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반도체 물질을 핵으로 하는 핵-껍질 구조의 양자점과 이를 이용한 광촉매 및 광전기화학 소자

  • 기술번호 : KST2015123493
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 물질을 핵으로 하는 핵-껍질 구조의 양자점과 이를 이용한 광촉매 및 광전기화학 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 금속산화물 반도체 물질을 핵으로 하고 껍질로서 탄소나노구조체를 도입하여 핵-껍질 구조의 양자점을 제조함으로써, 이를 광촉매나 광전기화학 소자 등으로 이용할 경우 반도체 물질의 태양광에 의한 부식을 방지하고, 핵-껍질 사이에 전하의 이동으로 전기화학적 성능을 향상시킴은 물론 반도체물질로 인한 환경오염과 유해성 문제도 해결할 수 있는 새로운 구조를 갖는 핵-껍질 구조의 양자점과 이를 이용한 광촉매 및 광전기화학 소자에 관한 것이다.
Int. CL B01J 21/18 (2006.01) B01J 35/00 (2006.01) B01J 37/00 (2006.01) H05B 33/02 (2006.01) B01J 23/06 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) C09K 11/54 (2006.01)
CPC B01J 21/18(2013.01) B01J 21/18(2013.01) B01J 21/18(2013.01) B01J 21/18(2013.01) B01J 21/18(2013.01) B01J 21/18(2013.01) B01J 21/18(2013.01)
출원번호/일자 1020140040130 (2014.04.03)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0115318 (2015.10.14) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.04.03)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손동익 대한민국 서울특별시 마포구
2 배수강 대한민국 경상남도 김해시 금관
3 박종혁 대한민국 경기도 수원시 장안구
4 최원국 대한민국 서울특별시 양천구
5 이상현 대한민국 전라북도 완주군
6 김정규 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한라특허법인(유한) 대한민국 서울시 서초구 강남대로 ***(서초동, 남강빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2014-0322873-71
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.08.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0732394-63
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.10.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.11.12 수리 (Accepted) 9-1-2014-0089155-16
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0578591-63
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2015-1037513-11
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.10.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1037514-56
8 대리인선임신고서
Report on Appointment of Agent		 2015.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-5033520-42
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0107718-96
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2016-0242826-50
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2016.03.14 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0242815-58
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.04.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0252049-16
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속산화물 반도체 물질을 포함하는 핵 구조에 다중 그래핀층 또는 플러렌층으로 이루어지는 탄소나노구조체가 껍질을 구성하는 것을 특징으로 하는 핵-껍질 구조의 양자점
2 2
청구항 1에 있어서, 금속산화물 반도체 물질은 산화아연(ZnO), 황화 카드뮴(CdS), 카드뮴셀레나이드(CdSe), 카드뮴 텔라이드(CdTe) 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 핵-껍질 구조의 양자점
3 3
청구항 1에 있어서, 플러렌은 C60, C70 또는 C82 의 플러렌인 것임을 특징으로 하는 핵-껍질 구조의 양자점
4 4
청구항 1에 있어서, 금속산화물 반도체 물질은 산화아연(ZnO)인 것임을 특징으로 하는 핵-껍질 구조의 양자점
5 5
상기 청구항 1 내지 3 중에서 어느 하나의 핵-껍질 구조의 양자점을 포함하는 것을 특징으로 하는 광촉매
6 6
상기 청구항 1 내지 3 중에서 어느 하나의 핵-껍질 구조의 양자점을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전기화학 소자
7 7
청구항 6에 있어서, 광전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전기화학 소자
8 8
상기 청구항 1 내지 3 중에서 어느 하나의 핵-껍질 구조의 양자점을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자
9 9
금속산화물 반도체를 구성하는 전구체 성분을 용매 중에 분산시키고, 다른 한편으로는 용매 중에 단일벽 탄소나노튜브 또는 플러렌를 분산시킨 다음, 이 용액을 상기 핵 성분을 포함하는 용액과 혼합하여 110~150℃의 온도조건에서 반응시켜서 다중 그래핀층 또는 플러렌을 껍질로 가지는 핵-껍질 구조의 양자점을 제조하는 방법
10 10
청구항 9에 있어서, 상기 반응은 5~10시간 동안 진행하여 다중 그래핀층을 껍질로 가지는 핵-껍질 구조의 양자점을 제조하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.