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나노 구조를 갖는 금속산화물반도체 가스센서 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015124077
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노 구조를 갖는 금속산화물반도체 가스센서 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 나노 구조를 갖는 금속산화물반도체 가스센서는, 기판; 상기 기판 상부에 형성된 제1전극; 상기 제1전극의 상부에 구비되고, 나노 구조를 가지며 감지 대상의 가스와 반응하여 전기전도도가 변화하는 금속산화물반도체로 이루어지고, 경사각 증착법을 통해 형성된 가스감지층; 다공성 구조를 가지며, 상기 금속산화물반도체의 상부에 형성된 제2전극; 및 상기 제1ㆍ제2전극을 통해 소정의 전류를 흘려 상기 가스감지층의 전기전도도를 측정함으로써 상기 가스를 감지하는 제어부;를 포함한다.본 발명에 의하면, 제2전극이 감지 대상의 가스가 출입할 수 있도록 다공성 구조로 구비됨으로써, 가스와 반응하여 전기전도도가 변화하는 가스센서의 가스감지층을 경사각 증착법을 이용하여 나노 구조로 형성할 수 있고, 이에 따라 가스감지층의 제조가 용이해지며, 그 나노 구조의 형상도 가스와의 반응을 극대화할 수 있는 형상으로 자유롭게 형성할 수 있으므로, 나노 구조의 금속산화물반도체를 한 쌍의 전극 사이에 개재되는 가스감지층으로 활용하면서도 나노 구조의 금속산화물반도체가 갖는 가스와의 반응성 극대화 등의 장점을 그대로 살릴 수 있다.
Int. CL G01N 27/407 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01)
출원번호/일자 1020110039370 (2011.04.27)
출원인 포항공과대학교 산학협력단, 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1280498-0000 (2013.06.25)
공개번호/일자 10-2012-0121511 (2012.11.06) 문서열기
공고번호/일자 (20130705) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.27)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김종규 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 윤석진 대한민국 서울특별시 도봉구
3 장호원 대한민국 서울특별시 성북구
4 황선용 대한민국 전라남도 순천시 봉화*길 ***
5 권현아 대한민국 부산광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
2 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0312453-15
2 보정요구서
Request for Amendment		 2011.05.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0038522-11
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2011-0419474-05
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.07.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0509955-98
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2011-0601082-81
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.09.05 수리 (Accepted) 1-1-2011-0692915-19
7 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0762072-11
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.07.26 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.09.04 수리 (Accepted) 9-1-2012-0070006-19
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0578694-53
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0072905-14
12 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2013.02.19 수리 (Accepted) 7-1-2013-0006187-95
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2013.03.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0218896-13
14 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2013.04.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0228066-71
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상부에 형성된 제1전극;상기 제1전극의 상부에 구비되고, 나노 구조를 가지며 감지 대상의 가스와 반응하여 전기전도도가 변화하는 금속산화물반도체로 이루어지고, 경사각 증착법을 통해 형성된 가스감지층;상기 금속산화물반도체의 상부에 형성된 제2전극; 및상기 제1ㆍ제2전극을 통해 소정의 전류를 흘려 상기 가스감지층의 전기전도도를 측정함으로써 상기 가스를 감지하는 제어부;를 포함하고, 상기 제2전극은 다공성 구조를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 구조를 갖는 금속산화물반도체 가스센서
2 2
삭제
3 3
기판;상기 기판 상부에 형성된 제1전극;상기 제1전극의 상부에 구비되고, 나노 구조를 가지며 감지 대상의 가스와 반응하여 전기전도도가 변화하는 금속산화물반도체로 이루어지고, 경사각 증착법을 통해 형성된 가스감지층;상기 금속산화물반도체의 상부에 형성된 제2전극; 및상기 제1ㆍ제2전극을 통해 소정의 전류를 흘려 상기 가스감지층의 전기전도도를 측정함으로써 상기 가스를 감지하는 제어부;를 포함하고,상기 제2전극은 그물망 형상으로 다수의 틈을 갖도록 구비되는 것을 특징으로 하는 나노 구조를 갖는 금속산화물반도체 가스센서
