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초상자성 클러스터-나노입자-기공체 복합 비드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014049549
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 초상자성 클러스터-나노입자-기공체 복합 비드는 초상자성 클러스터, 클러스터를 감싸는 기공체 비드 및 기공체 비드의 외면에 가까운 내부의 동심구 상에 방사상으로 분포되어 있는 나노입자들을 포함하고, 나노입자는 발광 나노입자, 초상자성 나노입자, 금속 나노입자 및 금속산화물 나노입자로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나인 것이고, 본 발명의 초상자성 클러스터-나노입자-기공체 복합 비드의 제조방법은 (a) 초상자성 클러스터를 함유하는 제1용액과 기공체 제조에 필요한 물질들을 혼합하여, 클러스터와 클러스터의 표면을 감싸도록 성장한 중심 기공체 비드를 포함하는 용액을 제조하는 단계, (b) 중심 기공체 비드의 외면에 제1전하를 띠는 분자들을 결합시켜 제2 용액을 제조하는 단계, (c) 제1전하와 반대인 제2전하를 띠는, 나노입자를 함유한 제3 용액을 준비하는 단계, (d) 단계 (b)를 거친 제2용액과 제3용액을 혼합하여 중심 기공체 비드의 외면에 나노입자들이 정전기적 인력에 의하여 결합되도록 하는 단계 및 (e) 단계 (d)를 거친 용액과 기공체 제조에 필요한 물질들을 혼합하여 나노입자들은 감싸도록 기공체층을 형성시키는 단계를 포함하고, (c) 단계의 나노입자는 발광 나노입자, 초상자성 나노입자, 금속 나노입자 및 금속산화물 나노입자로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나인 것이다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020100108372 (2010.11.02)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1195771-0000 (2012.10.24)
공개번호/일자 10-2011-0133405 (2011.12.12) 문서열기
공고번호/일자 (20121105) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020100053058   |   2010.06.04
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.11.02)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 우경자 대한민국 서울특별시 노원구
2 박우영 대한민국 대구광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0715705-88
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.12.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.01.13 수리 (Accepted) 9-1-2012-0001949-31
4 등록결정서
Decision to grant		 2012.10.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0617631-47
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1
초상자성 클러스터;상기 클러스터를 감싸는 기공체 비드; 및상기 기공체 비드의 외면에 가까운 내부의 동심구 상에 방사상으로 분포되어 있는 나노입자들을 포함하고, 상기 나노입자는 발광 나노입자, 초상자성 나노입자, 금속 나노입자 및 금속산화물 나노입자로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나인 것인 초상자성 클러스터-나노입자-기공체 복합 비드
2 2
제1항에 있어서, 상기 기공체 비드는 상기 나노입자들과 결합하는 상기 동심구의 표면을 외면으로 갖는 중심 기공체 비드와, 상기 중심 기공체 비드의 외면에 정전기적 인력에 의해 결합되어 있는 상기 나노입자들을 감싸도록 형성된 기공체층을 포함하여 이루어진 것인 초상자성 클러스터-나노입자-기공체 복합 비드
3 3
제2항에 있어서, 상기 클러스터는 50 ㎚ 이상 1 ㎛ 이하이고, 상기 중심 기공체 비드의 내경은 상기 클러스터의 직경 보다 크고, 상기 중심 기공체 비드의 외경은 10 ㎛ 이하이며, 상기 나노입자들 각각의 크기는 1 ㎚ 이상 100 ㎚ 미만이며, 상기 기공체층의 두께는 상기 나노입자들의 직경 초과 100 ㎚ 이하인 것인 초상자성 클러스터-나노입자-기공체 복합 비드
4 4
제1항에 있어서, 상기 동심구는 상기 기공체 비드의 내면과 외면 사이에 위치하는 것인 초상자성 클러스터-나노입자-기공체 복합 비드
5 5
제1항에 있어서, 상기 기공체 비드는 실리카, 티타니아, 지르코니아 및 지올라이트로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나인 것인 초상자성 클러스터-나노입자-기공체 복합 비드
6 6
초상자성 클러스터;상기 클러스터를 감싸는 중심 기공체 비드;상기 중심 기공체 비드의 외면에 방사상으로 정전기적 인력에 의해 결합되어 있는 나노입자들; 및상기 나노입자들을 감싸도록 형성된 기공체층을 포함하여 이루어지고,상기 나노입자는 발광 나노입자, 초상자성 나노입자, 금속 나노입자 및 금속산화물 나노입자로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나인 것인 초상자성 클러스터-나노입자-기공체 복합 비드
7 7
