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박막트랜지스터 제조방법

기술번호 : KST2015123530
담당센터 : 서울동부기술혁신센터
전화번호 : 02-2155-3662

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	박막트랜지스터 제조방법에 대해 개시한다. 본 발명은, 기판 위에 게이트전극, 게이트 절연막, 활성층인 펜타신을 순차적으로 적층 형성한 후, 노출된 펜타신에 수소 플라즈마 표면처리를 수행하고 이어서 소스/드레인 전극을 형성시킨다. 여기서, 유기 박막트랜지스터의 유기 활성층 재료로 사용되는 펜타신은 높은 전도성을 가진 유기물질로서 p형 반도체의 특성을 나타내며 박막 형태로 성장되었을 때 매우 높은 이동도를 가져 유기 박막트랜지스터의 활성층으로 사용된다. 본 발명에서는 패터닝된 펜타신에 수소 플라즈마 처리를 수행하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 그레인 사이즈(grain size)에 의해 전기적 특성이 좌우되는 펜타신 표면의 거칠기(roughness)가 완화되어져 산란작용 및 트랩현상을 억제시킬 뿐만 아니라 포텐셜 장벽을 낮춰 이동도를 향상시킴으로써 전기적 특성을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명은 플렉시블(flexible)한 기판에도 적용됨을 특징으로 한다. 수소, 플라즈마, 펜타신, 박막트랜지스터, 이동도, 점멸비
Int. CL	H01L 29/786 (2006.01)
CPC	H01L 51/0026(2013.01) H01L 51/0026(2013.01) H01L 51/0026(2013.01) H01L 51/0026(2013.01)
출원번호/일자	1020030068178 (2003.10.01)
출원인	한국과학기술연구원
등록번호/일자	10-0623091-0000 (2006.09.05)
공개번호/일자	10-2005-0032169 (2005.04.07) 문서열기
공고번호/일자	(20060918) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2003.10.01)
심사청구항수	12

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국과학기술연구원	대한민국	서울특별시 성북구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김재경	대한민국	서울특별시마포구
2	주병권	대한민국	서울특별시성북구
3	김영철	대한민국	서울특별시송파구
4	이주원	대한민국	서울특별시성동구
5	김광호	대한민국	서울특별시성동구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	이종일	대한민국	서울특별시 영등포구 당산로길 (당산동가) 진양빌딩 층(대일국제특허법률사무소)
2	김동준	대한민국	서울특별시 강남구 논현로길 , 역삼***빌딩 (역삼동)(팬코리아특허법인)
3	김창달	대한민국	서울특별시 강남구 도곡로 **, 층 (역삼동, 옥신타워)(성화국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국과학기술연구원	대한민국	서울 성북구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2003.10.01	수리 (Accepted)	1-1-2003-0367359-22
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2005.03.14	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2005.04.21	수리 (Accepted)	9-1-2005-0024015-65
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2005.08.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0418946-14
5	지정기간연장신청서 Request for Extension of Designated Period	2005.10.28	수리 (Accepted)	1-1-2005-0616369-22
6	지정기간연장신청서 Request for Extension of Designated Period	2005.11.29	수리 (Accepted)	1-1-2005-0694018-29
7	명세서등보정서 Amendment to Description, etc.	2005.12.29	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2005-0775871-71
8	의견서 Written Opinion	2005.12.29	수리 (Accepted)	1-1-2005-0775864-51
9	최후의견제출통지서 Notification of reason for final refusal	2006.04.12	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0207943-29
10	의견서 Written Opinion	2006.04.13	수리 (Accepted)	1-1-2006-0255561-15
11	명세서등보정서 Amendment to Description, etc.	2006.04.13	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2006-0255564-41
12	등록결정서 Decision to grant	2006.06.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0361203-30
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.12.15	수리 (Accepted)	4-1-2009-5247056-16
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.02.19	수리 (Accepted)	4-1-2014-5022002-69

