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단결정 규소 나노리본 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015125161
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 단결정 규소 나노리본(Single crystal Si nanoribbon) 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 불순물이 존재하지 않는 규소 기판(Si substrate)을 일정두께의 티타늄(Ti)층과 백금(Pt)층을 연속적으로 피복하고, 그 위에 출발물질로서 사염화규소(silicon-tetra chloride, SiCl4)를 기상-액상-고상 기구(vapor-liquid-solid mechanism, VLS mechanism)에 의하여 물질이동(transporting)시킴으로써 생성 및 성장된 단결정 규소 나노리본 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이 때, 촉매로서의 백금(Pt)과, 티타늄 층의 사용은 본 발명의 핵심적 요소라 할 것이다. 이로써, 신뢰성 있으며, 재현성이 우수한 고기능성의 1차원 규소 나노구조를 생성할 수 있으며, 특히 높은 결정도(high crystallinity), 반도성(semiconductivity) 및 매우 뚜렷한 표면영역(high specific surface area) 등과 같은 독창적인 물성을 가진 단결정 규소 나노리본을 제조할 수 있다. 이러한 단결정 규소 나노리본은 센서, 광전장치, 전자장치 및 전기화학적 나노장치 등에 응용가능한 장점을 갖는다. 즉, 이러한 나노리본의 CMOS에 대한 호환성은 나노리본을 기존의 규소 관련 제조공정이 적용가능한 장치에 충분히 응용할 수 있다. 단결정, 규소, 나노리본, 나노와이어, 톱날형상, 백금, 티타늄
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) C30B 15/00 (2011.01) C30B 29/06 (2011.01)
CPC C30B 29/06(2013.01) C30B 29/06(2013.01) C30B 29/06(2013.01)
출원번호/일자 1020080011323 (2008.02.04)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0978031-0000 (2010.08.19)
공개번호/일자 10-2009-0085430 (2009.08.07) 문서열기
공고번호/일자 (20100826) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.02.04)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최헌진 대한민국 서울 성북구
2 박태언 대한민국 서울시 서대문구
3 성한규 대한민국 서울시 서대문구
4 정한나 대한민국 서울시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최환욱 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 케이앤와이빌딩)(특허법인 수)
2 강민수 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, *층 (역삼동, 우일빌딩)(광개토국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.02.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0091676-23
2 [전자문서첨부서류]전자문서첨부서류등 물건제출서
[Attachment to Electronic Document] Submission of Object such as Attachment to Electronic Document		 2008.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-5007159-76
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2008-0357321-03
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.10.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.11.07 수리 (Accepted) 9-1-2008-0069110-07
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0080606-96
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0265313-16
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.04.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0265311-14
9 등록결정서
Decision to grant		 2010.08.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0358664-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
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번호 청구항
1 1
규소 기판 위에 티타늄 층을 형성하는 단계; 상기 티타늄 층 위에 백금 층을 형성하는 단계; 및 상기 티타늄 층과 백금 층이 형성된 규소 기판에 규소화합물을 가하여 단결정 규소 나노와이어를 형성하는 단계; 상기 단결정 규소 나노와이어로부터 단결정 규소 나노리본을 형성하는 단계; 를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 단결정 규소 나노리본의 제조방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 단결정 규소 나노리본을 형성하는 단계는, 상기 단결정 규소 나노와이어로부터 규소가 톱날형상으로 성장되어 형성되는 단계인 것을 특징으로 하는 단결정 규소 나노리본의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 단결정 규소 나노와이어는 [110] 방향으로 성장하여 형성되고, 상기 나노리본은 상기 나노와이어로부터 [1-12]방향으로 성장하여 형성되는 것을 특징으로 하는 단결정 규소 나노리본의 제조방법
5 5
제 1 항, 제 3 항 및 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 나노리본은 5 내지 50nm의 두께와, 0
6 6
제 1 항, 제 3 항 및 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 백금층은 1 내지 10nm, 상기 티타늄 층은 10 내지 30nm의 두께인 것을 특징으로 하는 단결정 규소 나노리본의 제조방법
7 7
제 1 항, 제 3 항 및 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 규소화합물은 사염화규소(SiCl4)인 것을 특징으로 하는 단결정 규소 나노리본의 제조방법
8 8
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과기부 (한국과학재단) 연세대학교산학협력단 국가지정연구실사업 3차원 메모리 소자를 위한 반도체 나노선 집적기술 (최헌진)