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초저속 경사회전 노광을 이용한 3차원의 미소 구조안테나의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015123614
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초저속 경사회전 노광을 이용한 3차원의 미소 구조 안테나의 제조방법에 관한 것이다. 특히, 미소기전소자(MEMS) 기술을 이용하여 3차원 미소구조 안테나의 구조체를 형성하고 상부에 웨이브가이드를 단일 공정화하여 주파수가 테라(Tera)헤르쯔 영역에서 이용할 수 있는 3차원 미소구조 안테나의 제작방법에 관한 것이다.본 발명에 따르면, 반도체기판 상부에 희생산화막을 증착하는 단계와; 상기 희생산화막 상부에 혼모양의 구조체를 갖는 제 1감광막의 패턴을 형성하는 단계와; 상기 결과물의 전표면에 상기 제 1감광막의 패턴을 충분히 덮을 수 있을 정도의 소정 두께를 갖는 제 1금속막을 증착하는 단계와; 상기 제 1금속막을 CMP 공정으로 제 1감광막 패턴의 상부 표면이 도출될때 까지 연마하는 단계와; 상기 혼모양의 구조체 형상의 제 1감광막 패턴을 제거하는 단계와; 상기 희생산화막를 분리, 제거하여 혼모양의 미소구조체를 형성한 다음 상기 결과물의 전표면에 폴리머 후막을 증착하는 단계와; 상기 폴리머 후막 상부에 중앙 부위에만 광을 전사시키는 패턴이 형성된 마스크를 사용한 패터닝 공정을 진행하여 제 2감광막의 패턴을 형성하는 단계와; 상기 결과물의 전표면에 건식식각 공정을 진행하여 제 2감광막의 패턴에 의해 노출된 폴리머 후막의 표면 부분에 라운드를 형성하는 단계와; 상기 결과물의 전표면에 제 2금속막을 증착한 후 CMP 공정을 진행하여 상기 제 2금속막의 라운드가 제거될때 까지 연마하는 단계와; 상기 결과물의 전표면에 제 3금속막이 증착된 상태에서 그 상부에 혼모양의 웨이브가이드로 예정된 부분에만 제 3감광막의 패턴이 형성하는 단계와; 상기 제 3감광막의 패턴을 식각장벽으로 이용한 패터닝 공정을 진행하여 제 3감광막 패턴과 중첩되는 제 3금속막의 패턴을 형성하는 단계와; 상기 제 3감광막의 패턴을 제거한 후 상기 제 3금속막의 패턴을 식각장벽으로 하는 식각공정을 진행하여 폴리머 후막의 패턴을 형성하는 단계와; 상기 결과물의 전표면에 무전해도금 기술을 이용하여 제 4금속막을 증착한 다음 플라즈마 아서(plasma asher) 공정을 진행하여 제 3금속막 패턴과 폴리머 후막 패턴을 반도체기판으로 부터 제거하는 단계를 포함하는 초저속 경사회전 노광을 이용한 3차원의 미소 구조 안테나의 제조방법이 제시된다.따라서, 본 발명에 따르면 지금까지의 MEMS 공정으로 제조하기가 어려운 혼 모양 3차원 미소구조 안테나 어레이제조에 적용 될 수 있다.MEMS, 초저속 경사회전 노광장치, 혼모양 3차원 미소구조 안테나
Int. CL H01L 51/00 (2006.01)
CPC H01L 23/66(2013.01) H01L 23/66(2013.01) H01L 23/66(2013.01) H01L 23/66(2013.01)
출원번호/일자 1020010028897 (2001.05.25)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0387167-0000 (2003.05.29)
공개번호/일자 10-2002-0090401 (2002.12.05) 문서열기
공고번호/일자 (20030612) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.05.25)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문성욱 대한민국 경기도남양주시
2 박종연 대한민국 서울특별시송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이종일 대한민국 서울특별시 영등포구 당산로**길 **(당산동*가) 진양빌딩 *층(대일국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2001-0122427-36
2 신규성(출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Certificate of Novelty(Special Provisions for Application)		 2001.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2001-5151667-95
3 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.06.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-0149469-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
5 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2002.03.08 수리 (Accepted) 1-1-2002-5061205-16
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2002.12.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.01.17 수리 (Accepted) 9-1-2003-0002279-16
8 등록결정서
Decision to grant		 2003.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0192972-98
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

