박막 태양전지 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 무기 박막 태양전지에서 기존의 n형 반도체와 p형 반도체 박막의 적층(planer type) 방식이 아닌 수직 성장된 n형 반도체 나노 구조체 전극을 이용하여 이 나노 구조체들 사이에 비어있는 공간을 p형 반도체 물질로 채워 벌크 헤테로 접합(bulk heterojunction)을 이룬 형태의 무기 박막을 포함하는 태양전지에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0445 (2014.01) H01L 31/072 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020110086514 (2011.08.29)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0023608 (2013.03.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.29)
심사청구항수 27

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 민병권 대한민국 서울특별시 성북구
2 김재훈 대한민국 서울특별시 성북구
3 조진우 대한민국 서울특별시 성북구
4 하정명 대한민국 서울특별시 강남구
5 김창수 대한민국 대구광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0671884-55
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.08.14 수리 (Accepted) 9-1-2012-0063680-97
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0072431-74
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2013-0280385-93
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0380734-47
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2013-0486313-92
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.08.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0540824-14
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 기판; b) 상기 기판 위에 형성되어 배열된 수직 나노 구조체 전극; c) 상기 배열된 수직 나노 구조체 전극 상에 코팅된 치밀막(dense layer); d) 상기 치밀막이 코팅된 수직 나노 구조체 전극 배열의 사이 및 그 상부에 형성된 p형 반도체 박막; 및 e) 상기 p형 반도체 박막 상에 형성된 금속 전극을 포함하는 벌크 헤테로 접합(bulk heterojunction) 무기 박막 태양전지
2 2
제1항에 있어서, 상기 수직 나노 구체체 전극은 투명 또는 반투명 금속 산화물 전극인 것을 특징으로 하는 벌크 헤테로 접합 무기 박막 태양전지
3 3
제1항에 있어서, 상기 수직 나노 구조체는 ZnO, TiO2 또는 ITO 물질의 나노 로드 또는 나노 튜브 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 벌크 헤테로 접합 무기 박막 태양전지
4 4
제1항에 있어서, 상기 치밀막은 n형의 산화물 반도체인 것을 특징으로 하는 벌크 헤테로 접합 무기 박막 태양전지
5 5
제4항에 있어서, 상기 치밀막을 구성하는 n형의 산화물 반도체는 TiO2 또는 ZnO 인 것을 특징으로 하는 벌크 헤테로 접합 무기 박막 태양전지
6 6
제1항에 있어서,상기 치밀막의 상부에 n형 반도체 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 벌크 헤테로 접합 무기 박막 태양전지
7 7
제6항에 있어서, 상기 n형 반도체 버퍼층은 CdS, ZnS, In2S3 중에서 선택된 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 벌크 헤테로 접합 무기 박막 태양전지
8 8
제1항에 있어서, 상기 p형 반도체 물질은 I-III-VI 족 원소 중에서 선택되는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 벌크 헤테로 접합 무기 박막 태양전지
9 9
제1항에 있어서, 상기 금속 전극은 Al, Au, Ag 또는 탄소로 이루어진 것을 특징으로 하는 벌크 헤테로 접합 무기 박막 태양전지
10 10
