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플라즈마를 이용한 탄소 도핑 방법

기술번호 : KST2015125311
담당센터 : 서울서부기술혁신센터
전화번호 : 02-6124-6930

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 플라즈마를 이용한 탄소 도핑 방법에 관한 것으로, 특히 4족 물질로 구성된 기판을 진공 반응기 내의 타겟 스테이지 상에 올려놓는 제 1 단계; 탄소 화합물을 포함하는 작용 가스를 상기 진공 반응기 내로 유입하는 제 2 단계; 상기 유입된 작용 가스를 고주파수 전자기장에 통과시켜 플라즈마 이온을 생성하는 제 3 단계; 및 상기 생성된 플라즈마 이온에 상기 기판과 수직 방향의 펄스 바이어스를 가해 상기 플라즈마 이온이 상기 기판 표면에 주입되어 도핑 되는 제 4 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. Si, Ge, SiGe, 플라즈마, 탄소, 도핑
Int. CL	B82Y 30/00 (2011.01) H01L 21/265 (2011.01)
CPC	H01L 21/26506(2013.01) H01L 21/26506(2013.01) H01L 21/26506(2013.01) H01L 21/26506(2013.01)
출원번호/일자	1020080088361 (2008.09.08)
출원인	연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2010-0029539 (2010.03.17) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	거절
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2013.07.05)
심사청구항수	11

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	연세대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 서대문구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	조만호	대한민국	서울특별시 용산구
2	이우정	대한민국	서울특별시 서대문구
3	고대홍	대한민국	경기도 고양시 일산서구
4	김상연	대한민국	경기도 성남시 분당구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인지명	대한민국	서울특별시 강남구 남부순환로**** 차우빌딩*층

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2008.09.08	수리 (Accepted)	1-1-2008-0636757-17
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.12.15	수리 (Accepted)	4-1-2011-5252006-10
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2013.04.24	수리 (Accepted)	4-1-2013-5062749-37
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2013.06.24	수리 (Accepted)	4-1-2013-5088566-87
5	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2013.07.05	수리 (Accepted)	1-1-2013-0606907-84
6	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2014.03.05	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
7	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2014.04.08	수리 (Accepted)	9-1-2014-0028371-08
8	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2014.06.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0436756-79
9	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2014.09.01	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0603622-33
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.09.25	수리 (Accepted)	4-1-2014-5114224-78

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 4족 물질로 구성된 기판을 진공 반응기 내의 타겟 스테이지 상에 올려놓는 제 1 단계; 탄소 화합물을 포함하는 작용 가스를 상기 진공 반응기 내로 유입하는 제 2 단계; 상기 유입된 작용 가스를 고주파수 전자기장에 통과시켜 플라즈마 이온을 생성하는 제 3 단계; 및 상기 생성된 플라즈마 이온에 상기 기판과 수직 방향의 펄스 바이어스를 가해 상기 플라즈마 이온이 상기 기판 표면에 주입되어 도핑 되는 제 4 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 탄소 도핑 방법
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 4족 물질은, Si, Ge 및 SiGe 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 탄소 도핑 방법
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 탄소 화합물은, SiH3CH3, SiCH6 및 C2H4 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 탄소 도핑 방법
4	4 제 1 항에 있어서, 상기 제 3 단계의 플라즈마 이온을 생성하는 방법은, CCP(capacitively coupled plasma), ICP(inductively coupled plasma source), Wave heated plasma(Micro plasma, ECR(microwave+B-field), Helicon and helical plasma(RF+B-field) 및 surface wave(10MHz~10GHz) 중에서 선택된 어느 하나의 방법인 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 탄소 도핑 방법
5	5 제 1 항에 있어서, 상기 제 3 단계에서 생성되는 물질은, 이온(ion), 전자(electron) 및 라디컬(radical) 중에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 탄소 도핑 방법
6	6 4족 물질로 구성된 1차원 나노 구조물을 진공 반응기 내의 타겟 스테이지 상에 올려놓는 제 1 단계; 탄소 화합물을 포함하는 작용 가스를 상기 진공 반응기 내로 유입하는 제 2 단계; 상기 유입된 작용 가스를 고주파수 전자기장에 통과시켜 플라즈마 이온을 생성하는 제 3 단계; 및 상기 생성된 플라즈마 이온에 상기 타겟 스테이지와 수직 방향의 펄스 바이어스를 가해 상기 플라즈마 이온이 상기 1차원 나노 구조물 표면에 주입되어 도핑 되는 제 4 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 탄소 도핑 방법
7	7 제 6 항에 있어서, 상기 1차원 나노 구조물은, 나노와이어(nanowire), 나노로드(nanorod), 나노니들(nanoniddle), 나노벨트(nanobelt) 및 나노리본(nanoribbon) 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 탄소 도핑 방법
8	8 제 6 항에 있어서, 상기 4족 물질은, Si, Ge 및 SiGe 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 탄소 도핑 방법
9	9 제 6 항에 있어서, 상기 탄소 화합물은, SiH3CH3, SiCH6 및 C2H4 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 탄소 도핑 방법
10	10 제 6 항에 있어서, 상기 제 3 단계의 플라즈마 이온을 생성하는 방법은, CCP(capacitively coupled plasma), ICP(inductively coupled plasma source), Wave heated plasma(Micro plasma, ECR(microwave+B-field), Helicon and helical plasma(RF+B-field) 및 surface wave(10MHz~10GHz) 중에서 선택된 어느 하나의 방법인 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 탄소 도핑 방법
11	11 제 6 항에 있어서, 상기 제 3 단계에서 생성되는 물질은, 이온(ion), 전자(electron) 및 라디컬(radical) 중에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 탄소 도핑 방법

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2008.09.08	수리 (Accepted)	1-1-2008-0636757-17
2	출원인정보변경(경정)신고서	2011.12.15	수리 (Accepted)	4-1-2011-5252006-10
3	출원인정보변경(경정)신고서	2013.04.24	수리 (Accepted)	4-1-2013-5062749-37
4	출원인정보변경(경정)신고서	2013.06.24	수리 (Accepted)	4-1-2013-5088566-87
5	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2013.07.05	수리 (Accepted)	1-1-2013-0606907-84
6	선행기술조사의뢰서	2014.03.05	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
7	선행기술조사보고서	2014.04.08	수리 (Accepted)	9-1-2014-0028371-08
8	의견제출통지서	2014.06.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0436756-79
9	거절결정서	2014.09.01	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0603622-33
10	출원인정보변경(경정)신고서	2014.09.25	수리 (Accepted)	4-1-2014-5114224-78


과제고유번호	1415086784
세부과제번호	A1100-0801-2772
연구과제명	나노접합(junction)을이용한차세대미래소자개발
성과구분	출원
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	정보통신연구진흥원
연구주관기관명	연세대학교
성과제출연도	2008
연구기간	200803~201302
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)

특허성과

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