맞춤기술찾기

이전대상기술

EMI 차폐용 2차원 금속 탄화물, 질화물 및 탄질화물 필름 및 복합체

  • 기술번호 : KST2020011561
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 개시는 전자기 차폐를 제공하는 재료 및 그러한 전자기 차폐를 제공하는 방법에 관한 것이다. 특히, 본 개시는 이러한 목적으로 2차원 전이금속 탄화물, 질화물 및 탄질화물 재료의 사용을 기술한다.
Int. CL H05K 9/00 (2018.01.01) H01L 23/29 (2006.01.01) H01L 23/552 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020207024081 (2017.04.21)
출원인 한국과학기술연구원, 드렉셀유니버시티
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0102535 (2020.08.31) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자 PCT/US2017/028800 (2017.04.21)
국제공개번호/일자 WO2017184957 (2017.10.26)
우선권정보 미국  |   62/326,074   |   2016.04.22
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국제출원
원출원번호/일자 10-2018-7033777 (2017.04.21)
관련 출원번호 1020187033777
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 31

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
2 드렉셀유니버시티 미국 미국 펜실베니아주 ***** 필라델피아 체스트넛 스트리트 *

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고고치 유리 미국 펜실베니아 ***
2 아나소리 바박 미국 펜실베니아 ***
3 알하베브 모하메드 에이치 미국 펜실베니아 ***** 필라
4 해터 크리스틴 비 미국 뉴져지 ****
5 구종민 서울특별시 성북구
6 홍순만 서울특별시 성북구
7 샤자드 파이잘 서울특별시 성북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원(국제출원)]특허출원서
[Divisional Application(International Application)] Patent Application
2020.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2020-0877138-00
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
물체의 적어도 일 표면을 전기 전도성 표면을 갖는 2차원 전이금속 탄화물 조성을 포함하는 접촉 또는 비접촉 코팅과 중첩시키는 단계를 포함하고,상기 코팅이 유기 고분자를 포함하는 고분자 복합체를 포함하고, 상기 유기 고분자가 알긴산염 또는 이의 개질된 중합체를 포함하는, 전자기적 간섭으로부터의 물체의 차폐 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 2차원 전이금속 탄화물은 제1 및 제2 표면을 갖는 적어도 하나의 층을 포함하는 조성을 포함하고, 각 층은,실질적으로 2차원 어레이의 결정 셀을 포함하고,각 결정 셀은 Mn+1Xn의 실험식을 가지고, 각 X가 M의 8면체 어레이 내에 위치하도록 하고,여기서, M은 적어도 하나의 IIIB족, IVB족, VB족 또는 VIB족 금속이고,각 X는 C, N 또는 이들의 조합이고;n = 1, 2 또는 3 인 물체의 차폐 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 2차원 전이금속 탄화물은 복수의 적층된 층을 포함하는 물체의 차폐 방법
4 4
제2항에 있어서,상기 각 층의 표면 중 적어도 하나가 알콕사이드, 카르복실레이트, 할라이드, 하이드록사이드, 하이드라이드, 옥사이드, 서브-옥사이드, 나이트라이드, 서브-나이트라이드, 설파이드, 티올, 또는 이들의 조합을 포함하는 표면 작용기를 가지는 물체의 차폐 방법
5 5
