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EMI 차폐용 2차원 금속 탄화물, 질화물 및 탄질화물 필름 및 복합체

  • 기술번호 : KST2019000099
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 개시는 전자기 차폐를 제공하는 재료 및 그러한 전자기 차폐를 제공하는 방법에 관한 것이다. 특히, 본 개시는 이러한 목적으로 2차원 전이금속 탄화물, 질화물 및 탄질화물 재료의 사용을 기술한다.
Int. CL H05K 9/00 (2018.01.01) H01L 23/29 (2006.01.01) H01L 23/552 (2006.01.01)
CPC H05K 9/0084(2013.01) H05K 9/0084(2013.01) H05K 9/0084(2013.01) H05K 9/0084(2013.01)
출원번호/일자 1020187033777 (2017.04.21)
출원인 한국과학기술연구원, 드렉셀유니버시티
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0016019 (2019.02.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자 PCT/US2017/028800 (2017.04.21)
국제공개번호/일자 WO2017184957 (2017.10.26)
우선권정보 미국  |   62/326,074   |   2016.04.22
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국제출원
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020207024081;
심사청구여부/일자 Y (2018.11.21)
심사청구항수 31

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
2 드렉셀유니버시티 미국 미국 펜실베니아주 ***** 필라델피아 체스트넛 스트리트 *

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고고치 유리 미국 펜실베니아 ***
2 아나소리 바박 미국 펜실베니아 ***
3 알하베브 모하메드 에이치 미국 펜실베니아 ***** 필라
4 해터 크리스틴 비 미국 뉴져지 ****
5 구종민 서울특별시 성북구
6 홍순만 서울특별시 성북구
7 샤자드 파이잘 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허법 제203조에 따른 서면
[Patent Application] Document according to the Article 203 of Patent Act		 2018.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2018-1162625-28
2 보정요구서
Request for Amendment		 2018.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0185942-39
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2019.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2019-0037880-66
4 수리안내서
Notice of Acceptance		 2019.01.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0009447-02
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0609153-44
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2019.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2019-1084760-11
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2019.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2019-1213433-89
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.12.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1330739-11
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2019-1330737-19
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2020.04.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0248234-45
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2020-0464555-50
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2020.05.07 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2020-0464556-06
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0345208-66
14 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
