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실리콘을 포함하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015124541
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 박막 트랜지스터는, 실리콘을 포함하는 산화물 반도체로 이루어지는 채널층을 포함할 수 있다. 상기 산화물 반도체는, 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 납(Pb), 인듐(In), 티타늄(Ti), 갈륨(Ga) 및 알루미늄(Al)으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 물질 및 아연(Zn)을 더 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 채널층은 실리콘 산화인듐아연(Si-InZnO; SIZO)으로 이루어질 수도 있다. 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 10℃ 내지 400℃의 온도에서 실리콘을 포함하는 산화물 반도체로 이루어지는 타겟에 전력을 인가함으로써 채널층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020100052976 (2010.06.04)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0133317 (2011.12.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.06.04)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상렬 대한민국 서울특별시 용산구
2 정유진 대한민국 인천광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2010-0360905-86
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0551762-78
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.07.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2011-0066068-44
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0482675-88
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0828654-09
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.10.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0828652-18
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.03.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0130022-18
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘을 포함하는 산화물 반도체로 이루어지는 채널층을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
2 2
제 1항에 있어서,상기 산화물 반도체는, 게르마늄, 주석, 납, 인듐, 티타늄, 갈륨 및 알루미늄으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 물질 및 아연을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
3 3
제 2항에 있어서,상기 채널층은 실리콘 산화인듐아연으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
4 4
제 3항에 있어서,상기 채널층에서 아연 원자, 인듐 원자 및 실리콘 원자의 합에 대한 실리콘 원자의 조성비는 0
5 5
제 1항에 있어서,상기 채널층의 캐리어 농도는 108/cm3 내지 1022/cm3 인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
6 6
제 5항에 있어서상기 채널층은 채널 또는 전극의 기능을 수행하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
7 7
10℃ 내지 400℃의 온도에서 실리콘을 포함하는 산화물 반도체로 이루어지는 타겟에 전력을 인가함으로써 채널층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.