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제1 인터디지테이티드(interdigitated) 전극; 제2 인터디지테이티드 전극; 및 상기 제1 인터디지테이티드 전극 및 상기 제2 인터디지테이티드 전극 각각과 접촉하는 광전도층을 포함하되, 상기 광전도층에 입사된 입사광에 의해, 상기 제1 인터디지테이티드 전극과 상기 광전도층의 계면 및 상기 제2 인터디지테이티드 전극과 상기 광전도층의 계면에 표면 플라즈몬 플라리톤이 여기되도록 구성되고,상기 제1 인터디지테이티드 전극은 상기 광전도층의 제1 면과 접촉하며, 상기 제2 인터디지테이티드 전극은 상기 광전도층에서 상기 제1 면과 상이한 제2 면과 접촉하는 것을 특징으로 하는 광 감지 센서
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제 1항에 있어서, 상기 제1 인터디지테이티드 전극, 상기 제2 인터디지테이티드 전극 및 상기 광전도층을 지지하는 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 감지 센서
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제 4항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 또는 유리로 이루어진 것을 특징으로 하는 광 감지 센서
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제 4항에 있어서, 상기 기판과 상기 제1 인터디지테이티드 전극 사이, 및 상기 기판과 상기 제2 인터디지테이티드 전극 사이에 위치하는 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 감지 센서
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제 1항에 있어서, 상기 광전도층상에 위치하는 패시베이션층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 감지 센서
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제 1항에 있어서, 상기 광전도층의 두께는 100 nm 이상 1 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 광 감지 센서
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제 1항에 있어서, 상기 제1 인터디지테이티드 전극 및 상기 제2 인터디지테이티드 전극 각각은, 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 알루미늄(Al) 및 구리(Cu)로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 어느 하나 또는 이들의 2 이상의 조합으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광 감지 센서
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제 1항에 있어서, 상기 광전도층은 황화납(PbS) 또는 셀레늄화납(PbSe)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광 감지 센서
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제 1항에 있어서, 상기 제1 인터디지테이티드 전극 및 상기 제2 인터디지테이티드 전극 각각은 복수 개의 빗살 형태의 전극을 포함하며, 상기 복수 개의 빗살 형태의 전극의 배열 주기는 0
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제 1항에 있어서상기 제1 인터디지테이티드 전극 및 상기 제2 인터디지테이티드 전극 각각은 복수 개의 빗살 형태의 전극을 포함하며, 상기 복수 개의 빗살 형태의 전극 각각의 폭은 100 nm 이상 1 ㎛ 미만인 것을 특징으로 하는 광 감지 센서
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제 1항에 있어서, 상기 제1 인터디지테이티드 전극 및 상기 제2 인터디지테이티드 전극에 전기적으로 연결되어, 상기 광전도층을 통한 전기 저항을 측정하는 전기 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 감지 센서
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제1 인터디지테이티드 전극 및 제2 인터디지테이티드 전극 각각과 접촉하는 광전도층에 입사광을 입사시키는 단계; 상기 입사광이 표면 플라즈몬 공명 조건을 만족시키는 경우, 상기 제1 인터디지테이티드 전극과 상기 광전도층의 계면 및 상기 제2 인터디지테이티드 전극과 상기 광전도층의 계면에 표면 플라즈몬 폴라리톤을 여기시키는 단계; 및 상기 광전도층에 의한 상기 입사광의 광흡수를 측정하는 단계를 포함하되,상기 제1 인터디지테이티드 전극은 상기 광전도층의 제1 면과 접촉하며, 상기 제2 인터디지테이티드 전극은 상기 광전도층에서 상기 제1 면과 상이한 제2 면과 접촉하는 것을 특징으로 하는 센싱 방법
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제 14항에 있어서,상기 광전도층에 의한 상기 입사광의 광흡수를 측정하는 단계는, 상기 광전도층을 통한 전기 저항을 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 센싱 방법
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제 14항에 있어서,상기 제1 인터디지테이티드 전극 및 상기 제2 인터디지테이티드 전극의 형상, 상기 제1 인터디지테이티드 전극 및 상기 제2 인터디지테이티드 전극의 구성 물질, 및 상기 광전도층의 두께 중 하나 이상을 조절함으로써 상기 광전도층의 광흡수 피크가 나타나는 파장 대역을 제어하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 센싱 방법
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제 16항에 있어서,상기 광전도층의 광흡수 피크가 나타나는 파장 대역은 3 ㎛ 이상 5 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 센싱 방법
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