제6항에 있어서, 상기 나노입자들 각각은 상기 중심 기공체 비드의 중심으로부터 동일한 거리상에 위치하여 정전기적 단일층을 형성하는 것인 초상자성 클러스터-나노입자-기공체 복합 비드
8 8
제6항에 있어서, 상기 중심 기공체 비드와 상기 기공체층은 동종 물질인 것인 초상자성 클러스터-나노입자-기공체 복합 비드
9 9
제6항에 있어서, 상기 중심 기공체 비드 및 기공체층은 각각 실리카, 티타니아, 지르코니아 및 지올라이트로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나인 것인 초상자성 클러스터-나노입자-기공체 복합 비드
10 10
제1항 또는 제6항에 있어서, 상기 발광 나노입자는 II-VI족 화합물 반도체 나노결정, III-V족 화합물 반도체 나노결정 및 무기 형광체로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 나노입자인 것인 초상자성 클러스터-나노입자-기공체 복합 비드
11 11
제10항에 있어서, 상기 발광 나노입자는 다음 (1) 내지 (3) 중 어느 하나의 코어/쉘 구조를 갖는 것인 초상자성 클러스터-나노입자-기공체 복합 비드,(1) 상기 II-VI족 화합물 반도체 나노결정 (코어)/ 상기 II-VI족 화합물 반도체 나노결정 (쉘),(2) 상기 III-V족 화합물 반도체 나노결정 (코어)/ 상기 III-V족 화합물 반도체 나노결정 (쉘),(3) 상기 III-V족 화합물 반도체 나노결정 (코어)/ 상기 II-VI족 화합물 반도체 나노결정 (쉘)
12 12
제10항에 있어서, 상기 II-VI족 화합물 반도체 나노결정은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe 및 HgTe로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나이고, 상기 III-V족 화합물 반도체 나노결정은 GaN, GaP, GaAs, InP 및 InAs로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나이며, 상기 무기 형광체는 La2O2S:Eu, Li2Mg(MoO4):Eu,Sm, (Ba, Sr)2SiO4:Eu, ZnS:Cu,Al, SrGa2S4:Eu, Sr5(PO4)3Cl:Eu, (SrMg)5PO4Cl:Eu 및 BaMg2Al16O27:Eu로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나인 것인 초상자성 클러스터-나노입자-기공체 복합 비드
13 13
제1항 또는 제6항에 있어서, 상기 초상자성 나노입자는 FeO, Fe2O3, Fe3O4, MnFe2O4, CoFe2O4, NiFe2O4, Fe, Co 및 Ni로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 나노입자인 것인 초상자성 클러스터-나노입자-기공체 복합 비드
14 14
제1항 또는 제6항에 있어서, 상기 금속은 Au, Ag, Fe, Co 및 Ni로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나인 것인 초상자성 클러스터-나노입자-기공체 복합 비드
15 15
제1항 또는 제6항에 있어서, 상기 금속산화물은 FeO, Fe2O3, Fe3O4, MnFe2O4, CoFe2O4 및 NiFe2O4로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나인 것인 초상자성 클러스터-나노입자-기공체 복합 비드
16 16
(a) 초상자성 클러스터를 함유하는 제1 용액과 기공체 제조에 필요한 물질들을 혼합하여, 상기 클러스터와 상기 클러스터의 표면을 감싸도록 성장한 중심 기공체 비드를 포함하는 용액을 제조하는 단계;(b) 상기 중심 기공체 비드의 외면에 제1 전하를 띠는 분자들을 결합시켜 제2 용액을 제조하는 단계;(c) 상기 제1 전하와 반대인 제2 전하를 띠는, 나노입자를 함유한 제3 용액을 준비하는 단계;(d) 단계 (b)를 거친 제2 용액과 상기 제3 용액을 혼합하여 상기 중심 기공체 비드의 외면에 상기 나노입자들이 정전기적 인력에 의하여 결합되도록 하는 단계; 및(e) 단계 (d)를 거친 용액과 상기 기공체 제조에 필요한 물질들을 혼합하여 상기 나노입자들은 감싸도록 기공체층을 형성시키는 단계를 포함하고,상기 (c) 단계의 나노입자는 발광 나노입자, 초상자성 나노입자, 금속 나노입자 및 금속산화물 나노입자로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나인 것인 초상자성 클러스터-나노입자-기공체 복합 비드의 제조방법
17 17
제16항에 있어서, 단계 (a)의 제1 용액은 초상자성 나노입자들의 클러스터를 함유하는 용액에 2개 이상의 카르복시기를 갖는 물질을 추가하고 초음파처리하여 분산된 용액인 것인 초상자성 클러스터-나노입자-기공체 복합 비드의 제조방법
18 18
제17항에 있어서, 상기 2개 이상의 카르복시기를 갖는 물질은 시트르산삼나트륨, 디메르캅토숙신산, 아스파르트산 또는 아크릴레이트 올리고머인 것인 초상자성 클러스터-나노입자-기공체 복합 비드의 제조방법
19 19
제16항에 있어서, 상기 제1 전하를 띠는 분자는 아미노프로필기를 갖는 분자인 것인 초상자성 클러스터-나노입자-기공체 복합 비드의 제조방법
20 20
제16항에 있어서, 단계 (d)는, 각 용액의 pH를 조절하여, 상기 제2 용액과 상기 제3 용액이 단분산 용액이 되도록 하는 것인 초상자성 클러스터-나노입자-기공체 복합 비드의 제조방법
21 21
제16항에 있어서, 상기 중심 기공체 비드는 구 형상인 것인 초상자성 클러스터-나노입자-기공체 복합 비드의 제조방법
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