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자기장 영역의 음·양 접합 구조를 갖는 반도체-자성물질융합 소자

  • 기술번호 : KST2015124476
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 반도체-자성물질 융합 소자는 반도체(InAs) 2차원 전자 위에 마이크로자석(Co)이 증착되고, 마이크로자석에서 나오는 stray field를 이용한 음·양 자기장 영역의 접합 구조를 갖는 소자이다. 이러한 반도체-자성물질 융합 소자에서 측정된 자기저항은 비대칭적인 홀 저항 모양을 하고 있고, 자기저항 변화가 매우 크다. 측정 데이터는 diffusive 모델과 ballistic 모델에 의해 계산된 결과와 잘 일치한다.
Int. CL H01L 43/08 (2006.01) G01D 5/12 (2006.01)
CPC H01L 43/08(2013.01) H01L 43/08(2013.01) H01L 43/08(2013.01) H01L 43/08(2013.01)
출원번호/일자 1020080051228 (2008.05.30)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0852183-0000 (2008.08.07)
공개번호/일자 10-2008-0063734 (2008.07.07) 문서열기
공고번호/일자 (20080813) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자 10-2006-0079567 (2006.08.22)
관련 출원번호 1020060079567
심사청구여부/일자 Y (2008.05.30)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신경호 대한민국 서울 노원구
2 홍진기 대한민국 서울 송파구
3 주성중 대한민국 서울 관악구
4 이긍원 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2008.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0391753-00
2 등록결정서
Decision to grant		 2008.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0402837-31
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1
전류가 흐르는 채널을 갖는 반도체 2DEG과,상기 반도체 2DEG 위에 상기 채널과 교차하도록 배치되는 마이크로자석을 포함하여 이루어지며, 외부자기장이 인가됨에 따라 상기 마이크로자석 아래의 채널 내에 부호가 서로 다른 2개의 자기 장벽이 형성되어 자기장이 음인 영역과 양인 영역 간의 접합 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체-자성물질 융합 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 채널의 적어도 한 측면 중 상기 자기장이 음인 영역에 연결된 음 전압단자와, 상기 채널의 적어도 한 측면 중 상기 자기장이 양인 영역에 연결된 양 전압단자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체-자성물질 융합 소자
3 3
제2항에 있어서,상기 음·양 전압단자는 각각 상기 자기 장벽의 최소 및 최대 높이에 해당하는 위치에 형성된 것을 특징으로 하는 반도체-자성물질 융합 소자
4 4
제2항에 있어서,상기 음·양 전압단자는 상기 채널과 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체-자성물질 융합 소자
5 5
제1항에 있어서,상기 마이크로자석과 상기 반도체 2DEG 사이에 절연층이 개재된 것을 특징으로 하는 반도체-자성물질 융합 소자
6 6
제1항에 있어서,상기 반도체 2DEG은 InAs 또는 HgCdTe를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체-자성물질 융합 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.