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플라즈마화학증착법을이용한갈륨비소반도체소자의쇼트키접합및금속배선용텅스텐박막형성방법

  • 기술번호 : KST2015124581
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라즈마 화학증착법을 이용하여 갈륨비소 반도체소자의 금속배선용 텡스텐박막을 증착시키는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 갈륨비소기판을 일반적인 PECVD반응기내에 위치시킨 상태에서 WF6-SiH4-H2반응계를 이용하여 중착압력 1-10-1Torr, 중착온도 200∼300℃에서 금속배선용 텡스텐박막을 갈륨비소 기판의 표면에 중착히키는 방법으로 이루어져 있다. 본 발명은 종래의 알루미늄등을 쇼트키 콘택트(Schottky contact)용 금속박막으로 사용하는 경우에 야기되는 열처리에 따른 결함이 억제되고, 특히 자기정렬 MESFET제조시 그 제조공정의 단순화가 가능해진다는 장점이 있다. 그리고, 본 발명의 방법에 의해 얻어지는 텡스텐박막은 비저항이 약 20 πΩ-㎝이고 낮은 역방향 누설전류특성을 나타낸다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01)
CPC H01L 21/28556(2013.01) H01L 21/28556(2013.01)
출원번호/일자 1019920005596 (1992.04.03)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0086154-0000 (1995.06.28)
공개번호/일자 10-1993-0022471 (1993.11.24) 문서열기
공고번호/일자 1019950003223 (19950406) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1992.04.03)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 민석기 대한민국 서울특별시영등포구
2 김용태 대한민국 서울특별시송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1992.04.03 수리 (Accepted) 1-1-1992-0031368-04
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.04.03 수리 (Accepted) 1-1-1992-0031367-58
3 특허출원서
Patent Application		 1992.04.03 수리 (Accepted) 1-1-1992-0031366-13
4 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1995.03.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0010255-00
5 등록사정서
Decision to grant		 1995.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0010256-45
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

플라즈마 화학증착법을 이용하여 갈륨비소 반도체소자의 금속배선을 형성하는 방법에 있어서, WF6-H2 또는 WF6-SiH4-H2 반응계를 이용하여 증착압력 1-10-1Torr, 증착온도 200~300℃하에서 플라즈마 화학증착하여 갈륨비소 쇼트키베리어용 텅스텐박막을 형성함을 특징으로 하는 플라즈마 화학증착법을 이용한 갈륨비소 반도체소자의 금속배선용 텅스텐박막 형성방법

2 2

플라즈마 화학증착법을 이용하여 자기정렬 게이트 구조의 MESFET를 제조하는 방법에 있어서, WF6-H2 또는 WF6-SiH4-H2 반응계를 이용하여 증착압력 1-10-1Torr, 증착온도 200~300℃하에서 플라즈마 화학증착하여 금속배선용 텅스텐박막을 형성한 다음 700℃이하의 온도에서 급속열처리함을 특징으로 하는 플라즈마 화학증착법을 이용한 갈륨비소 반도체소자의 쇼트키베리어 및 금속배선용 텅스텐박막 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.