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박막형 광흡수층의 제조방법 및 이를 이용한 박막 태양전지의 제조방법
- 기술번호 : KST2015124415
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 본 발명은 구리인듐셀레늄(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS)계 박막형 광흡수층의 제조방법 및 이를 이용한 박막 태양전지의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 CIGS 분말입자 도포층 형성 단계, 용매, 분산제 및 결합제의 제거에 따른 분말층 형성 단계, 분말층의 가압에 따른 분말입자의 충진밀도 향상 단계 및 분말층의 열처리를 통한 치밀한 구조의 박막 형성 단계를 포함하는 박막형 광흡수층 제조 공정에 관한 것으로, 비진공 공정인 분말공정을 이용하여 저가의 CIS계 또는 CIGS계 박막을 높은 수율로 제조할 수 있는 방법을 제공한다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0216 (2014.01) H01L 31/0445 (2014.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020110083444 (2011.08.22) |
| 출원인 | 한국과학기술연구원 |
| 등록번호/일자 | 10-1267254-0000 (2013.05.20) |
| 공개번호/일자 | 10-2013-0021112 (2013.03.05) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20130523) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2011.08.22) |
| 심사청구항수 | 19 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술연구원 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 조소혜 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
| 2 | 박종구 | 대한민국 | 경기도 남양주시 |
| 3 | 송봉근 | 대한민국 | 서울특별시 도봉구 |
| 4 | 김경훈 | 대한민국 | 서울특별시 용산구 |
| 5 | 박형호 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인충현 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술연구원 | 서울특별시 성북구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.08.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0648693-02 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2012.06.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2012.07.23 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0059432-31 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.10.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0594254-53 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.12.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-1009030-55 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.12.05 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-1008583-13 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.12.05 | 무효 (Invalidation) | 1-1-2012-1009031-01 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.12.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-1008582-67 |
| 9 | 보정요구서 Request for Amendment |
2012.12.12 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2012-0148549-79 |
| 10 | 무효처분통지서 Notice for Disposition of Invalidation |
2013.01.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2013-0005368-82 |
| 11 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.05.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0327943-42 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5022002-69 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 구리인듐셀레늄(CIS) 또는 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS)계 분말을 포함하는 코팅액을 기판 상에 도포하는 도포층 형성 단계;상기 도포층을 불활성 또는 환원성 가스 분위기 하에서 열처리하는 분말층 형성 단계;상기 분말층을 가압하여 분말입자의 충진밀도를 향상시키는 단계; 및상기 분말입자의 충진밀도가 향상된 분말층을 불활성 또는 환원성 가스 분위기 하에서 열처리하여 치밀화시키는 박막 형성 단계;를 포함하는 구리인듐셀레늄(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS)계 박막형 광흡수층의 제조방법 |
| 2 |
2 구리인듐셀레늄(CIS) 또는 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS)계 분말을 포함하는 코팅액을 기판 상에 도포하는 도포층 형성 단계;상기 도포층을 가압하여 분말입자의 충진밀도를 향상시키는 단계;상기 분말입자의 충진밀도가 향상된 도포층을 불활성 또는 환원성 가스 분위기 하에서 열처리하는 분말입자의 충진밀도가 향상된 분말층 형성 단계; 및상기 분말입자의 충진밀도가 향상된 분말층을 불활성 또는 환원성 가스 분위기 하에서 열처리하여 치밀화시키는 박막 형성 단계;를 포함하는 구리인듐셀레늄(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS)계 박막형 광흡수층의 제조방법 |
| 3 |
3 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 코팅액의 구리인듐셀레늄(CIS) 또는 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS)계 분말은, 구리인듐갈륨셀레늄황(CuIn1-xGax(Se1-ySy)2, x,y=0~1)의 단상 분말; 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄 및 황의 혼합물; 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄 및 황의 산화물의 혼합물; 구리, 인듐, 갈륨 및 셀레늄의 이원계 화합물의 혼합물; 구리, 인듐, 갈륨 및 셀레늄 금속염의 혼합물; 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 구리인듐셀레늄(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS)계 박막형 광흡수층의 제조방법 |
| 4 |
4 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 코팅액은 수성 또는 알코올성 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 구리인듐셀레늄(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS)계 박막형 광흡수층의 제조방법 |
| 5 |
5 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 코팅액은 결합제 및 분산제 중의 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 구리인듐셀레늄(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS)계 박막형 광흡수층의 제조방법 |
| 6 |
6 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 분말층 형성 단계는 50 ~ 350 ℃로 열처리하는 것을 특징으로 하는 구리인듐셀레늄(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS)계 박막형 광흡수층의 제조방법 |
| 7 |
7 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 충진밀도를 향상시키는 단계는 분말층에 부가되는 외부압력이 0 |
| 8 |
8 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 충진밀도를 향상시키는 단계를 통해 가압 후의 층의 두께가 가압 전 두께의 50 ~ 90 %로 압축되면서 분말입자의 충진밀도가 높아지는 것을 특징으로 하는 구리인듐셀레늄(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS)계 박막형 광흡수층의 제조방법 |
| 9 |
9 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 충진밀도를 향상시키는 단계는 상기 기판과 평행하게 구비된 평면판을 수직으로 가압하거나 원통롤을 분말층 또는 도포층의 윗면에서 원통롤에 하중을 가하면서 회전시켜 가압하는 것을 특징으로 하는 구리인듐셀레늄(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS)계 박막형 광흡수층의 제조방법 |
| 10 |