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판 상에, 게이트전극, 게이트 절연막, 활성층, 소스전극 및 드레인전극을 순차적으로 적층형성시킨 박막트랜지스터 제조방법에 있어서, 상기 활성층으로 열 진공 증착기를 이용하여 형성한 펜타신을 사용하고, 상기 활성층 상면을 포함하여 수소 플라즈마 처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 수소 플라즈마는 RF-발생기(RF-generator)에 의해 인가된 플라즈마를 사용하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법
3	3 제 2 항에 있어서, 상기 플라즈마의 RF-파워(RF-power)가 25W ∼ 55W 범위내에서 설정되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법
4	4 삭제
5	5 제 1 항에 있어서, 상기 펜타신의 두께가 90㎚ ∼ 110㎚ 범위내에서 설정되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법
6	6 제 1 항에 있어서, 상기 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극이 Au인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법
7	7 제 1 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극인 Au의 두께가 140㎚ ∼ 160㎚ 범위내에서 설정되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법
8	8 제 1 항에 있어서, 상기 게이트전극으로 SiO2를 사용하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법
9	9 제 8 항에 있어서, 상기 SiO2는 전자빔 증착법을 이용하여 형성시키는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법
10	10 제 8 항에 있어서, 상기 SiO2는 PECVD 방법을 이용하여 형성시키는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법
11	11 제 8 항 내지 제 10 항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 SiO2의 두께가 200㎚ ∼ 300㎚ 범위내에서 설정되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법
12	12 제 1 항에 있어서, 상기 기판은 유연한 성질의 플라스틱인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법
13	13 제 1 항에 있어서, 상기 수소 플라즈마 처리는, PECVD 방법을 이용하여, 플라즈마를 발생시키는 상부전극과 처리대상물이 놓은 서브스트레이트 사이의 거리를 10㎝ 내지 15㎝ 범위내에서 설정하고, RF-파워를 25W 내지 35W 범위내에서 설정하며, 110-3 Torr 내지 310-3 Torr의 압력 조건 하에서, 수소를 5sccm 내지 20sccm 범위내로 플로우시켜 60초 내지 120초 범위내에서 설정된 시간동안 진행하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법
14	13 제 1 항에 있어서, 상기 수소 플라즈마 처리는, PECVD 방법을 이용하여, 플라즈마를 발생시키는 상부전극과 처리대상물이 놓은 서브스트레이트 사이의 거리를 10㎝ 내지 15㎝ 범위내에서 설정하고, RF-파워를 25W 내지 35W 범위내에서 설정하며, 110-3 Torr 내지 310-3 Torr의 압력 조건 하에서, 수소를 5sccm 내지 20sccm 범위내로 플로우시켜 60초 내지 120초 범위내에서 설정된 시간동안 진행하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법

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데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-0623091-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20031001 출원 번호 : 1020030068178 공고 연월일 : 20060918 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20060626 청구범위의 항수 : 12 유별 : H01L 29/786 발명의 명칭 : 박막트랜지스터 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20090906

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 한국과학기술연구원 서울 성북구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	364,500 원	2006년 09월 06일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2003.10.01	수리 (Accepted)	1-1-2003-0367359-22
2	선행기술조사의뢰서	2005.03.14	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2005.04.21	수리 (Accepted)	9-1-2005-0024015-65
4	의견제출통지서	2005.08.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0418946-14
5	지정기간연장신청서	2005.10.28	수리 (Accepted)	1-1-2005-0616369-22
6	지정기간연장신청서	2005.11.29	수리 (Accepted)	1-1-2005-0694018-29
7	명세서등보정서	2005.12.29	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2005-0775871-71
8	의견서	2005.12.29	수리 (Accepted)	1-1-2005-0775864-51
9	최후의견제출통지서	2006.04.12	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0207943-29
10	의견서	2006.04.13	수리 (Accepted)	1-1-2006-0255561-15
11	명세서등보정서	2006.04.13	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2006-0255564-41
12	등록결정서	2006.06.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0361203-30
13	출원인정보변경(경정)신고서	2009.12.15	수리 (Accepted)	4-1-2009-5247056-16
14	출원인정보변경(경정)신고서	2014.02.19	수리 (Accepted)	4-1-2014-5022002-69

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