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단결정다이아몬드막의단계별성장방법

  • 기술번호 : KST2015123412
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Si 단결정 기판 위에 입자간 또는 입자와 기판과의 미스매치 및 표면 조도가 최소인 단결정 다이아몬드막을 합성하는 단계별 성장법을 관한 것이다. 본 발명의 방법에 따르면, 제1단계에서는 si 기판과 동일한 격자 방향을 갖는 집합 조직을 선택적으로 성장시키고, 제2단계에서는 다이몬드의 2차원 성장이 가능하도록 합성 조건을 단계별로 조절함으로써 표면 조도가 최소화된 단결정 다이아몬드 막을 합성할 수 있다.
Int. CL C30B 29/04 (2006.01) C30B 25/18 (2006.01)
CPC H01L 21/02376(2013.01) H01L 21/02376(2013.01) H01L 21/02376(2013.01) H01L 21/02376(2013.01) H01L 21/02376(2013.01) H01L 21/02376(2013.01)
출원번호/일자 1019950003755 (1995.02.25)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0128680-0000 (1997.11.04)
공개번호/일자 10-1996-0031661 (1996.09.17) 문서열기
공고번호/일자 (19980402) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.02.25)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백영준 대한민국 서울특별시노원구
2 은광용 대한민국 서울특별시송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주성민 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1995.02.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0016990-90
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.02.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0016991-35
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.02.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0016992-81
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1997.04.22 수리 (Accepted) 1-1-1995-0016993-26
5 등록사정서
Decision to grant		 1997.10.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0008547-37
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

Si 기판과 동일한 격자 방향을 갖은 다이아몬드 집합 조직을 선택적으로 성장시키는 제 1 단계와 다이아몬드의 2차원 성장이 이루어지도록 합성조건을 조절한 제 2 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는, Si 기판 상에 입자간 또는 입자와 기판간의 미스매치 및 표면 조도가 감소된 단결정 다이아몬드막의 성장 방법

2 2

(100) Si 기판 상에, 100 다이아몬드 집합 조직을 성장시키는 제 1 단계와, 다이아몬드 (100) 면의 2차원 성장이 가능하도록 합성 조건을 조절한 제 2 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 (100) 다이아몬드면으로만 구성된 단결정 다이아몬드막의 성장 방법

3 3

(111) Si 기판 상에, 111 다이아몬드 집합 조직을 성장시키는 제 1 단계와, 다이아몬드 (111) 면의 2차원 성장이 가능하도록 합성 조건을 조절한 제 2 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 (111) 다이아몬드면으로만 구성된 단결정 다이아몬드막의 성장 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.