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박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2014028202
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전자이동도를 향상시킴과 함께 트랩에 의한 이력 현상의 발생을 최소화할 수 있는 박막 트랜지스터에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터는 채널층 및 게이트절연막을 포함하는 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 채널층은 산화물 반도체로 구성되며, 상기 게이트절연막은 하나 이상의 제 1 유전막 및 제 2 유전막을 포함하고, 상기 제 1 유전막의 유전율은 상기 제 2 유전막의 유전율과 상이한 것을 특징으로 한다. 박막트랜지스터, 산화물반도체, 채널층, 게이트절연막, 3중층
Int. CL G02F 1/136 (2006.01) H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020080088905 (2008.09.09)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0986173-0000 (2010.10.01)
공개번호/일자 10-2009-0117582 (2009.11.12) 문서열기
공고번호/일자 (20101007) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020080043329   |   2008.05.09
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.09.09)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상렬 대한민국 서울특별시 용산구
2 장성필 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주) 컴파스 시스템 서울특별시 구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.09.09 수리 (Accepted) 1-1-2008-0639863-63
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.11.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.12.08 수리 (Accepted) 9-1-2009-0067142-45
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0116938-16
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.05.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0322319-50
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0322291-60
8 등록결정서
Decision to grant		 2010.09.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0420873-45
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
채널층 및 게이트절연막을 포함하는 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 채널층은 산화물 반도체로 구성되며, 상기 게이트절연막은 복수 개의 제 1 유전막 및 제 2 유전막을 포함하고, 상기 제 1 유전막, 상기 제 2 유전막 및 상기 제 1 유전막이 순차적으로 적층된 구조를 가지며, 상기 제 1 유전막의 두께는 5 nm 내지 30 nm이고, 상기 제 2 유전막의 두께는 30 nm 내지 200 nm이며, 상기 제 1 유전막의 유전율은 상기 제 2 유전막의 유전율 보다 작은 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
2 2
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3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 게이트절연막은 상기 제 1 유전막-상기 제 2 유전막-상기 제 1 유전막의 3중층 구조가 반복적으로 적층된 형태로 구성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 유전막은 Al2O3, SiO2, SiNx 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 유전막은 Sc, Ti, Y, Zr, Nb, La, Hf, Ta의 산화물 또는 탄탈계열 원소의 산화물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 유전막 및 상기 제 2 유전막은 Al2O3, SiO2, SiNx 중 어느 하나로 이루어지되, 상기 제 1 유전막과 상기 제 2 유전막은 서로 상이한 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 산화물 반도체는 ZnO, IZO, IGO, ITO, GZO, IGZO, SnO2, In2O3 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
10 10
삭제
11 11
제 1 항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터는 탑 게이트 방식 트랜지스터 또는 바텀 게이트 방식 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20090278120 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2009278120 US 미국 DOCDBFAMILY
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