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반도체 소자의 제조 방법 및 이의 방법으로 제조된 반도체 소자

  • 기술번호 : KST2015125560
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 소자의 제조 방법 및 반도체 소자가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 방법은, 제1 나노 와이어를 형성하는 단계와, 상기 제1 나노 와이어를 산화시켜 제1 절연체와 제2 나노 와이어를 포함하는 제1 나노 구조체를 형성하는 단계와, 상기 제2 나노 와이어를 산화시켜 제2 절연체와 나노점(dot)들을 포함하는 제2 나노 구조체를 형성하는 단계를 포함한다.나노점, 나노 와이어, 절연체
Int. CL B82B 3/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020090120820 (2009.12.07)
출원인 삼성전자주식회사, 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1618188-0000 (2016.04.28)
공개번호/일자 10-2011-0064300 (2011.06.15) 문서열기
공고번호/일자 (20160509) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.12.08)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김명종 대한민국 경기도 화성시
2 여인석 대한민국 서울특별시 종로구
3 손현철 대한민국 서울특별시 서대문구
4 고대홍 대한민국 서울특별시 서대문구
5 조만호 대한민국 서울특별시 서대문구
6 김상연 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인가산 대한민국 서울 서초구 남부순환로 ****, *층(서초동, 한원빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자 주식회사 경기도 수원시 영통구
2 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2009-0755349-39
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.12.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1191440-10
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.12.08 수리 (Accepted) 1-1-2014-1191449-19
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.08.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.09.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0058438-40
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0723559-70
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2015-1237885-15
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.12.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1237892-24
14 등록결정서
Decision to grant		 2016.04.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0296023-50
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 제1 나노 와이어를 형성하되, 상기 제1 나노 와이어는 상기 기판에 수직인 길이 방향으로 에피택셜(epitaxial) 성장시켜 형성되는 단계;상기 제1 나노 와이어를 산화시켜 제1 절연체와 제2 나노 와이어를 포함하는 제1 나노 구조체를 형성하는 단계; 및상기 제2 나노 와이어를 산화시켜 제2 절연체와 나노점(dot)들을 포함하는 제2 나노 구조체를 형성하는 단계를 포함하되,상기 나노점들은 상기 기판에 수직인 상기 제2 나노 구조체의 중앙 세로축을 따라 일정하게 이격되어 있는 반도체 소자의 제조 방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 제1 나노 구조체를 형성하는 단계는 상기 제1 나노 와이어의 표면을 산화시키는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
3 3
제2 항에 있어서, 상기 제2 나노 와이어는 상기 제1 절연체 내에 임베디드(embedded)되도록 형성되는 반도체 소자의 제조 방법
4 4
제2 항에 있어서, 상기 제2 나노 와이어는 제1 폭을 갖는 제1 영역 및 상기 제1 폭 보다 넓은 제2 폭을 갖는 제2 영역을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
5 5
제4 항에 있어서, 상기 제2 나노 와이어는 다수개의 상기 제1 및 제2 영역을 포함하되, 상기 제1 및 제2 영역이 교대로 위치하는 반도체 소자의 제조 방법
6 6
제5 항에 있어서,상기 제2 나노 구조체를 형성하는 단계는,상기 제2 영역을 응집시켜 상기 나노점들을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
7 7
제6 항에 있어서, 상기 나노점들이 상기 나노점들 중 어느 하나인 제1 나노점과, 상기 제1 나노점과 제1 간격을 두고 일측으로 이웃하는 제2 나노점과, 상기 제1 나노점과 제2 간격을 두고 타측으로 이웃하는 제3 나노점을 포함할 때, 상기 제1 간격과 상기 제2 간격은 실질적으로 동일하게 형성되는 반도체 소자의 제조 방법
8 8
제6 항에 있어서,상기 나노점들은 상기 제2 절연체 내에 임베디드(embedded)되도록 형성되는 반도체 소자의 제조 방법
9 9
제1 항에 있어서,상기 제1 나노 와이어가 2개 이상의 원소를 포함하는 화합물을 포함할 때,상기 나노점들은 상기 화합물에 포함된 상기 2개 이상의 원소 중 산화되지 않는 원소를 포함하도록 형성되는 반도체 소자의 제조 방법
10 10
기판 상에 형성된 절연체; 및 상기 절연체 내에 임베디드된 제1 나노점과, 상기 절연체 내에 임베디드되고 상기 제1 나노점과 제1 간격을 갖고 일측으로 이웃하는 제2 나노점과, 상기 절연체 내에 임베디드되고 상기 제1 나노점과 제2 간격을 갖고 타측으로 이웃하는 제3 나노점을 포함하는 나노점들을 포함하는 나노 구조체를 포함하되,상기 제1 내지 제3 나노점은 상기 기판의 상면에 수직인 방향으로 나란히 배열되고,상기 제1 간격과 상기 제2 간격은 실질적으로 동일하고, 상기 제1 내지 제3 나노점의 크기는 실질적으로 균일한 반도체 소자
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08420551 US 미국 FAMILY
2 US20110165761 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2011165761 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8420551 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.