10 제 9 항에 있어서, 상기 충진밀도를 향상시키는 단계에서 상기 평면판 또는 원통롤과 분말층 사이에 이형시트를 위치시키고 가압하는 것을 특징으로 하는 구리인듐셀레늄(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS)계 박막형 광흡수층의 제조방법 |
| 11 |
11 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 박막 형성 단계는 250 ~ 600 ℃로 열처리하는 것을 특징으로 하는 구리인듐셀레늄(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS)계 박막형 광흡수층의 제조방법 |
| 12 |
12 제 11 항에 있어서, 상기 박막 형성 단계는 셀레늄 분위기 하에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 구리인듐셀레늄(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS)계 박막형 광흡수층의 제조방법 |
| 13 |
13 제 12 항에 있어서, 상기 박막 형성 단계는 셀레늄 금속분말과 세라믹 분말의 혼합분말을 상기 가압된 분말층과 함께 배치하여 열처리하는 것을 특징으로 하는 구리인듐셀레늄(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS)계 박막형 광흡수층의 제조방법 |
| 14 |
14 제 13 항에 있어서, 상기 박막 형성 단계의 상기 셀레늄 금속분말과 세라믹 분말의 혼합분말에서 셀레늄 금속분말은 1 ~ 40 부피% 포함되는 것을 특징으로 하는 구리인듐셀레늄(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS)계 박막형 광흡수층의 제조방법 |
| 15 |
15 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 분말층 형성 단계 및 박막 형성 단계에서 불활성 가스에 수소 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 구리인듐셀레늄(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS)계 박막형 광흡수층의 제조방법 |
| 16 |
16 청구항 제 1 항 또는 제 2 항의 방법으로 제조된 것을 특징으로 하는 구리인듐셀레늄(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS)계 박막형 광흡수층 |
| 17 |
17 기판의 일면에 후면 전극층을 형성하는 단계;상기 후면 전극층 상에 구리인듐셀레늄(CIS) 또는 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS)계 분말을 포함하는 코팅액을 도포하는 도포층 형성 단계;상기 도포층을 불활성 기체 또는 환원성 분위기 하에서 열처리하여 코팅액의 용매를 증발시키는 분말층 형성 단계;상기 분말층을 가압하여 분말입자의 충진밀도를 향상시키는 단계;상기 충진밀도가 향상된 분말층을 불활성 또는 환원성 가스 분위기 하에서 열처리하여 치밀화시키는 박막 형성 단계;상기 박막 상에 버퍼층을 형성하는 버퍼층 형성 단계; 및상기 버퍼층 상에 투명 전극층을 형성하는 투명 전극층 형성 단계;를 포함하는 박막 태양전지의 제조방법 |
| 18 |
18 기판의 일면에 후면 전극층을 형성하는 단계;상기 후면 전극층 상에 구리인듐셀레늄(CIS) 또는 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS)계 분말을 포함하는 코팅액을 도포하는 도포층 형성 단계;상기 도포층을 가압하여 분말입자의 충진밀도를 향상시키는 단계;상기 분말입자의 충진밀도가 향상된 도포층을 불활성 또는 환원성 가스 분위기 하에서 열처리하여 코팅액의 용매를 증발시키는 분말입자의 충진밀도가 향상된 분말층 형성 단계; 상기 충진밀도가 향상된 분말층을 불활성 또는 환원성 가스 분위기 하에서 열처리하여 치밀화시키는 박막 형성 단계;상기 박막 상에 버퍼층을 형성하는 버퍼층 형성 단계; 및상기 버퍼층 상에 투명 전극층을 형성하는 투명 전극층 형성 단계;를 포함하는 박막 태양전지의 제조방법 |
| 19 |
19 청구항 제 17 항 또는 제 18 항의 방법으로 제조된 것을 특징으로 하는 구리인듐셀레늄(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS)계 박막 태양전지 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US08759142 | US | 미국 | FAMILY |
| 2 | US20130048074 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US2013048074 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | US8759142 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1267254-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20110822 출원 번호 : 1020110083444 공고 연월일 : 20130523 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130514 청구범위의 항수 : 19 유별 : H01L 31/18 발명의 명칭 : 박막형 광흡수층의 제조방법 및 이를 이용한 박막 태양전지의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 393,000 원 | 2013년 05월 21일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 320,600 원 | 2016년 04월 29일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 320,600 원 | 2017년 05월 08일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 229,000 원 | 2018년 04월 09일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 411,000 원 | 2019년 05월 20일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 411,000 원 | 2020년 04월 27일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.08.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0648693-02 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2012.06.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2012.07.23 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0059432-31 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2012.10.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0594254-53 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.12.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-1009030-55 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.12.05 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-1008583-13 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.12.05 | 무효 (Invalidation) | 1-1-2012-1009031-01 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.12.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-1008582-67 |
| 9 | 보정요구서 | 2012.12.12 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2012-0148549-79 |
| 10 | 무효처분통지서 | 2013.01.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2013-0005368-82 |
| 11 | 등록결정서 | 2013.05.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0327943-42 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5022002-69 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345166177 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2E2211 |
| 연구과제명 | 연성소자기술 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 기초기술연구회 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술연구원 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 201101~201312 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1345166177 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2E2211 |
| 연구과제명 | 연성소자기술 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 기초기술연구회 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술연구원 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 201101~201312 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
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