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자기장 제어 가변형 논리 소자 및 그 제어 방법

  • 기술번호 : KST2015122370
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 논리 연산과 메모리 기능을 함께 수행하면서 자기장으로 제어되는 비휘발성 가변형 논리 소자를 제공한다. 가변형 논리 소자는 i) 하나 이상의 반도체 소자, 및 ii) 반도체 소자의 양측에 반도체 소자와 이격되어 위치하고, 누설 자기장을 발생시켜 반도체 소자를 제어하도록 적용된 한 쌍의 자기장 제어 소자들을 포함한다. 반도체 소자는, i) 제1 반도체층, 및 ii) 제1 반도체층 위에 위치하는 제2 반도체층을 포함한다. 제1 반도체층 및 제2 반도체층 중 어느 한 반도체층은 p형이고, 다른 한 반도체층은 n형이다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01)
CPC G11C 11/15(2013.01) G11C 11/15(2013.01) G11C 11/15(2013.01) G11C 11/15(2013.01)
출원번호/일자 1020120147963 (2012.12.18)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1438773-0000 (2014.09.01)
공개번호/일자 10-2014-0080757 (2014.07.01) 문서열기
공고번호/일자 (20140915) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.12.18)
심사청구항수 27

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장준연 대한민국 서울 강동구
2 홍진기 대한민국 서울 마포구
3 송진동 대한민국 서울특별시 성북구
4 마크 존슨 미국 미국 ***** 매릴랜

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-1050726-75
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.08.27 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0080803-05
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0068181-49
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.03.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0302366-76
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0302365-20
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0592559-06
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하나 이상의 반도체 소자, 및상기 반도체 소자의 양측에 상기 반도체 소자와 이격되어 위치하고, 누설 자기장을 발생시켜 상기 반도체 소자를 제어하도록 적용된 한 쌍의 자기장 제어 소자들을 포함하는 가변형(reconfigurable) 논리 소자로서,상기 반도체 소자는,제1 반도체층, 및제1 반도체층 위에 위치하는 제2 반도체층을 포함하고,상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층 중 어느 한 반도체층은 p형이고, 다른 한 반도체층은 n형인 가변형 논리 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 한 쌍의 자기장 제어 소자들 중 하나 이상의 자기장 제어 소자는,고정된 자화 방향을 가지는 제1 자성층,상기 제1 자성층 위에 위치한 비자성층, 및상기 비자성층 위에 위치하고, 반전 가능한 자화 방향을 가지는 제2 자성층을 포함하는 가변형 논리 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층은 충돌 이온화 과정에 의해 전자 캐리어의 농도가 증가하고, 상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층의 접합 계면에서의 공공과 전자의 재결합에 의해 캐리어의 농도가 감소하면서 상기 누설 자기장의 인가 방향에 따라 상기 재결합이 변화하며,상기 누설 자기장에 의해 상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층의 각 전계가 상호 반대 방향으로 형성되도록 적용된 가변형 논리 소자
4 4
제3항에 있어서,상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층은 InSb를 포함하는 가변형 논리 소자
5 5
제3항에 있어서,상기 누설 자기장의 인가 방향과 상기 전계의 형성 방향은 수직인 가변형 논리 소자
