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스핀 주입을 이용한 상보성 논리소자

  • 기술번호 : KST2015121605
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 상보성 논리소자는 기판 상에 형성된 절연층, 절연층 상에 강자성체로 형성된 소스 전극, 소스 전극 상에 강자성체로 형성되어, 소스 전극의 자화 방향을 조절하는 게이트 전극, 소스 전극의 제1 측면과 제2 측면에 각각 형성되어 소스 전극으로부터 스핀 분극된 전자를 전달하는 채널층, 채널층을 사이에 두고 소스 전극의 제1 측면에 강자성체로 형성된 제1 드레인 전극 및 채널층을 사이에 두고 소스 전극의 제2 측면에 강자성체로 형성된 제2 드레인 전극을 포함하고, 제1 드레인 전극의 자화 방향과 제2 드레인 전극의 자화 방향은 반평행하다. 이에 따라, 저전력, 초고속 및 스핀의 비휘발성과 다중스위칭의 특징을 갖는다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 27/105 (2006.01) H01L 29/82 (2006.01)
CPC G11C 11/161(2013.01) G11C 11/161(2013.01) G11C 11/161(2013.01) G11C 11/161(2013.01) G11C 11/161(2013.01) G11C 11/161(2013.01) G11C 11/161(2013.01) G11C 11/161(2013.01)
출원번호/일자 1020110129651 (2011.12.06)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1283934-0000 (2013.07.03)
공개번호/일자 10-2013-0063236 (2013.06.14) 문서열기
공고번호/일자 (20130716) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.06)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 구현철 대한민국 서울특별시 성북구
2 김형준 대한민국 서울특별시 용산구
3 장준연 대한민국 서울특별시 성북구
4 한석희 대한민국 서울특별시 노원구
5 김희중 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2011-0968452-22
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.10.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.11.15 수리 (Accepted) 9-1-2012-0084973-06
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.12.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0739185-13
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0018019-74
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.01.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0018018-28
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0449112-56
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성된 절연층;상기 절연층 상에 강자성체로 형성된 소스 전극;상기 소스 전극 상에 형성되는 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상에 강자성체로 형성되어, 상기 소스 전극의 자화 방향을 조절하는 게이트 전극;상기 소스 전극의 제1 측면과 제2 측면에 각각 형성되어 상기 소스 전극으로부터 스핀 분극된 전자를 전달하는 채널층;상기 채널층을 사이에 두고 상기 소스 전극의 제1 측면에 강자성체로 형성된 제1 드레인 전극; 및상기 채널층을 사이에 두고 상기 소스 전극의 제2 측면에 강자성체로 형성된 제2 드레인 전극을 포함하고, 상기 제1 드레인 전극의 자화 방향과 상기 제2 드레인 전극의 자화 방향은 반평행인 것을 특징으로 하는 상보성 논리소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 드레인 전극의 자화 방향이 상기 소스 전극의 자화 방향과 평행한 경우, 상기 제2 드레인 전극의 자화 방향은 상기 소스 전극의 자화 방향과 반평행하고,상기 제1 드레인 전극의 자화 방향이 상기 소스 전극의 자화 방향과 반평행한 경우, 상기 제2 드레인 전극의 자화 방향은 상기 소스 전극의 자화 방향과 평행한 것을 특징으로 하는 상보성 논리소자
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 게이트 전극에서 상기 소스 전극으로 흐르는 전류의 방향에 따라 상기 소스 전극의 자화 방향이 변하는 것을 특징으로 하는 상보성 논리소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 산화막 또는 비강자성체로 형성되는 것을 특징으로 하는 상보성 논리소자
6 6
제1항에 있어서, 상기 게이트 전극, 상기 소스 전극, 상기 제1 드레인 전극 및 상기 제2 드레인 전극의 자성 패턴은 코발트철(CoFe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 니켈철(NiFe), 철(Fe) 중 하나 또는 이들의 조합을 포함하는 강자성체로 이루어진 것을 특징으로 하는 상보성 논리소자
7 7
제1항에 있어서, 상기 게이트 전극, 상기 소스 전극, 상기 제1 드레인 전극 및 상기 제2 드레인 전극의 자성 패턴은 갈륨비소(GaAs), 망간비소(MnAs), 비화인듐(InAs) 중 하나 또는 이들의 조합을 포함하는 자성 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 상보성 논리소자
8 8
제1항에 있어서, 상기 채널층은 금(Au), 백금(Pt), 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 안티몬(Sb) 중 하나 또는 이들의 조합을 포함하는 금속, 반금속(semi-metal), 또는 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 상보성 논리소자
9 9
제1항에 있어서, 상기 채널층은 그래핀(graphene) 또는 나노선(nano-wire)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 상보성 논리소자
10 10
제1항에 있어서, 상기 채널층은 2차원 전기가스층인 것을 특징으로 하는 상보성 논리소자
11 11
제10항에 있어서, 상기 2차원 전기가스층은 갈륨비소(GaAs), 비화인듐(InAs), 인듐갈륨비소(InGaAs), 인듐안티몬(InSb) 중 하나 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 상보성 논리소자
12 12
제1항에 있어서, 상기 채널층은 n형 반도체를 도핑한 갈륨비소(GaAs), 비화인듐(InAs), 인듐갈륨비소(InGaAs), 인듐안티몬(InSb) 중 하나 또는 이들의 조합을 포함하며, 상기 강자성체와 오믹(Ohmic) 접합 또는 쇼트키(Schottky) 접합한 것을 특징으로 하는 상보성 논리소자
13 13
제1항에 있어서, 상기 절연층은 이산화규소(SiO2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화탄탈(TaOx), 산화마그네슘(MgO) 중 하나 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 상보성 논리소자
14 14
제1항에 있어서, 인버터(Inverter), 논리합(OR), 논리곱(AND), 논리부정(NOT), 부정논리합(NOR), 부정논리곱(NAND) 중 하나의 논리 기능을 수행하거나 두 개 이상의 논리 기능이 합쳐진 연산을 수행하는 것을 특징으로 하는 상보성 논리소자
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08587044 US 미국 FAMILY
2 US20130140606 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2013140606 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8587044 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.