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ｐ형 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 나노선 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015125552
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 p형 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 나노선 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 (a) 갈륨(Ga), 인듐(In), 알루미늄(Al) 중에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 금속전구체와 전이 원소 및 기판을 질소 분위기에서 상호 반응시켜 나노선을 성장시키는 단계; (b) 상기 반응과정 후 염소분위기에서 열처리하는 단계;를 포함하며, 상기 (a) 단계에서 성장하는 나노선은 굵기가 20 ~ 200nm의 범위가 되도록 하는 p형 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 나노선의 제조방법을 제공함으로써, Ⅲ-Ⅴ족 화합물 기지내의 p형 도핑원소 침전이 일어나지 않아 기지내 균일한 도핑이 가능하며, 결함 및 전위가 생성되지 않고, 따라서 낮은 구동전압으로도 LED 발광효율을 적절하게 제어할 수 있도록 할 수 있으며, 뛰어난 단결정 특성을 갖도록 하는 작용효과가 기대된다.p형, 질화갈륨, 질화알루미늄, 질화인듐, 나노선, 도핑, 구리, 망간, 염소분위기, LED, 발광효율, 단결정
Int. CL B82B 3/00 (2006.01)
CPC C30B 1/02(2013.01) C30B 1/02(2013.01) C30B 1/02(2013.01) C30B 1/02(2013.01) C30B 1/02(2013.01) C30B 1/02(2013.01)
출원번호/일자 1020090097824 (2009.10.14)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1125066-0000 (2012.03.02)
공개번호/일자 10-2011-0040518 (2011.04.20) 문서열기
공고번호/일자 (20120321) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.10.14)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최헌진 대한민국 서울 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최환욱 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 케이앤와이빌딩)(특허법인 수)
2 강민수 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, *층 (역삼동, 우일빌딩)(광개토국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0630117-12
2 보정요구서
Request for Amendment		 2009.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0081607-32
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0735184-34
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0760910-62
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0355897-61
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.06.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0497660-08
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0497659-51
8 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2011.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0500443-79
9 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0711044-05
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 갈륨(Ga), 인듐(In), 알루미늄(Al) 중에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 금속전구체와 전이 원소 및 기판을 질소 분위기에서 상호 반응시켜 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 나노선을 성장시키는 단계;(b) 상기 반응과정 후 염소분위기에서 열처리하는 단계;를 포함하며, 상기 (a) 단계에서 성장하는 나노선은 굵기가 20 ~ 200nm의 범위가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 p형 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 나노선의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 나노선을 성장시키는 단계에서는 700 ~ 1000℃의 온도범위에서 반응이 이루어지며, 상기 열처리단계에서는 400 ~ 1000℃의 온도범위에서 열처리 되는 것을 특징으로 하는 p형 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 나노선의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 나노선을 성장시키는 단계에서는 질소분위기로서 암모니아 가스 분위기를 사용하는 것을 특징으로 하는 p형 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 나노선의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 전이원소는 구리 또는 망간 중에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 p형 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 나노선의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 (a) 및 (b) 단계 사이에 성장된 나노선을 냉각하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 p형 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 나노선의 제조방법
6 6
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항의 방법에 의하여 제조되어, 굵기가 20 ~ 200nm의 범위이며, 단결정을 이루는 것을 특징으로 하는 p형 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 나노선
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.