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자기장 영역의 음·양 접합 구조를 갖는 반도체-자성물질융합 소자

  • 기술번호 : KST2015121850
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 반도체-자성물질 융합 소자는 반도체(InAs) 2차원 전자 위에 마이크로자석(Co)이 증착되고, 마이크로자석에서 나오는 stray field를 이용한 음·양 자기장 영역의 접합 구조를 갖는 소자이다. 이러한 반도체-자성물질 융합 소자에서 측정된 자기저항은 비대칭적인 홀 저항 모양을 하고 있고, 자기저항 변화가 매우 크다. 측정 데이터는 diffusive 모델과 ballistic 모델에 의해 계산된 결과와 잘 일치한다.
Int. CL H01L 43/08 (2006.01) G01D 5/12 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020060079567 (2006.08.22)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0852182-0000 (2008.08.07)
공개번호/일자 10-2008-0017845 (2008.02.27) 문서열기
공고번호/일자 (20080813) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020080051226;1020080051228;
심사청구여부/일자 Y (2006.08.22)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신경호 대한민국 서울 노원구
2 홍진기 대한민국 서울 송파구
3 주성중 대한민국 서울 관악구
4 이긍원 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2006-0598862-42
2 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)		 2006.09.21 수리 (Accepted) 1-1-2006-0684512-28
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.06.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.07.11 수리 (Accepted) 9-1-2007-0039881-97
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0522321-31
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2007.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0854893-20
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0940585-13
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.12.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0940586-69
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0225926-44
10 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2008.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0391747-25
11 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2008.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0391753-00
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.05.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0391760-19
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0391759-73
14 등록결정서
Decision to grant		 2008.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0402838-87
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전류가 흐르는 채널을 갖는 반도체 2DEG(2-Dimensional Electron Gas)과,상기 채널 위에 서로 마주보도록 동일 평면상으로 배치되는 2개의 마이크로자석을 포함하여 이루어지며, 외부자기장이 인가됨에 따라 상기 2개의 마이크로자석이 서로 마주보는 부분 아래의 채널 내에 부호가 서로 다른 2개의 자기 장벽이 형성되어 자기장이 음인 영역과 양인 영역 간의 접합 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체-자성물질 융합 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 채널의 적어도 한 측면 중 상기 자기장이 음인 영역에 연결된 음 전압단자와, 상기 채널의 적어도 한 측면 중 상기 자기장이 양인 영역에 연결된 양 전압단자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체-자성물질 융합 소자
3 3
제2항에 있어서,상기 음·양 전압단자는 상기 채널과 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체-자성물질 융합 소자
4 4
제2항에 있어서,상기 음·양 전압단자는 각각 상기 자기 장벽의 최소 및 최대 높이에 해당하는 위치에 형성된 것을 특징으로 하는 반도체-자성물질 융합 소자
5 5
제4항에 있어서,상기 음·양 전압단자는 평면상 "V"자 형상이고, 상기 음·양 전압단자 사이의 평균 거리는 상기 자기 장벽의 최소 및 최대 높이에 해당하는 위치 사이의 거리와 일치하는 것을 특징으로 하는 반도체-자성물질 융합 소자
6 6
제4항에 있어서,상기 음·양 전압단자는 각각 상기 채널에 수직인 것을 특징으로 하는 반도체-자성물질 융합 소자
7 7
제1항에 있어서,상기 마이크로자석과 상기 반도체 2DEG 사이에 절연층이 개재된 것을 특징으로 하는 반도체-자성물질 융합 소자
8 8
제7항에 있어서,상기 절연층의 두께는 상기 마이크로자석의 두께보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체-자성물질 융합 소자
9 9
제1항에 있어서,상기 2개의 마이크로자석 사이의 거리는 0
10 10
제1항에 있어서,상기 마이크로자석의 폭은 상기 채널의 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체-자성물질 융합 소자
11 11
제1항에 있어서,상기 마이크로자석은 Co, CoPt, CoFe, FeNi, CoFeB, CoZrB, FePt 중 선택된 어느 하나를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체-자성물질 융합 소자
12 12
제1항에 있어서,상기 반도체 2DEG은 InAs 또는 HgCdTe를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체-자성물질 융합 소자
13 13
제12항에 있어서,상기 자기장이 음인 영역과 양인 영역 간의 접합 면은 전자의 스핀의 업-다운(up-down) 접합 면인 것을 특징으로 하는 반도체-자성물질 융합 소자
14 14
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지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07872321 US 미국 FAMILY
2 US20080048179 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2008048179 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7872321 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.