초저속 경사회전 노광장치를 이용하여 3차원의 미소 구조 안테나의 제조방법에 있어서,

반도체기판 상부에 희생산화막을 증착하는 단계와;

상기 희생산화막 상부에 혼모양의 구조체를 갖는 제 1감광막의 패턴을 형성하는 단계와;

상기 결과물의 전표면에 상기 제 1감광막의 패턴을 충분히 덮을 수 있을 정도의 소정 두께를 갖는 제 1금속막을 증착하는 단계와;

상기 제 1금속막을 CMP 공정으로 제 1감광막 패턴의 상부 표면이 도출될때 까지 연마하는 단계와;

상기 혼모양의 구조체 형상의 제 1감광막 패턴을 제거하는 단계와;

상기 희생산화막를 분리, 제거하여 혼모양의 미소구조체를 형성한 다음 상기 결과물의 전표면에 폴리머 후막을 증착하는 단계와;

상기 폴리머 후막 상부에 중앙 부위에만 광을 전사시키는 패턴이 형성된 마스크를 사용한 패터닝 공정을 진행하여 제 2감광막의 패턴을 형성하는 단계와;

상기 결과물의 전표면에 건식식각 공정을 진행하여 제 2감광막의 패턴에 의해 노출된 폴리머 후막의 표면 부분에 라운드를 형성하는 단계와;

상기 결과물의 전표면에 제 2금속막을 증착한 후 CMP 공정을 진행하여 상기 제 2금속막의 라운드가 제거될때 까지 연마하는 단계와;

상기 결과물의 전표면에 제 3금속막이 증착된 상태에서 그 상부에 혼모양의 웨이브가이드로 예정된 부분에만 제 3감광막의 패턴이 형성하는 단계와;

상기 제 3감광막의 패턴을 식각장벽으로 이용한 패터닝 공정을 진행하여 제 3감광막 패턴과 중첩되는 제 3금속막의 패턴을 형성하는 단계와;

상기 제 3감광막의 패턴을 제거한 후 상기 제 3금속막의 패턴을 식각장벽으로 하는 식각공정을 진행하여 폴리머 후막의 패턴을 형성하는 단계와;

상기 결과물의 전표면에 무전해도금 기술을 이용하여 제 4금속막을 증착한 다음 플라즈마 아서(plasma asher) 공정을 진행하여 제 3금속막 패턴과 폴리머 후막 패턴을 반도체기판으로 부터 제거하는 단계를 포함하는 초저속 경사회전 노광을 이용한 3차원의 미소 구조 안테나의 제조방법

2 2

청구항 1에 있어서, 상기 제 1금속막의 증착은 무전해도금 기술을 이용하여 상기 제 1감광막의 패턴을 충분히 덮을 수 있을 정도의 소정 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 초저속 경사회전 노광을 이용한 3차원의 미소 구조 안테나의 제조방법

3 3

청구항 1에 있어서, 상기 혼모양의 제 1감광막의 패턴은 플라즈마 아서(plasma asher) 공정을 진행하여 제거하는 것을 특징으로 하는 초저속 경사회전 노광을 이용한 3차원의 미소 구조 안테나의 제조방법

4 4

청구항 1에 있어서, 상기 제 3감광막의 패턴을 제거한 후 폴리머 후막의 패턴은 상기 제 3금속막의 패턴을 식각장벽으로 하는 산화 비등방성식각을 이용하는 것을 특징으로 하는 초저속 경사회전 노광을 이용한 3차원의 미소 구조 안테나의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.