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고정된 자화 방향을 가지는 고정 자성층,상기 고정 자성층 위에 위치하는 비자성층, 및상기 비자성층 위에 위치하고, 상기 비자성층과의 경계면에 대해 회전하며, 반전 가능한 자화 방향을 가지도록 적용된 자유 자성층을 포함하는 발진 소자로서,상기 고정 자성층은 상기 경계면에 대해 평행한 자화 방향을 가지며,상기 고정 자성층은,제1 고정 자성부, 및상기 제1 고정 자성부 위에 위치하고, 상기 비자성층과 접하는 제2 고정 자성부를 포함하고,상기 제1 고정 자성부는,상기 제2 고정 자성부와 접하는 제1면, 및 상기 제1면을 둘러싸면서 외부 노출된 제2면을 포함하는 발진 소자
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제1항에 있어서,상기 제2 고정 자성부의 높이는 상기 제1 고정 자성부의 높이보다 큰 발진 소자
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제1항에 있어서,상기 제2면은 환형 형상을 가지는 발진 소자
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제1항에 있어서,상기 고정 자성층 및 상기 자유 자성층은 (A100-xBx)100-yCy (0003c#x003c#100, 0003c#y003c#100)의 화학식을 가지는 화합물을 포함하고, 상기 A 및 상기 B는 금속 원소이며, 상기 C는 비정질화 원소인 발진 소자
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제1항에 있어서,상기 제2 고정 자성부를 상기 경계면에 평행한 방향으로 자른 상기 제2 고정 자성부의 단면적은 상기 제2 고정 자성부와 상기 비자성층이 상호 접하는 면의 면적과 동일한 발진 소자
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제1항에 있어서,상기 제2면은 상기 고정 자성층을 식각하여 형성된 발진 소자
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고정된 자화 방향을 가지는 고정 자성층,상기 고정 자성층 위에 위치하는 비자성층, 및상기 비자성층 위에 위치하고, 반전 가능하며 상기 비자성층과의 경계면에 대해 회전하는 자화 방향을 가지는 자유 자성층을 포함하고,상기 고정 자성층은 상기 경계면에 대해 평행한 자화 방향을 가지며,상기 고정 자성층은,반강자성층,상기 반강자성층 위에 위치한 제1 강자성층,상기 제1 강자성층 위에 위치한 비자성 금속층, 및 상기 비자성 금속층 위에 위치하고, 상기 비자성층과 접하는 제2 강자성층을 포함하며,상기 제2 강자성층은,제2 강자성층 하부, 및상기 제2 강자성층 하부 위에 위치하고, 상기 비자성층과 접하는 제2 강자성층 상부를 포함하고,상기 제2 강자성층 상부는,상기 제2 강자성층 하부와 접하는 중심면, 및상기 중심면을 둘러싸면서 외부 노출된 노출면을 포함하는 발진 소자
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제7항에 있어서,상기 고정 자성층의 높이는 상기 자유 자성층의 높이보다 큰 발진 소자
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제7항에 있어서,상기 노출면은 환형 형상을 가지는 발진 소자
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제7항에 있어서,상기 노출면은 상기 고정 자성층을 식각하여 형성된 발진 소자
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제7항에 있어서,상기 제1 강자성층 및 상기 제2 강자성층은 (A100-xBx)100-yCy (0003c#x003c#100, 0003c#y003c#100)의 화학식을 가지는 화합물을 포함하고, 상기 A 및 상기 B는 금속 원소이며, 상기 C는 비정질화 원소인 발진 소자
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제7항에 있어서,상기 반강자성층은 FeMn, IrMn, PtMn, CoO 및 NiO으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 화합물을 포함하는 발진 소자
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제4항 또는 제11항에 있어서,상기 A 및 상기 B는 각각 Fe(철), Co(코발트), Ni(니켈), Mn(망간) 및 Cr(크롬)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소인 발진 소자
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제4항 또는 제11항에 있어서,상기 C는 B(붕소), C(탄소), Ta(탄탈륨), Re(레늄), Hf(하프뮴), Rh(로듐), Cr(크롬), Cu(구리), Gd(가돌리늄) 및 Tb(테르븀)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소인 발진 소자
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15
제1항 또는 제7항에 있어서,상기 비자성층은 비자성 금속층, 절연층 및 반도체층으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 층을 포함하는 발진 소자
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16
제15항에 있어서,상기 비자성층이 상기 비자성 금속층을 포함하는 경우, 상기 비자성 금속층은 Cu(구리), Ru(루테늄), Au(금), Ag(은), Ta(탄탈륨) 및 Al(알루미늄)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소를 포함하는 발진 소자
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17
제15항에 있어서,상기 비자성층이 상기 절연층을 포함하는 경우, 상기 절연층은 D100-zEz (40003c#z003c#60)의 화학식을 가지는 화합물을 포함하고, 상기 D는 Li(리튬), Be(베릴륨), Na(나트륨), Mg(마그네슘), Nb(니오븀), Ti(티타늄), V(바나듐), Ta(탄탈륨), Ba(바륨), Pd(팔라듐), Zr(지르코늄), Ho(홀뮴), K(칼륨) 및 Ag(은)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소이며, 상기 E는 O(산소), N(질소), C(탄소), H(수소), Se(셀레늄), Cl(염소) 및 F(불소)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소인 발진 소자
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18
제15항에 있어서,상기 비자성층이 상기 반도체층을 포함하는 경우, 상기 반도체층은 Si, GaAs, Ge 및 SeZn으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는 발진 소자
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