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반도체 소자용 박스형 구조재용 Si-Al 합금의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015123145
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 Si 분말에 Al-Si 합금 분말을 첨가한 후 가압 성형하거나, Si 분말 또는 Si 분말의 예비 성형체에 Al-Si 합금 용탕을 가압 충진시키는 것으로 이루어지는 박스형 구조재용 Si-Al 합금의 제조방법을 제공한다. 박스형 구조재용 Si-Al 합금, 분무 성형법, 가압 성형법
Int. CL H01L 23/29 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020010067891 (2001.11.01)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0453518-0000 (2004.10.08)
공개번호/일자 10-2003-0035639 (2003.05.09) 문서열기
공고번호/일자 (20041020) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.11.01)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 석현광 대한민국 서울특별시노원구
2 이재철 대한민국 서울특별시도봉구
3 이호인 대한민국 서울특별시동작구
4 윤진국 대한민국 서울특별시노원구
5 변지영 대한민국 서울특별시용산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2001.11.01 수리 (Accepted) 1-1-2001-0284012-57
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2003.08.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2003.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2003-0039953-37
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2003.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0475649-60
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2004.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2004-0034929-61
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2004.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2004-0084854-41
8 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2004.03.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0127300-12
9 의견서
Written Opinion
2004.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2004-0127305-40
10 등록결정서
Decision to grant
2004.09.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0400567-13
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

Si의 총 함량이 40-90 중량%가 되도록 혼합 비율(X)과 조성(y)을 조절하여 Si 분말 X 중량%와 Al-ySi 합금 분말 (100-X) 중량%를 혼합하고, 혼합된 분말을 소정 형상의 주형에 충진시키고, 충진된 분말을 가압하에서 성형하는 단계를 포함하는 반도체 소자용 박스형 구조재용 Si-Al 합금의 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 Si 분말과 Al-Si 합금의 혼합물을 가열하거나 전류를 가하면서 가압 성형시키는 것이 특징인 제조방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 Si 분말과 Al-Si 합금 분말의 입자 크기는 5-500㎛ 범위인 것이 특징인 제조방법

4 4

제 1 항에 있어서, 가압 성형용 피스톤과 기판 형상을 조절하여 3차원 형상을 갖는 Si-Al 박스형 구조재를 직접 제조하는 것이 특징인 제조방법

5 5

제 1 항에 있어서, 상기 Al-Si 합금 분말은 5 중량% 이하의 Cu, Mg, Zn 및 Fe의 미량 원소를 포함하는 것이 특징인 제조방법

6 6

Si의 총 함량이 40-90 중량%가 되도록 혼합 비율(X)과 조성(y)을 조절하여 Si 분말 X 중량%와 Al-ySi 합금 용탕 (100-X) 중량%를 준비하고, 소정 형상의 주형내에서 상기 Si 분말에 상기 Al-Si 합금 용탕(melted alloy)을 가압하에서 직접 충진시키는 단계를 포함하는 반도체 소자용 박스형 구조재용 Si-Al 합금의 제조방법

7 7

제 6 항에 있어서, 상기 Si 분말은, 전류를 가하며 1-50MPa로 가압함에 의해 예비 성형체로 형성된 것인 제조방법

8 8

제 7 항에 있어서, 상기 예비 성형체는 Si 분말을 진공 또는 산소/질소/아르곤 등의 기체 분위기하에서 소결시켜 생성된 것이 특징인 제조방법

9 9

제 6 항 또는 7 항에 있어서, Si 분말 또는 예비 성형체를 150-500℃의 온도로 가열시켜 용탕의 침투를 용이하게 하는 것이 특징인 제조방법

10 10

제 6 항 또는 7 항에 있어서, Si 분말 또는 예비 성형체로 용탕의 침투를 용이하게 하기 위해 가압 충진시 압력을 1기압 이하로 하는 것이 특징인 제조방법

11 11

제 6 항에 있어서, 가압 성형용 피스톤과 기판 형상을 조절하여 3차원 형상을 갖는 Si-Al 박스형 구조재를 직접 제조하는 것이 특징인 제조방법

12 12

제 6 항에 있어서, 상기 Al-Si 합금 용탕은 5 중량% 이하의 Cu, Mg, Zn 및 Fe의 미량 원소를 포함하는 것이 특징인 제조방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US06759269 US 미국 FAMILY
2 US20030129786 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2003129786 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US6759269 US 미국 DOCDBFAMILY
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