 2020.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2020-0754264-48
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2020-0876977-11
16 [분할출원(국제출원)]특허출원서
[Divisional Application(International Application)] Patent Application		 2020.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2020-0877138-00
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번호 청구항
1 1
물체의 적어도 일 표면을 전기 전도성 표면을 갖는 2차원 전이금속 탄화물 조성을 포함하는 접촉 또는 비접촉 코팅과 중첩시키는 단계를 포함하는, 전자기적 간섭으로부터의 물체의 차폐 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 2차원 전이금속 탄화물은 제1 및 제2 표면을 갖는 적어도 하나의 층을 포함하는 조성을 포함하고, 각 층은,실질적으로 2차원 어레이의 결정 셀을 포함하고,각 결정 셀은 Mn+1Xn의 실험식을 가지고, 각 X가 M의 8면체 어레이 내에 위치하도록 하고,여기서, M은 적어도 하나의 IIIB족, IVB족, VB족 또는 VIB족 금속이고,각 X는 C, N 또는 이들의 조합이고;n = 1, 2 또는 3 인 물체의 차폐 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 2차원 전이금속 탄화물은 복수의 적층된 층을 포함하는 물체의 차폐 방법
4 4
제2항에 있어서,상기 각 층의 표면 중 적어도 하나가 알콕사이드, 카르복실레이트, 할라이드, 하이드록사이드, 하이드라이드, 옥사이드, 서브-옥사이드, 나이트라이드, 서브-나이트라이드, 설파이드, 티올, 또는 이들의 조합을 포함하는 표면 작용기를 가지는 물체의 차폐 방법
5 5
제2항에 있어서,상기 각 층의 표면 중 적어도 하나가 알콕사이드, 플루오라이드, 하이드록사이드, 옥사이드, 서브-옥사이드, 또는 이들의 조합을 포함하는 표면 작용기를 가지는 물체의 차폐 방법
6 6
제2항에 있어서,상기 각 층의 양 표면이 알콕사이드, 플루오라이드, 하이드록사이드, 옥사이드, 서브-옥사이드, 또는 이들의 조합을 포함하는 표면 작용기를 가지는 물체의 차폐 방법
7 7
제2항에 있어서,M이 적어도 하나의 IVB족, VB족 또는 VIB족 금속, 바람직하게는 Ti, Nb, V 또는 Ta인 물체의 차폐 방법
8 8
제2항에 있어서,M이 Ti이고, n은 1 또는 2인 물체의 차폐 방법
9 9
제1항에 있어서,상기 2차원 전이금속 탄화물은 제1 및 제2 표면을 갖는 적어도 하나의 층을 포함하는 조성을 포함하고, 각 층은,실질적으로 2차원 어레이의 결정 셀을 포함하며,각 결정 셀은 M'2M"nXn+1의 실험식을 가지고, 각 X가 M' 및 M"의 8면체 어레이 내에 위치하도록 하고, 여기서 M"n가 한 쌍의 2차원 어레이의 M' 원자들 사이에 삽입된(샌드위치된) 개별적인 2차원 어레이의 원자로서 존재하며, 여기서, M' 및 M"은 상이한 IIIB족, IVB족, VB족 또는 VIB족 금속이고 (특히, M' 및 M"이 Ti, V, Nb, Ta, Cr, Mo 또는 이들의 조합이고),각 X는 C, N 또는 이들의 조합이고; n = 1 또는 2 인 물체의 차폐 방법
10 10
제9항에 있어서,n은 1이고, M'는 Mo이고, M"는 Nb, Ta, Ti, 또는 V, 또는 이들의 조합인 물체의 차폐 방법
11 11
제9항에 있어서,n은 2이고, M'는 Mo, Ti, V 또는 이들의 조합이고, M"는 Cr, Nb, Ta, Ti, 또는 V, 또는 이들의 조합인 물체의 차폐 방법
12 12
제9항에 있어서,M'2M"nXn+1은 Mo2TiC2, Mo2VC2, Mo2TaC2, Mo2NbC2, Mo2Ti2C3, Cr2TiC2, Cr2VC2, Cr2TaC2, Cr2NbC2, Ti2NbC2, Ti2TaC2, V2TaC2, 또는 V2TiC2, 또는 이들의 질화물 또는 탄질화물 유사체를 포함하는 물체의 차폐 방법
13 13
제9항에 있어서,M'2M"nXn+1은 Mo2TiC2, Mo2VC2, Mo2TaC2, 또는 Mo2NbC2, 또는 이들의 질화물 또는 탄질화물 유사체를 포함하는 물체의 차폐 방법
14 14
제9항에 있어서,M'2M"nXn+1은 Mo2Ti2C3, Mo2V2C3, Mo2Nb2C3, Mo2Ta2C3, Cr2Ti2C3, Cr2V2C3, Cr2Nb2C3, Cr2Ta2C3, Nb2Ta2C3, Ti2Nb2C3, Ti2Ta2C3, V2Ta2C3, V2Nb2C3, 또는 V2Ti2C3, 또는 이들의 질화물 또는 탄질화물 유사체를 포함하는 물체의 차폐 방법
15 15
제9항에 있어서,M'2M"nXn+1은 Mo2Ti2C3, Mo2V2C3, Mo2Nb2C3, Mo2Ta2C3, Ti2Nb2C3, Ti2Ta2C3, 또는 V2Ta2C3, 또는 이들의 질화물 또는 탄질화물 유사체를 포함하는 물체의 차폐 방법
16 16
제9항에 있어서,상기 2차원 전이금속 탄화물은 복수의 적층된 층을 포함하는 물체의 차폐 방법
17 17
제9항에 있어서,상기 각 층의 표면 중 적어도 하나가 알콕사이드, 카르복실레이트, 할라이드, 하이드록사이드, 하이드라이드, 옥사이드, 서브-옥사이드, 나이트라이드, 서브-나이트라이드, 설파이드, 티올 또는 이들의 조합을 포함하는 표면 작용기를 가지는 물체의 차폐 방법
18 18
