맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

표면 플라즈몬 공명을 이용한 광 검출기, 및 이를 갖는 이미지 센서

  • 기술번호 : KST2015122493
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 측면에 따른 광 검출기는 전기 전도 가능한 기판과, 상기 기판 상에 형성된 제1 전극과, 상기 제1 전극에서 이격 배치된 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하며 표면 플라즈몬 공명을 갖는 플라즈모닉 나노 구조물을 포함한다.
Int. CL H01L 27/146 (2006.01) H01L 31/02 (2006.01)
CPC H01L 31/102(2013.01) H01L 31/102(2013.01) H01L 31/102(2013.01)
출원번호/일자 1020130098713 (2013.08.20)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1529660-0000 (2015.06.11)
공개번호/일자 10-2015-0021620 (2015.03.03) 문서열기
공고번호/일자 (20150622) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.08.20)
심사청구항수 10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이승용 대한민국 경기 과천시 가일
2 송진동 대한민국 서울특별시 성북구
3 조소혜 대한민국 서울 성북구
4 박진옥 대한민국 충북 옥천군
5 박종구 대한민국 경기 남양주시 천마산로 **-*

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-0755837-36
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.07.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.08.08 수리 (Accepted) 9-1-2014-0064273-65
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0744298-50
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.12.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1274556-76
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-1274555-20
8 등록결정서
Decision to grant		 2015.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0331090-20
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전기 전도 가능한 기판;상기 기판 상에 형성된 제1 전극;상기 제1 전극에서 이격 배치된 제2 전극; 및상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하며 표면 플라즈몬 공명을 갖는 플라즈모닉 나노 구조물;을 포함하고,상기 플라즈모닉 나노 구조물과 상기 기판 사이에는 절연 박막이 형성된 광 검출기
2 2
제1 항에 있어서,상기 플라즈모닉 나노 구조물은 빛이 입사할 때 표면 플라즈몬 공명을 일으키고, 표면 플라즈몬 공명에 따라 상기 기판의 전기 전도도가 변화되는 광 검출기
3 3
제1 항에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 연결된 저항 측정기 또는 전기전도도 측정기를 더 포함하는 광 검출기
4 4
제2 항에 있어서,상기 광 검출기는 상기 플라즈모닉 나노 구조물로 입사되는 광에 의하여 전류의 흐름을 제어하는 전계 효과 트랜지스터인 광 검출기
5 5
제2 항에 있어서,상기 제1 전극 및 제2 전극과 인접하는 부분에는 상기 기판을 이루는 도핑 물질과 상이한 물질로 도핑된 이종 도핑영역이 형성된 광 검출기
6 6
삭제
7 7
제2항에 있어서,상기 기판은 전도성 금속 산화물로 이루어진 광 검출기
8 8
제2 항에 있어서,상기 기판은 실리콘 온 인슐레이터(SOI; silicon on insulator)로 이루어진 광 검출기
9 9
제1 항에 있어서,상기 플라즈모닉 나노 구조물은 육면체형, 원기둥형, 막대형, 링형 구조 중 어느 하나의 구조로 이루어져 있는 광 검출기
10 10
제1 항에 있어서,상기 플라즈모닉 나노 구조물은 육면체형, 원기둥형, 막대형, 링형 구조 중 복수개로 이루어져 있는 광 검출기
11 11
제1항의 광 검출기를 복수개 포함하는 이미지 센서
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09240511 US 미국 FAMILY
2 US20150053980 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2015053980 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9240511 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.