제2항에 있어서,상기 각 층의 표면 중 적어도 하나가 알콕사이드, 플루오라이드, 하이드록사이드, 옥사이드, 서브-옥사이드, 또는 이들의 조합을 포함하는 표면 작용기를 가지는 물체의 차폐 방법
6 6
제2항에 있어서,상기 각 층의 양 표면이 알콕사이드, 플루오라이드, 하이드록사이드, 옥사이드, 서브-옥사이드, 또는 이들의 조합을 포함하는 표면 작용기를 가지는 물체의 차폐 방법
7 7
제2항에 있어서,M이 적어도 하나의 Ti, Nb, V 또는 Ta인 물체의 차폐 방법
8 8
제2항에 있어서,M이 Ti이고, n은 1 또는 2인 물체의 차폐 방법
9 9
제1항에 있어서,상기 2차원 전이금속 탄화물은 제1 및 제2 표면을 갖는 적어도 하나의 층을 포함하는 조성을 포함하고, 각 층은,실질적으로 2차원 어레이의 결정 셀을 포함하며,각 결정 셀은 M'2M"nXn+1의 실험식을 가지고, 각 X가 M' 및 M"의 8면체 어레이 내에 위치하도록 하고, 여기서 M"n가 한 쌍의 2차원 어레이의 M' 원자들 사이에 삽입된(샌드위치된) 개별적인 2차원 어레이의 원자로서 존재하며, 여기서, M' 및 M"은 상이한 IIIB족, IVB족, VB족 또는 VIB족 금속이고,각 X는 C, N 또는 이들의 조합이고; n = 1 또는 2 인 물체의 차폐 방법
10 10
제9항에 있어서,n은 1이고, M'는 Mo이고, M"는 Nb, Ta, Ti, 또는 V, 또는 이들의 조합인 물체의 차폐 방법
11 11
제9항에 있어서,n은 2이고, M'는 Mo, Ti, V 또는 이들의 조합이고, M"는 Cr, Nb, Ta, Ti, 또는 V, 또는 이들의 조합인 물체의 차폐 방법
12 12
제9항에 있어서,M'2M"nXn+1은 Mo2TiC2, Mo2VC2, Mo2TaC2, Mo2NbC2, Mo2Ti2C3, Cr2TiC2, Cr2VC2, Cr2TaC2, Cr2NbC2, Ti2NbC2, Ti2TaC2, V2TaC2, 또는 V2TiC2, 또는 이들의 질화물 또는 탄질화물 유사체를 포함하는 물체의 차폐 방법
13 13
제9항에 있어서,M'2M"nXn+1은 Mo2TiC2, Mo2VC2, Mo2TaC2, 또는 Mo2NbC2, 또는 이들의 질화물 또는 탄질화물 유사체를 포함하는 물체의 차폐 방법
14 14
제9항에 있어서,M'2M"nXn+1은 Mo2Ti2C3, Mo2V2C3, Mo2Nb2C3, Mo2Ta2C3, Cr2Ti2C3, Cr2V2C3, Cr2Nb2C3, Cr2Ta2C3, Nb2Ta2C3, Ti2Nb2C3, Ti2Ta2C3, V2Ta2C3, V2Nb2C3, 또는 V2Ti2C3, 또는 이들의 질화물 또는 탄질화물 유사체를 포함하는 물체의 차폐 방법
15 15
제9항에 있어서,M'2M"nXn+1은 Mo2Ti2C3, Mo2V2C3, Mo2Nb2C3, Mo2Ta2C3, Ti2Nb2C3, Ti2Ta2C3, 또는 V2Ta2C3, 또는 이들의 질화물 또는 탄질화물 유사체를 포함하는 물체의 차폐 방법
16 16
제9항에 있어서,상기 2차원 전이금속 탄화물은 복수의 적층된 층을 포함하는 물체의 차폐 방법
17 17
제9항에 있어서,상기 각 층의 표면 중 적어도 하나가 알콕사이드, 카르복실레이트, 할라이드, 하이드록사이드, 하이드라이드, 옥사이드, 서브-옥사이드, 나이트라이드, 서브-나이트라이드, 설파이드, 티올 또는 이들의 조합을 포함하는 표면 작용기를 가지는 물체의 차폐 방법
18 18
제9항에 있어서,상기 각 층의 표면 중 적어도 하나가 알콕사이드, 플루오라이드, 하이드록사이드, 옥사이드, 서브-옥사이드, 또는 이들의 조합을 포함하는 표면 작용기를 가지는 물체의 차폐 방법
19 19
제9항에 있어서,상기 각 층의 양 표면이 알콕사이드, 플루오라이드, 하이드록사이드, 옥사이드, 서브-옥사이드, 또는 이들의 조합을 포함하는 표면 작용기를 가지는 물체의 차폐 방법
20 20
제1항에 있어서,상기 유기 고분자가 복수의 산소 함유 작용기, 아민 함유 작용기, 티올 함유 작용기 또는 이들의 조합을 함유하는 물체의 차폐 방법
21 21
제2항 또는 제9항에 있어서,상기 실질적으로 2차원 어레이의 결정 셀은 평면을 한정하고, 상기 평면은 상기 고분자 복합체의 평면과 실질적으로 정렬된 것인 물체의 차폐 방법
22 22
제1항에 있어서,상기 코팅은, 상기 2차원 전이금속 탄화물로 매립되거나 코팅된 유리를 포함하는 무기 복합체를 포함하는 것인 물체의 차폐 방법