4 4
제1항에 있어서,상기 금속산화물반도체는,나노 헬릭스, 나노 막대, 경사 나노 막대, 나노 와이어, 나노 리본, 나노 스프링, 나노 콘 중 어느 하나의 형상의 나노 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 나노 구조를 갖는 금속산화물반도체 가스센서
5 5
제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속산화물반도체는,SnO2, TiO2, ZnO, CuO, NiO, CoO, In2O3, WO3, MgO, CaO, La2O3, Nd2O3, Y2O3, CeO2, PbO, ZrO2, Fe2O3, Bi2O3, V2O5, VO2, Nb2O5, Co3O4 및 Al2O3 중에서 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 나노 구조를 갖는 금속산화물반도체 가스센서
6 6
제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1전극과 상기 제2전극은,Pt, Au, Ti, Pd, Ir, Ag, Ru, Ni, STS, Al, Mo, Cr, Cu, W, ITO(Sn doped In2O3) 및 FTO(F doped SnO2) 중에서 적어도 하나 이상으로 각각 구비되는 것을 특징으로 하는 나노 구조를 갖는 금속산화물반도체 가스센서
7 7
제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판은,절연소재로 이루어진 절연기판 또는 절연재로 절연 처리된 전도성 기판으로 구비되는 것을 특징으로 하는 나노 구조를 갖는 금속산화물반도체 가스센서
8 8
제7항에 있어서,상기 기판은,알루미나 기판, 사파이어 기판, 및 절연재로 이루어진 절연층이 증착되어 있는 실리콘 기판ㆍ금속 기판ㆍ전도성 산화물 기판ㆍ전도성 폴리머 기판 중 어느 하나로 구비되는 것을 특징으로 하는 나노 구조를 갖는 금속산화물반도체 가스센서
9 9
제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2전극은,마이크로 패터닝으로 형성된 하나 이상의 통과홀;을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조를 갖는 금속산화물반도체 가스센서
10 10
제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2전극에는 탐침프로브를 통한 전기적 특성 측정과 외부 회로와의 와이어 본딩을 위한 패드전극이 구비되는 것을 특징으로 하는 나노 구조를 갖는 금속산화물반도체 가스센서
11 11
기판 상에 제1전극을 형성하는 단계;증착물질을 상기 제1전극의 상면에 대해 소정의 경사각을 두고 증착하는 경사각 증착법을 이용하여, 상기 제1전극의 상면에 금속산화물을 나노 구조를 갖도록 증착하여 가스감지층을 형성하는 단계;상기 가스감지층 상에 제2전극을 형성하는 단계; 및상기 가스감지층의 전기전도도를 측정하는 제어부를 상기 제1ㆍ제2전극에 연결 설치하는 단계;를 포함하고,상기 제2전극을 형성하는 단계는, 경사각 증착법을 이용하여, 상기 가스감지층 상에 다공성 구조의 상기 제2전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조를 갖는 금속산화물반도체 가스센서 제조방법
12 12
삭제
13 13
기판 상에 제1전극을 형성하는 단계;증착물질을 상기 제1전극의 상면에 대해 소정의 경사각을 두고 증착하는 경사각 증착법을 이용하여, 상기 제1전극의 상면에 금속산화물을 나노 구조를 갖도록 증착하여 가스감지층을 형성하는 단계;상기 가스감지층 상에 제2전극을 형성하는 단계; 및상기 가스감지층의 전기전도도를 측정하는 제어부를 상기 제1ㆍ제2전극에 연결 설치하는 단계;를 포함하고,상기 제2전극을 형성하는 단계는, 경사각 증착법을 이용하여, 상기 가스감지층 상에 그물망 형상으로 다수의 틈이 구비된 상기 제2전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조를 갖는 금속산화물반도체 가스센서 제조방법
14 14
제11항에 있어서,상기 가스감지층을 형성하는 단계는,증착물질인 상기 금속산화물의 플럭스 선과 상기 제1전극의 상면이 소정의 경사각을 이룬 상태로 상기 제1전극을 기설정된 속도 및 방향의 패턴으로 회전시키면서 상기 금속산화물을 증착하여 상기 가스감지층을 형성하는 단계;인 것을 특징으로 하는 나노 구조를 갖는 금속산화물반도체 가스센서 제조방법
15 15
제11항에 있어서,상기 가스감지층을 형성하는 단계는,증착물질인 상기 금속산화물의 플럭스 선과, 상기 제1전극의 상면에 대한 수직선이 이루는 각도가 30°이상 90°미만인 상태로 상기 금속산화물을 증착하여 상기 가스감지층을 형성하는 단계;인 것을 특징으로 하는 나노 구조를 갖는 금속산화물반도체 가스센서 제조방법
16 16
제11항 및 제13항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,상기 가스감지층으로 감지 대상의 가스가 용이하게 출입할 수 있도록 상기 제2전극을 마이크로 패터닝하여 다수의 통과홀을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조를 갖는 금속산화물반도체 가스센서 제조방법
17 17
제11항 및 제13항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,상기 가스감지층을 300 ~ 1,000℃에서 열처리하여 결정화시키는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조를 갖는 금속산화물반도체 가스센서 제조방법
18 18
제11항 및 제13항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,상기 가스감지층이 상기 제1ㆍ제2전극에 오믹(Ohmic) 접합되도록 200 ~ 1,000℃에서 열처리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조를 갖는 금속산화물반도체 가스센서 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.