6 6
제1항에 있어서,상기 한 쌍의 자기장 제어 소자들 중 하나 이상의 자기장 제어 소자와 상기 반도체 소자 사이의 이격 거리는 0보다 크고 500nm 이하인 가변형 논리 소자
7 7
제2항에 있어서,상기 자기장 제어 소자에서 상기 제1 자성층, 상기 비자성층 및 상기 제2 자성층을 관통하여 전류가 주입되도록 적용되고, 상기 전류의 주입 방향은 반전 가능한 가변형 논리 소자
8 8
제1항에 있어서,상기 반도체 소자와 상기 한 쌍의 자기장 제어 소자들에 접하여 상기 누설 자기장의 외부 유출을 차단하는 차폐 구조체를 더 포함하는 가변형 논리 소자
9 9
제1항에 있어서,상기 하나 이상의 반도체 소자는 2개의 반도체 소자들을 포함하고, 상기 2개의 반도체 소자들은 상호 병렬 연결되고, 상기 2개의 반도체 소자들은 상기 p형 반도체층 및 상기 n형 반도체층이 상호 반대로 적층된 가변형 논리 소자
10 10
제1항에 있어서,상기 하나 이상의 반도체 소자는 한 쌍의 동일한 제1 반도체 소자들 및 한 쌍의 동일한 제2 반도체 소자들을 포함하고, 상기 한 쌍의 동일한 제1 반도체 소자들 및 한 쌍의 동일한 제2 반도체 소자들은 상호 병렬 연결되며,상기 한 쌍의 제1 반도체 소자들과 상기 한 쌍의 제2 반도체 소자들은 상기 p형 반도체층 및 상기 n형 반도체층이 상호 반대로 적층된 가변형 논리 소자
11 11
제9항에 있어서,상기 2개의 반도체 소자들 각각에 연결된 2개의 전원을 더 포함하는 가변형 논리 소자
12 12
제1항에 있어서,상기 제1 반도체층이 p형인 경우, 상기 제1 반도체층의 두께는 10㎛ 이하인 가변형 논리 소자
13 13
제1항에 있어서,상기 제2 반도체층이 n형인 경우, 상기 제2 반도체층의 두께는 0
14 14
하나 이상의 반도체 소자를 제공하는 단계,상기 반도체 소자의 양측에 상기 반도체 소자와 이격되어 위치하는 한 쌍의 자기장 제어 소자들을 제공하는 단계,상기 자기장 제어 소자들에 의해 자기장을 발생시켜서 상기 반도체 소자를 제어하는 단계를 포함하는 가변형 논리 소자의 제어 방법으로서,상기 반도체 소자를 제공하는 단계에서,상기 반도체 소자는제1 반도체층을 제공하는 단계, 및상기 제1 반도체층 위에 제2 반도체층을 제공하는 단계를 포함하고, 상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층 중 어느 한 반도체층은 p형이고, 다른 한 반도체층은 n형인 가변형 논리 소자의 제어 방법
15 15
제14항에 있어서,상기 반도체 소자를 제어하는 단계에서,상기 자기장은 상기 반도체 소자의 판면에 평행한 방향을 따라 상기 한 쌍의 자기장 제어 소자들 중 일측의 자기장 제어 소자에서 타측의 자기장 제어 소자 방향 또는 상기 타측의 자기장 제어 소자에서 상기 일측의 자기장 제어 소자 방향으로 상기 반도체 소자에 인가되는 가변형 논리 소자의 제어 방법
16 16
제15항에 있어서,상기 반도체 소자에 전압을 인가하는 단계를 더 포함하고,상기 반도체 소자에 인가되는 전압은 상기 일측의 자기장 제어 소자에서 상기 타측의 자기장 제어 소자 방향의 자기장을 인가시의 상기 반도체 소자의 문턱 전압보다 크고 상기 타측의 자기장 제어 소자에서 상기 일측의 자기장 제어 소자 방향의 자기장을 인가시의 상기 반도체 소자의 문턱 전압보다 작은 가변형 논리 소자의 제어 방법
17 17
제16항에 있어서,상기 반도체 소자에서, 상기 제1 반도체층은 n형이고, 상기 제2 반도체층은 p형인 가변형 논리 소자의 제어 방법
18 18
제17항에 있어서,상기 하나 이상의 반도체 소자를 제공하는 단계에서, 상기 하나 이상의 반도체 소자는 상호 직렬 연결된 2개의 반도체 소자들을 포함하고,상기 2개의 반도체 소자들에 모두 상기 일측의 자기장 제어 소자에서 상기 타측의 자기장 제어 소자 방향의 자기장을 인가하는 경우의 상기 가변형 논리 소자의 전류의 양은 상기 2개의 반도체 소자들 중 하나 이상의 반도체 소자에 상기 타측의 자기장 제어 소자에서 상기 일측의 자기장 제어 소자 방향의 자기장을 인가하는 경우의 상기 가변형 논리 소자의 전류의 양보다 큰 가변형 논리 소자의 제어 방법
19 19
제17항에 있어서,상기 하나 이상의 반도체 소자를 제공하는 단계에서, 상기 하나 이상의 반도체 소자는 상호 직렬 연결된 2개의 반도체 소자들을 포함하고,상기 2개의 반도체 소자들에 모두 상기 타측의 자기장 제어 소자에서 상기 일측의 자기장 제어 소자 방향의 자기장을 인가하는 경우의 상기 가변형 논리 소자의 전류의 양은 상기 2개의 반도체 소자들 중 하나 이상의 반도체 소자에 상기 일측의 자기장 제어 소자에서 상기 타측의 자기장 제어 소자 방향의 자기장을 인가하는 경우의 상기 가변형 논리 소자의 전류의 양보다 작은 가변형 논리 소자의 제어 방법
20 20
