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시료와 접촉하도록 구성되며 나노 결정질 다이아몬드로 이루어지는 도파로층; 및 입사광에 의해 상기 도파로층에 정상파가 생성되는 상기 입사광의 입사 각도를 측정하도록 구성된 검출부를 포함하되,상기 검출부는, 상기 입사광의 입사 각도를 변화시키면서 상기 입사광이 상기 도파로층과 상기 시료의 계면에서 반사된 반사광을 수신하고, 상기 반사광에 반사도 딥(dip)이 발생하는 입사 각도를 측정함으로써 상기 정상파가 생성되는 입사 각도를 측정하도록 구성된 것을 특징으로 하는, 입사각 분해 방식의 감쇠전반사형 도파로 모드 공진 센서
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제 1항에 있어서,상기 입사광이 입사되도록 구성된 프리즘; 및 상기 프리즘상에 위치하며, 상기 프리즘과 상기 도파로층 사이에 위치하는 커플링층을 더 포함하고,상기 도파로층은 상기 커플링층 상에 위치하는 것을 특징으로 하는, 입사각 분해 방식의 감쇠전반사형 도파로 모드 공진 센서
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제 4항에 있어서,상기 프리즘과 상기 커플링층 사이에 위치하는 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 입사각 분해 방식의 감쇠전반사형 도파로 모드 공진 센서
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제 1항에 있어서,상기 도파로층의 두께는 상기 입사광의 파장의 0
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제 1항에 있어서,상기 입사광은 적외선 또는 가시광선인 것을 특징으로 하는, 입사각 분해 방식의 감쇠전반사형 도파로 모드 공진 센서
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제 1항에 있어서,상기 나노 결정질 다이아몬드의 결정립 크기는 30 nm 내지 180 nm인 것을 특징으로 하는, 입사각 분해 방식의 감쇠전반사형 도파로 모드 공진 센서
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입사각 분해 방식의 감쇠전반사형 도파로 모드 공진 센서를 위한 나노 결정질 다이아몬드 도파로의 제조 방법으로서,탄화수소를 포함하는 원료 기체를 사용한 열 필라멘트 화학기상증착 공정에 의하여 기판상에 나노 결정질 다이아몬드로 이루어진 도파로층을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 도파로층을 형성하는 단계는, 상기 기판의 온도, 필라멘트와 상기 기판 사이의 거리 및 상기 원료 기체에서 상기 탄화수소의 비율 중 하나 이상을 조절함으로써 상기 나노 결정질 다이아몬드의 결정립 크기를 제어하는 단계를 포함하며,상기 도파로층은, 입사 각도가 상이한 입사광들이 입사될 때 공진 조건을 만족하는 입사 각도에서 상기 도파로층 내에 정상파를 생성함으로써 상기 도파로층과 시료의 계면에서 반사된 반사광에 반사도 딥(dip)을 발생시키도록 구성된 것을 특징으로 하는 나노 결정질 다이아몬드 도파로의 제조 방법
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제 9항에 있어서,상기 나노 결정질 다이아몬드의 결정립 크기를 제어하는 단계는, 상기 기판의 온도를 700도 내지 900도의 범위에서 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 결정질 다이아몬드로 이루어진 도파로의 제조 방법
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제 10항에 있어서,상기 나노 결정질 다이아몬드의 결정립 크기를 제어하는 단계에서, 상기 기판의 온도가 증가할수록 상기 결정립 크기는 감소하는 것을 특징으로 하는 나노 결정질 다이아몬드로 이루어진 도파로의 제조 방법
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제 9항에 있어서,상기 나노 결정질 다이아몬드의 결정립 크기를 제어하는 단계는, 상기 원료 기체에서 상기 탄화수소의 비율을 0
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제 9항에 있어서,상기 나노 결정질 다이아몬드의 결정립 크기를 제어하는 단계는, 필라멘트와 상기 기판 사이의 거리를 10 mm 내지 40 mm의 범위에서 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 결정질 다이아몬드로 이루어진 도파로의 제조 방법
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제 9항에 있어서,상기 나노 결정질 다이아몬드의 결정립 크기는 30 nm 내지 180 nm인 것을 특징으로 하는 나노 결정질 다이아몬드로 이루어진 도파로의 제조 방법
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