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나노 단위의 굵기 또는 두께를 갖는 반도체 나노구조체 합성방법

  • 기술번호 : KST2015125536
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노 단위의 굵기 또는 두께를 갖는 반도체 나노 구조체 합성방법에 관한 것으로, 특히 매우 높은 수소 유량의 분위기에서 1차원 나노구조체인 나노선이나 2차원 나노구조체인 나노 플레이크를 합성함으로써 종래의 나노구조체에 비하여 특히 작은 크기를 가지며, 이로 인해 종래의 나노구조체와는 전혀 다른 특성을 나타내는 수 나노 이하의 크기를 갖는 반도체 나노 구조체 합성방법에 관한 것이다.종래에는 반도체 나노구조체를 합성하는 공정이 매우 복잡하여 이러한 공정을 적절하게 이용할 수 없었으나, 본 발명에서는 이러한 복잡한 공정을 단순화하였으며, 특히 매우 높은 수소 분위기를 유지하고, 특정한 금속 촉매를 사용하여 나노선을 합성하거나, 또는 촉매없이 나노 플레이크를 합성함으로써 종래에 비하여 보다 용이하게 나노구조체를 합성할 수 있도록 하였다. 본 발명에 따른 합성된 나노선은 10 nm이하의 굵기를 가지며 길이는 수백nm ~ 수만 nm에 달하고, 표면에 형성된 매우 얇은 산화층을 갖는 단결정의 형태를 갖는다. 또한, 본 발명에 의하여 합성된 반도체 나노 플레이크는 크기가 매우 다양하여, 작은 것은 대략 1×1 ㎛ 이며, 큰 것은 수 ㎛2 이상인 것도 있다. 그 두께는 매우 얇아서 수 nm 정도이며 1nm 이하로도 가능하다. 이러한 나노구조체는 산화층이 거의 없고 밴드갭이 기존의 반도체에 비해 매우 확장된 물리적 특성을 갖는다. 반도체, 나노선, 나노 플레이크, 합성, 직경, 수소 분위기, 챔버, 금속, 촉매, 증착
Int. CL B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020090093100 (2009.09.30)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1190192-0000 (2012.10.05)
공개번호/일자 10-2011-0035402 (2011.04.06) 문서열기
공고번호/일자 (20121012) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.09.30)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최헌진 대한민국 서울특별시 성북구
2 김명하 대한민국 인천광역시 부평구
3 박태언 대한민국 서울특별시 도봉구
4 김일수 대한민국 서울특별시 서대문구
5 박용희 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최환욱 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 케이앤와이빌딩)(특허법인 수)
2 강민수 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, *층 (역삼동, 우일빌딩)(광개토국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0602769-58
2 보정요구서
Request for Amendment
2009.10.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0075851-70
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2009.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2009-0627288-28
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0350856-38
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0495641-94
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.06.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0495642-39
7 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2011.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0500423-66
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.02.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0079459-14
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.04.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0279608-10
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0372281-99
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.05.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0372285-71
13 등록결정서
Decision to grant
2012.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0583784-82
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판에 실리콘 나노 플레이크를 구성하는 전구체를 공급하는 단계; 및상기 전구체를 이용하여 상기 기판상에서 실리콘 나노 플레이크를 합성하는 단계;를 포함하되, 상기 실리콘 나노 플레이크는 0
2 2
제 1 항에 있어서,상기 실리콘 나노 플레이크를 구성하는 전구체를 공급하는 단계는,합성용 챔버에, Ar, H2 및 실리콘 나노 플레이크를 구성하는 기상 또는 고상의 전구체를 공급하고, 상기 챔버의 온도는 800℃ ~ 1,100℃의 범위로 함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노 플레이크 합성방법
3 3
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4 4
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5 5
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6 6
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7 7
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8 8
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9 9
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.