23 23
제1항에 있어서,상기 2차원 전이금속 탄화물 조성을 포함하는 코팅이 전기 전도성 또는 반전도성 표면을 갖는 것인 물체의 차폐 방법
24 24
제1항에 있어서,상기 2차원 전이금속 탄화물 조성을 포함하는 코팅이 적어도 250 S/cm, 2500 S/cm 또는 4500 S/cm의 표면 전도성을 갖는 것인 물체의 차폐 방법
25 25
제1항에 있어서,상기 코팅이 2 내지 3 마이크론, 3 내지 4 마이크론, 4 내지 5 마이크론, 5 내지 6 마이크론, 6 내지 8 마이크론, 8 내지 10 마이크론, 10 내지 12 마이크론, 또는 이들 범위 중 2 이상을 조합한 범위의 두께를 갖는 것인 물체의 차폐 방법
26 26
제1항에 있어서,상기 코팅이, 8 내지 13 ㎓의 주파수 범위에서, 10 내지 15 dB, 15 내지 20 dB, 20 내지 25 dB, 25 내지 30 dB, 30 내지 35 dB, 35 내지 40 dB, 40 내지 45 dB, 45 내지 50 dB, 50 내지 55 dB, 55 내지 60 dB, 60 내지 65 dB, 65 내지 70 dB, 70 내지 75 dB, 75 내지 80 dB, 80 내지 85 dB, 85 내지 90 dB, 90 내지 95 dB, 또는 이들 범위 중 2 이상을 조합한 범위의 EMI 차폐를 나타내는 것인 물체의 차폐 방법
27 27
하나 이상의 2차원 전이금속 탄화물 및 산소 함유 작용기, 아민 함유 작용기, 티올 함유 작용기 또는 이들의 조합을 포함하는 하나 이상의 고분자 및 공중합체를 포함하고, 여기서 상기 산소 함유 작용기, 아민 함유 작용기, 티올 함유 작용기 또는 이들의 조합이 상기 2차원 전이금속 탄화물의 표면 작용기와 결합되어 있고, 상기 고분자 및 공중합체 및 상기 2차원 전이금속 탄화물이 2:98 내지 5:95, 5:95 내지 10:90, 10:90 내지 20:80, 20:80 내지 30:70, 30:70 내지 40:60, 40:60 내지 50:50, 50:50 내지 60:40, 60:40 내지 70:30, 70:30 내지 80:20, 80:20 내지 90:10, 90:10 내지 95:5, 95:5 내지 98:2, 또는 이들 범위 중 2 이상을 조합한 범위의 중량비 범위로 존재하고,상기 고분자 및 공중합체가 알긴산염 또는 이의 개질된 중합체를 포함하는, 결합된 복합 조성 코팅
28 28
제27항에 있어서,상기 결합된 복합 조성 코팅이 전기 전도성 또는 반도전성 표면을 나타내는 결합된 복합 조성 코팅
29 29
제27항에 있어서,상기 결합된 복합 조성 코팅이 적어도 250 S/cm, 2500 S/cm, 4500 S/cm 또는 4500 S/cm 내지 8000 S/cm의 표면 전도도를 갖는 결합된 복합 조성 코팅
30 30
제27항에 있어서,상기 결합된 복합 조성 코팅이 2 내지 3 마이크론, 3 내지 4 마이크론, 4 내지 5 마이크론, 5 내지 6 마이크론, 6 내지 8 마이크론, 8 내지 10 마이크론, 10 내지 12 마이크론, 또는 이들 범위 중 2 이상을 조합한 범위의 두께를 가지는, 결합된 복합 조성 코팅
31 31
제27항에 있어서,상기 결합된 복합 조성 코팅이 8 내지 13 ㎓의 주파수 범위에서, 10 내지 15 dB, 15 내지 20 dB, 20 내지 25 dB, 25 내지 30 dB, 30 내지 35 dB, 35 내지 40 dB, 40 내지 45 dB, 45 내지 50 dB, 50 내지 55 dB, 55 내지 60 dB, 60 내지 65 dB, 65 내지 70 dB, 70 내지 75 dB, 75 내지 80 dB, 80 내지 85 dB, 85 내지 90 dB, 90 내지 95 dB, 또는 이들 범위 중 2 이상을 조합한 범위의 EMI 차폐를 나타내는, 결합된 복합 조성 코팅
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN109417863 CN 중국 FAMILY
2 KR1020190016019 KR 대한민국 FAMILY
3 US20190166733 US 미국 FAMILY
4 WO2017184957 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN109417863 CN 중국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.