제16항에 있어서,상기 하나 이상의 반도체 소자를 제공하는 단계에서, 상기 하나 이상의 반도체 소자는 상호 병렬 연결된 2개의 반도체 소자들을 포함하고,상기 2개의 반도체 소자들은 상기 p형 반도체층 및 상기 n형 반도체층이 상호 반대로 적층되며, 상기 2개의 반도체 소자들 중 p형 반도체층 위에 n형 반도체층이 적층된 반도체 소자에만 전압을 인가하고, 상기 하나의 반도체 소자에 상기 타측의 자기장 제어 소자에서 상기 일측의 자기장 제어 소자 방향의 자기장을 인가하는 경우의 전류의 양은 상기 하나의 반도체 소자에 상기 일측의 자기장 제어 소자에서 상기 타측의 자기장 제어 소자 방향의 자기장을 인가하는 경우의 전류의 양보다 작은 가변형 논리 소자의 제어 방법
21 21
제16항에 있어서,상기 하나 이상의 반도체 소자를 제공하는 단계에서, 상기 하나 이상의 반도체 소자는 상호 병렬 연결된 2개의 반도체 소자들을 포함하고,상기 2개의 반도체 소자들은 상기 p형 반도체층 및 상기 n형 반도체층이 상호 반대로 적층되며, 상기 2개의 반도체 소자들 중 n형 반도체층 위에 p형 반도체층이 적층된 반도체 소자에만 전압을 인가하고, 상기 하나의 반도체 소자에 상기 일측의 자기장 제어 소자에서 상기 타측의 자기장 제어 소자 방향의 자기장을 인가하는 경우의 전류의 양은 상기 하나의 반도체 소자에 상기 타측의 자기장 제어 소자에서 상기 일측의 자기장 제어 소자 방향의 자기장을 인가하는 경우의 전류의 양보다 작은 가변형 논리 소자의 제어 방법
22 22
제15항에 있어서,상기 반도체 소자에 전압을 인가하는 단계를 더 포함하고,상기 반도체 소자에 인가되는 전압은 상기 타측의 자기장 제어 소자에서 상기 일측의 자기장 제어 소자 방향의 자기장을 인가시의 상기 반도체 소자의 문턱 전압보다 크고 상기 일측의 자기장 제어 소자에서 상기 타측의 자기장 제어 소자 방향의 자기장을 인가시의 상기 반도체 소자의 문턱 전압보다 작은 가변형 논리 소자의 제어 방법
23 23
제22항에 있어서,상기 반도체 소자에서, 상기 제1 반도체층은 p형이고, 상기 제2 반도체층은 n형인 가변형 논리 소자의 제어 방법
24 24
제15항에 있어서,상기 반도체 소자에 전압을 인가하는 단계를 더 포함하고,상기 반도체 소자에 인가되는 전압은 상기 타측의 자기장 제어 소자에서 상기 일측의 자기장 제어 소자 방향의 자기장을 인가시의 상기 반도체 소자의 문턱 전압보다 크고, 상기 일측의 자기장 제어 소자에서 상기 타측의 자기장 제어 소자 방향의 자기장을 인가시의 상기 반도체 소자의 문턱 전압보다 작은 가변형 논리 소자의 제어 방법
25 25
제24항에 있어서,상기 하나 이상의 반도체 소자를 제공하는 단계에서, 상기 하나 이상의 반도체 소자는 상호 직렬 연결된 2개의 반도체 소자들을 포함하고,상기 가변형 논리 소자를 상호 직렬 연결된 한 쌍으로 제공하는 단계를 더 포함하고, 상기 2개의 반도체 소자들 중 n형 반도체층 위에 p형 반도체층이 적층된 반도체 소자에만 전압을 인가하고,상기 2개의 반도체 소자들에 모두 상기 타측의 자기장 제어 소자에서 상기 일측의 자기장 제어 소자 방향의 자기장을 인가하는 경우의 상기 가변형 논리 소자의 전류의 양은 상기 2개의 반도체 소자들 중 하나 이상의 반도체 소자에 상기 일측의 자기장 제어 소자에서 상기 타측의 자기장 제어 소자 방향의 자기장을 인가하는 경우의 상기 가변형 논리 소자의 전류의 양보다 큰 가변형 논리 소자의 제어 방법
26 26
제24항에 있어서,상기 하나 이상의 반도체 소자를 제공하는 단계에서, 상기 하나 이상의 반도체 소자는 상호 직렬 연결된 2개의 반도체 소자들을 포함하고,상기 가변형 논리 소자를 상호 직렬 연결된 한 쌍으로 제공하는 단계를 더 포함하고, 상기 2개의 반도체 소자들 중 n형 반도체층 위에 p형 반도체층이 적층된 반도체 소자에만 전압을 인가하고,상기 2개의 반도체 소자들에 모두 상기 일측의 자기장 제어 소자에서 상기 타측의 자기장 제어 소자의 방향의 자기장을 인가하는 경우의 상기 가변형 논리 소자의 전류의 양은 상기 2개의 반도체 소자들 중 하나 이상의 반도체 소자에 상기 타측의 자기장 제어 소자에서 상기 일측의 자기장 제어 소자 방향의 자기장을 인가하는 경우의 상기 가변형 논리 소자의 전류의 양보다 작은 가변형 논리 소자의 제어 방법
27 27
제24항에 있어서,상기 한 쌍의 자기장 제어 소자들을 제공하는 단계는,고정된 자화 방향을 가지는 제1 자성층을 제공하는 단계,상기 제1 자성층 위에 비자성층을 제공하는 단계, 및상기 비자성층 위에 반전 가능한 자화 방향을 가지는 제2 자성층을 제공하는 단계를 포함하고,상기 제1 자성층, 상기 비자성층 및 상기 제2 자성층을 차례로 관통하는 전류의 주입 방향을 반전시키는 가변형 논리 소자의 제어 방법
지정국 정보가 없습니다
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1 US2014167814 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9331266 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.