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칼코지나이드 재료로 이루어지는 국소 표면 플라즈몬 여기층을 포함하되, 상기 칼코지나이드 재료는, 셀레늄(Se) 및 테룰륨(Te) 중 하나 이상을 포함하는 제1 재료; 및게르마늄(Ge) 및 안티모니(Sb) 중 하나 이상을 포함하는 제2 재료를 포함하며,상기 국소 표면 플라즈몬 여기층은, 적외선 대역의 공진 파장을 갖는 입사광에 의하여 상기 칼코지나이드 재료가 여기되어 국소 표면 플라즈몬 공진을 발생시키도록 구성된 것을 특징으로 하는 국소 표면 플라즈몬 공진 센서
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제 1항에 있어서,상기 칼코지나이드 재료의 조성비에 따라 상기 국소 표면 플라즈몬 여기층의 캐리어 농도가 결정되는 것을 특징으로 하는 국소 표면 플라즈몬 공진 센서
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제 1항에 있어서,상기 칼코지나이드 재료는 결정질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 국소 표면 플라즈몬 공진 센서
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셀레늄(Se) 및 테룰륨(Te) 중 하나 이상을 포함하는 제1 재료 및 게르마늄(Ge) 및 안티모니(Sb) 중 하나 이상을 포함하는 제2 재료를 포함하는 칼코지나이드 재료로 이루어지는 박막을 형성하는 단계; 및상기 박막에 레이저를 조사하여 미리 결정된 형상을 갖는 국소 표면 플라즈몬 여기층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 국소 표면 플라즈몬 여기층은, 적외선 대역의 공진 파장을 갖는 입사광에 의하여 상기 칼코지나이드 재료가 여기되어 국소 표면 플라즈몬 공진을 발생시키도록 구성된 것을 특징으로 하는 국소 표면 플라즈몬 공진 센서의 제조 방법
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제 5항에 있어서, 상기 박막은 비정질로 이루어지며, 상기 국소 표면 플라즈몬 여기층을 형성하는 단계는, 레이저에 의해 상기 칼코지나이드 재료를 결정화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 국소 표면 플라즈몬 공진 센서의 제조 방법
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제 6항에 있어서,상기 레이저에 의해 상기 칼코지나이드 재료를 결정화하는 단계는, 상기 미리 결정된 형상에 따라 레이저의 조사 위치를 이동시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 국소 표면 플라즈몬 공진 센서의 제조 방법
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제 7항에 있어서,상기 레이저에 의해 상기 칼코지나이드 재료를 결정화하는 단계는, 레이저의 세기, 레이저의 이동 속도 및 레이저의 펄스 길이 중 하나 이상을 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 국소 표면 플라즈몬 공진 센서의 제조 방법
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제 6항에 있어서,상기 레이저에 의해 상기 칼코지나이드 재료를 결정화하는 단계는, 상기 박막에 복수 개의 결맞는 레이저 빔을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 국소 표면 플라즈몬 공진 센서의 제조 방법
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제 9항에 있어서,상기 미리 결정된 형상은 상기 복수 개의 결맞는 레이저 빔에 의해 생성된 간섭무늬에 대응되는 것을 특징으로 하는 국소 표면 플라즈몬 공진 센서의 제조 방법
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제 6항에 있어서,상기 국소 표면 플라즈몬 여기층을 형성하는 단계는, 상기 박막에서 레이저가 조사되지 않은 부분을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 국소 표면 플라즈몬 공진 센서의 제조 방법
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제 5항에 있어서,상기 박막을 형성하는 단계는, 스퍼터링에 의해 상기 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 국소 표면 플라즈몬 공진 센서의 제조 방법
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제 5항에 있어서,상기 박막을 형성하는 단계는, 상기 칼코지나이드 재료의 조성비를 조절함으로써 상기 박막의 캐리어 농도를 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 국소 표면 플라즈몬 공진 센서의 제조 방법
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