제9항에 있어서,상기 각 층의 표면 중 적어도 하나가 알콕사이드, 플루오라이드, 하이드록사이드, 옥사이드, 서브-옥사이드, 또는 이들의 조합을 포함하는 표면 작용기를 가지는 물체의 차폐 방법
19 19
제9항에 있어서,상기 각 층의 양 표면이 알콕사이드, 플루오라이드, 하이드록사이드, 옥사이드, 서브-옥사이드, 또는 이들의 조합을 포함하는 표면 작용기를 가지는 물체의 차폐 방법
20 20
제1항에 있어서,상기 코팅이 유기 고분자를 포함하는 고분자 복합체를 포함하는 물체의 차폐 방법
21 21
제21항에 있어서,성가 유기 고분자가 아릴 또는 헤테로아릴 잔기 및/또는 하나 이상의, 바람직하게는 복수의 산소 함유 관능기, 아민 함유 관능기 및/또는 티올 함유 관능기를 함유하는 물체의 차폐 방법
22 22
제21항에 있어서,상기 유기 고분자가 다당류 중합체, 바람직하게는 알긴산염 또는 개질된 중합체를 포함하는 물체의 차폐 방법
23 23
제20항에 있어서,상기 실질적으로 2차원 어레이의 결정 셀은 평면을 한정하고, 상기 평면은 상기 고분자 복합체의 평면과 실질적으로 정렬된 것인 물체의 차폐 방법
24 24
제1항에 있어서,상기 코팅은, 상기 2차원 전이금속 탄화물로 매립되거나 코팅된 유리를 포함하는 무기 복합체를 포함하는 것인 물체의 차폐 방법
25 25
제1항에 있어서,상기 2차원 전이금속 탄화물 조성을 포함하는 코팅이 전기 전도성 또는 반전도성 표면, 바람직하게는 적어도 250 S/cm, 2500 S/cm 또는 4500 S/cm (내지 약 8000 S/cm까지)의 표면 전도성을 갖는 것인 물체의 차폐 방법
26 26
제1항에 있어서,상기 코팅이 약 2 내지 3 마이크론, 3 내지 4 마이크론, 4 내지 5 마이크론, 5 내지 6 마이크론, 6 내지 8 마이크론, 8 내지 10 마이크론, 10 내지 12 마이크론, 또는 이들 범위 중 임의의 2 이상을 조합한 범위의 두께를 갖는 것인 물체의 차폐 방법
27 27
제1항에 있어서,상기 코팅이, 8 내지 13 ㎓의 주파수 범위에서, 10 내지 15 dB, 15 내지 20 dB, 20 내지 25 dB, 25 내지 30 dB, 30 내지 35 dB, 35 내지 40 dB, 40 내지 45 dB, 45 내지 50 dB, 50 내지 55 dB, 55 내지 60 dB, 60 내지 65 dB, 65 내지 70 dB, 70 내지 75 dB, 75 내지 80 dB, 80 내지 85 dB, 85 내지 90 dB, 90 내지 95 dB, 또는 이들 범위 중 임의의 2 이상을 조합한 범위의 EMI 차폐를 나타내는 것인 물체의 차폐 방법
28 28
하나 이상의 2차원 전이금속 탄화물 및 산소 함유 작용기 (예를 들어, -OH 및/또는 -COOH) 및/또는 아민 함유 작용기 및/또는 티올을 포함하는 하나 이상의 고분자 및 공중합체를 포함하고, 여기서 상기 산소 함유 작용기 (-OH, -COO, 및 =O) 및/또는 아민 함유 작용기 및/또는 티올이 상기 2차원 전이금속 탄화물 재료의 표면 작용기와 결합되어 있거나 결합할 수 있고, 상기 고분자/공중합체 및 맥신 재료가 2:98 내지 5:95, 5:95 내지 10:90, 10:90 내지 20:80, 20:80 내지 30:70, 30:70 내지 40:60, 40:60 내지 50:50, 50:50 내지 60:40, 60:40 내지 70:30, 70:30 내지 80:20, 80:20 내지 90:10, 90:10 내지 95:5, 95:5 내지 98:2, 또는 이들 범위 중 2 이상을 조합한 범위의 중량비 범위로 존재하는, 결합된 복합 조성 코팅
29 29
제28항에 있어서,전기 전도성 또는 반도전성 표면을 나타내며, 바람직하게는 적어도 250 S/cm, 2500 S/cm, 4500 S/cm 또는 4500 S/cm 내지 약 8000 S/cm의 표면 전도도를 갖는 결합된 복합 조성 코팅
30 30
제28항에 있어서,약 2 내지 3 마이크론, 3 내지 4 마이크론, 4 내지 5 마이크론, 5 내지 6 마이크론, 6 내지 8 마이크론, 8 내지 10 마이크론, 10 내지 12 마이크론, 또는 이들 범위 중 2 이상을 조합한 범위의 두께를 가지는, 결합된 복합 조성 코팅
31 31
제28항에 있어서,8 내지 13 ㎓의 주파수 범위에서, 10 내지 15 dB, 15 내지 20 dB, 20 내지 25 dB, 25 내지 30 dB, 30 내지 35 dB, 35 내지 40 dB, 40 내지 45 dB, 45 내지 50 dB, 50 내지 55 dB, 55 내지 60 dB, 60 내지 65 dB, 65 내지 70 dB, 70 내지 75 dB, 75 내지 80 dB, 80 내지 85 dB, 85 내지 90 dB, 90 내지 95 dB, 또는 이들 범위 중 임의의 2 이상을 조합한 범위의 EMI 차폐를 나타내는, 결합된 복합 조성 코팅
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN109417863 CN 중국 FAMILY
2 KR1020200102535 KR 대한민국 FAMILY
3 US20190166733 US 미국 FAMILY
4 WO2017184957 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN109417863 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 US2019166733 US 미국 DOCDBFAMILY
3 WO2017184957 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.