| 1 |
1
시효 방지용 실리콘 함유 다이아몬드상 카본 박막으로서, (i) 상기 박막 표면에 존재하는 실리콘 원자, 및 (ii) 상기 박막 표면에 친수성을 부여하는 산소 원자 간의 Si-(O) 화학 결합을 함유하고, 상기 실리콘 원자는 상기 박막에의 산소 이온빔 처리에 의하여 형성되는 클러스터에 포함되어 상기 박막의 내부 및 표면에 존재하며, 그로써 상기 박막 표면의 거칠기가 10 내지 20 nm이고, 상기 박막 표면의 접촉각이 0°보다 크고 50°이하이며, 상기 박막 표면상 실리콘 함량은 17 내지 20 at
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 박막 표면의 Si-O 결합은 30 내지 60％인 것인 실리콘 함유 다이아몬드상 카본 박막
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
제1항에 있어서, 표면의 접촉각이 0°보다 크고 20°이하인 것인 실리콘 함유 다이아몬드상 카본 박막
|
| 9 |
9
제1항에 따른 실리콘 함유 다이아몬드상 카본 박막을 포함하는 의료용 재료
|
| 10 |
10
제9항에 있어서, 혈관 스텐트, 심장 밸브, 심장 펌프, 인공 혈관, 혈액 응고 억제용 병리 실험실 기재 또는 혈액 보관기인 것인 의료용 재료
|
| 11 |
11
제9항에 있어서, 세포 또는 생체의 장기를 성장시키기 위한 것인 의료용 재료
|
| 12 |
12
시효 방지용 실리콘 함유 다이아몬드상 카본 박막의 제조 방법으로서, (a) 기판의 표면에, 내부 및 표면에 실리콘을 함유하는 다이아몬드상 카본 박막을 형성시키는 단계, 및(b) 산소 이온빔 처리에 의하여 상기 박막의 표면을 활성화하여, 상기 박막의 내부 및 표면에 클러스터를 형성시키고 Si-(O) 화학 결합을 생성시키는 단계로서, 상기 Si-(O) 화학 결합은 (i) 상기 클러스터에 함유되어 있으면서 동시에 상기 박막의 표면에 존재하는 실리콘 원자와, (ii) 상기 박막의 표면에 친수성을 부여하는 산소 원자 간에 이루어지는 것인 단계를 포함하고, 상기 단계 (a)에서 형성되는 실리콘 함유 다이아몬드상 카본 박막의 실리콘의 함량은 1
|
| 13 |
13
제12항에 있어서, 상기 단계 (a)에서는 플라즈마 CVD법, 플라즈마 합성법, 스퍼터링 합성법 및 자기여과 아크 합성법, 이온빔 합성법 중 어느 한 가지 방법을 단독으로 또는 이들 방법 중 두 가지 이상의 조합에 의하여 박막을 형성시키는 것인 방법
|
| 14 |
14
삭제
|
| 15 |
15
삭제
|
| 16 |
16
삭제
|
| 17 |
17
삭제
|
| 18 |
18
제12항에 있어서, 상기 산소 이온빔 처리 시의 압력은 1
|
| 19 |
19
제12항에 있어서, 단계 (b)에서 얻어지는 실리콘 함유 다이아몬드상 카본 박막의 표면 거칠기는 10 내지 20 nm인 것인 방법
|
| 20 |
20
삭제
|
| 21 |
21
제12항에 있어서, 단계 (b)에서 얻어지는 실리콘 함유 다이아몬드상 카본 박막 표면의 접촉각은 0°보다 크고 50°이하인 것인 방법
|
| 22 |
22
제12항에 있어서, 단계 (b)에서 얻어지는 실리콘 함유 다이아몬드상 카본 박막 표면의 접촉각은 0°보다 크고 20°이하인 것인 방법
|
| 23 |
23
제12항에 있어서, 상기 기판은 혈관 스텐트, 심장 밸브, 심장 펌프, 인공 혈관, 혈액 응고 억제용 병리 실험실 기재 또는 혈액 보관기인 것인 방법
|
| 24 |
24
제12항에 있어서, 상기 기판은 유리, 거울 또는 실리콘 기판인 것인 방법
|
| 25 |
25
제12항에 있어서, 실리콘 함유 다이아몬드상 카본 박막의 혈액 적합성을 향상시키기 위하여 상기 이온빔은 산소 이온빔이고 그로 인하여 상기 박막의 표면에 Si-O 결합이 생성되는 것인 방법
|
| 26 |
26
제12항에 있어서, 실리콘 함유 다이아몬드상 카본 박막에 친수성을 부여하기 위하여 상기 이온빔은 산소 이온빔이고 그로 인하여 상기 박막의 표면에 Si-O 결합이 생성되는 것인 방법
|
| 27 |
27
삭제
|
| 28 |
28
제12항에 있어서, 실리콘 함유 다이아몬드상 카본 박막의 친수성을 유지시키기 위하여 상기 이온빔은 산소 이온빔이고 그로 인하여 상기 박막의 표면에 Si-O 결합이 생성되는 것인 방법
|
| 29 |
29
제12항에 있어서, 단계 (b)에서 얻어지는 실리콘 함유 다이아몬드상 카본 박막의 표면 실리콘 함량은 17 내지 20 at
|
| 30 |
30
제1항에 있어서, 거울, 유리 또는 실리콘의 표면 김서림 방지용인 것인 실리콘 함유 다이아몬드상 카본 박막
|
