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금속패턴 형성방법

  • 기술번호 : KST2022005880
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 상부에 금속층이 형성된 투명한 제1 기판을 준비하는 단계와, 금속 패턴을 형성할 제2 기판을 상기 금속층과 대향되게 배치하는 단계와, 제1 기판을 통해 상기 금속층에 선택적으로 레이저를 조사함으로써, 금속층이 상기 제2 기판 상부에 금속패턴으로 형성되는 단계를 포함하며, 제 1기판과 상기 금속층 사이에는 반도체층 또는 나노격자의 유전층이 게재된 금속패턴 형성 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 51/44 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 51/0021(2013.01) H01L 51/441(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020200154789 (2020.11.18)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0067960 (2022.05.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.11.18)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김인호 서울특별시 성북구
2 이도권 서울특별시 성북구
3 장윤희 서울특별시 성북구
4 정증현 서울특별시 성북구
5 김원목 서울특별시 성북구
6 우예은 서울특별시 성북구
7 이영석 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 티앤아이 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2020-1238894-56
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2021.04.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2021.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2022-0006615-76
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2022.01.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0063418-80
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2022.03.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2022-0299795-43
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2022.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2022-0299784-41
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상부에 금속층이 형성된 투명한 제1 기판을 준비하는 단계;금속 패턴을 형성할 제2 기판을 상기 금속층과 대향되게 배치하는 단계; 및상기 제1 기판을 통해 상기 금속층에 선택적으로 레이저를 조사함으로써, 상기 금속층이 상기 제2 기판 상부에 금속패턴으로 형성되는 단계를 포함하되, 상기 제 1기판과 상기 금속층 사이에는 반도체층 또는 나노격자의 유전층이 게재된 금속패턴 형성 방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 반도체층은 a- Si, Si, Ge 또는 Si-Ge로 형성된 금속패턴 형성 방법
3 3
제1 항에 있어서,상기 나노격자의 유전층의 유전체 소재는 SiO2, Si3N4 또는 Al2O3이고, 두께 및 주기(x방향, y방향)는 100nm 이상 1 um 이하인 것을 특징으로 하는 금속패턴 형성 방법
4 4
제1 항에 있어서,상기 유전체 패턴의 형상은 정사각형 또는 구형인 것을 특징으로 하는 금속패턴 형성 방법
5 5
제1 항에 있어서,상기 반도체층의 두께는 5 내지 40 nm 인 것을 특징으로 하는 금속패턴 형성 방법
6 6
제1 항에 있어서,상기 제2 기판 상부에는 유기물질층 또는 TCO층이 형성된 금속패턴 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 울산과학기술원 신재생에너지핵심기술개발(R＆D) 고효율(≥25%) 결정질 Si/Perovskite 모노리식 탠덤 태양전지지 기술개발
2 산업통상자원부 울산과학기술원 신재생에너지핵심기술개발(R＆D) 실리콘 태양전지의 이론 한계효율 (30%)을 극복하는 슈퍼태양전지
3 과학기술정보통신부 울산과학기술원 전략형국제공동연구사업 플렉시블 하이브리드 탠덤 태양전지 응용을 위한 두께 50μm 이하 고효율 초박형 결정질 실리콘 하부셀 개발