1) 기판 상에 수직 나노 구조체의 전극 배열을 형성하는 단계;2) 상기 수직 나노 구조체 배열 상에 치밀막을 코팅하는 단계; 3) 상기 치밀막이 코팅된 수직 나노 구조체의 전극 배열의 사이에 p형 반도체 물질의 잉크 또는 페이스트를 증착하여 수직 성장 나노 구조체 사이의 빈 공간을 채우고 상부에 박막을 형성함으로써 벌크 헤테로 접합을 형성하는 단계;4) 상기 벌크 헤테로 접합 박막 상에 금속 전극을 증착하는 단계를 포함하는 벌크 헤테로 접합 무기 박막 태양전지의 제조 방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 수직 나노 구체체 전극은 투명 또는 반투명 금속 산화물 전극인 것을 특징으로 하는 벌크 헤테로 접합 무기 박막 태양전지의 제조 방법
12 12
제10항에 있어서, 상기 수직 나노 구조체는 ZnO, TiO2 또는 ITO 물질의 나노 로드 또는 나노 튜브 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 벌크 헤테로 접합 무기 박막 태양전지의 제조 방법
13 13
제10항에 있어서, 상기 단계 (1)에서 수직 나노 구조체는 전기화학증착, 수열 합성, CVD, 애노다이징(anodizing) 또는 스퍼터링 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 벌크 헤테로 접합 무기 박막 태양전지의 제조 방법
14 14
제10항에 있어서, 상기 수직 나노 구조체의 높이는 0
15 15
제10항에 있어서, 상기 치밀막은 n형의 산화물 반도체인 것을 특징으로 하는 벌크 헤테로 접합 무기 박막 태양전지의 제조 방법
16 16
제15항에 있어서, 상기 치밀막을 구성하는 n형의 산화물 반도체는 TiO2 또는 ZnO 인 것을 특징으로 하는 벌크 헤테로 접합 무기 박막 태양전지의 제조 방법
17 17
제10항에 있어서, 상기 단계 (2)에서 치밀막은 ALD, CVD, 딥코팅(dip-coating), 졸-겔(sol-gel) 방법에 의해 코팅되는 것을 특징으로 하는 벌크 헤테로 접합 무기 박막 태양전지의 제조 방법
18 18
제10항에 있어서, 상기 치밀막의 두께는 100 nm 이하인 것을 특징으로 하는 벌크 헤테로 접합 무기 박막 태양전지의 제조 방법
19 19
제18항에 있어서,상기 치밀막의 상부에 n형 반도체 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 벌크 헤테로 접합 무기 박막 태양전지의 제조 방법
20 20
제19항에 있어서, 상기 n형 반도체 버퍼층은 CdS, ZnS, In2S3 중에서 선택된 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 벌크 헤테로 접합 무기 박막 태양전지의 제조 방법
21 21
제19항에 있어서, 상기 n형 반도체 버퍼층은 CBD(chemical bath deposition)에 의해 코팅되는 것을 특징으로 하는 벌크 헤테로 접합 무기 박막 태양전지의 제조 방법
22 22
제19항에 있어서, 상기 버퍼층의 두께는 10 - 200 nm 인 것을 특징으로 하는 벌크 헤테로 접합 무기 박막 태양전지의 제조 방법
23 23
제10항에 있어서, 상기 p형 반도체 물질은 I-III-VI 족 원소 중에서 선택되는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 벌크 헤테로 접합 무기 박막 태양전지의 제조 방법
24 24
제10항에 있어서, 상기 p형 반도체 물질은 나노입자 잉크 또는 전구체 용액을 사용하여 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 딥코팅(dip-coating) 중에서 선택된 용액 기반 코팅 방법에 의해 코팅되는 것을 특징으로 하는 벌크 헤테로 접합 무기 박막 태양전지의 제조 방법
25 25
제10항에 있어서, 상기 p형 반도체 물질 코팅 후 잔존 유기물을 제거해 주기 위해 공기 중 또는 불활성 기체 분위기하에 400 ℃ 이하의 온도에서 열처리 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 벌크 헤테로 접합 무기 박막 태양전지의 제조 방법
26 26
제10항에 있어서, 상기 금속 전극은 Al, Au, Ag 또는 탄소를 이용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 벌크 헤테로 접합 무기 박막 태양전지의 제조 방법
27 27
제10항에 있어서, 상기 금속 전극은 진공 증착 또는 용액 증착법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 벌크 헤테로 접합 무기 박막 태양전지의 제조 방법
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1 US20130048062 US 미국 FAMILY

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1 US2013048062 US 미국 DOCDBFAMILY
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1 교육과학기술부 한국과학기술연구원 기후변화대응 기술개발사업 용액공정 이용 벌크 헤테로 접합 무기박막 태양전지 제조 원천기술개발