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관통 비아홀 연결을 포함하고 적어도 하나의 나노와이어를 이용하는 신경 소자

  • 기술번호 : KST2015125686
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 적어도 하나 이상의 나노와이어를 포함하는 신경 소자가 개시된다. 본 발명에 따른 신경 소자는, 기판의 제1 면에 형성된 베이스에 생성된 나노와이어; 및 상기 기판의 제1 면과 상이한 제2 면에 형성되고, 상기 나노와이어를 통해 신경섬유로부터 획득된 전기 신호를 출력하거나 상기 나노와이어로 전기 자극을 위한 신호를 인가하는 전극 패드를 포함한다. 따라서, 나노와이어가 인슐레이션에 의하여 묻히는 현상을 없애고 신경과 나노와이어의 접촉을 극대화할 수 있다.
Int. CL A61N 1/05 (2006.01) A61N 1/36 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020100044044 (2010.05.11)
출원인 연세대학교 산학협력단, 아이쓰리시스템 주식회사
등록번호/일자 10-1168939-0000 (2012.07.20)
공개번호/일자 10-2011-0124575 (2011.11.17) 문서열기
공고번호/일자 (20120802) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.05.11)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
2 아이쓰리시스템 주식회사 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김동현 대한민국 서울특별시 서초구
2 홍종일 대한민국 서울특별시 강남구
3 한건희 대한민국 경기도 고양시 덕양구
4 김태욱 대한민국 서울특별시 서대문구
5 최헌진 대한민국 서울특별시 성북구
6 박승한 대한민국 서울특별시 양천구
7 표성열 대한민국 대전광역시 유성구
8 배수호 대한민국 대전광역시 서구
9 정한 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0302785-44
2 보정요구서
Request for Amendment		 2010.05.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0042926-57
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2010-0318499-10
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.11.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0673320-10
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0042708-97
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.01.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0042709-32
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.05 수리 (Accepted) 4-1-2012-5072757-47
9 등록결정서
Decision to grant		 2012.06.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0362774-53
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.08 수리 (Accepted) 4-1-2013-0030408-51
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.04.25 수리 (Accepted) 4-1-2016-0027712-69
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
기판의 제1 면에 형성된 베이스에 생성된 나노와이어; 및상기 기판의 상기 제1 면과 상이한 제2 면에 형성되고, 상기 나노와이어를 통해 신경섬유로부터 획득된 전기 신호를 출력하거나 상기 나노와이어로 전기 자극을 위한 신호를 인가하는 전극 패드를 포함하고,상기 제2 면은, 상기 제2 면의 법선벡터와 상기 제1 면의 법선벡터가 이루는 각이 170도 이상 180도 이하인 면이고, 상기 나노와이어와 상기 전극 패드는 관통 비아홀 연결(through via hole connection)을 통해 연결되는 것을 특징으로 하는 신경 소자
3 3
청구항 2에 있어서,상기 전극 패드는 터치 볼(touch ball)을 통하여 외부로 연결되는 것을 특징으로 하는 신경 소자
4 4
청구항 3에 있어서,상기 관통 비아홀은 상기 기판의 CMOS 영역을 피해서 배치되는 것을 특징으로 하는 신경 소자
5 5
청구항 4에 있어서,상기 베이스는상기 관통 비아홀과 연결되는 관통 홀 및 상기 나노와이어를 지지하기 위한 나노와이어 지지대를 포함하는 것을 특징으로 하는 신경 소자
6 6
청구항 5에 있어서,상기 나노와이어는상기 나노와이어 지지대에 리소그래피 공정을 통해 위치된 촉매 및 CVD 공정에 의해 공급되어 상기 촉매와 반응하는 반응물에 의하여 생성되는 것을 특징으로 하는 신경 소자
7 7
청구항 5에 있어서,상기 나노와이어는상기 나노와이어 주위를 식각함으로써 생성되는 것을 특징으로 하는 신경 소자
8 8
소자에 연결된 전극 패드와 전기적으로 연결되기 위한 터치 볼; 및상기 전극 패드의 반대 면에 형성된 베이스에 생성되고, 신경섬유로부터 측정된 전기 신호를 상기 터치 볼을 통해 상기 소자로 제공하거나 상기 소자로부터 상기 터치 볼을 통해 인가된 신호에 기반하여 전기 자극을 인가하는 나노와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 프로브 장치
9 9
청구항 8에 있어서,상기 전기 패드 및 상기 나노와이어는 관통 비아홀 연결을 통해 연결되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 프로브 장치
10 10
청구항 9에 있어서,상기 베이스는상기 관통 비아홀과 연결되는 관통 홀 및 상기 나노와이어를 지지하기 위한 나노와이어 지지대를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 프로브 장치
11 11
청구항 10에 있어서,상기 나노와이어는상기 나노와이어 지지대에 리소그래피 공정을 통해 위치된 촉매 및 CVD 공정에 의해 공급되어 상기 촉매와 반응하는 반응물에 의하여 생성되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 프로브 장치
12 12
청구항 10에 있어서,상기 나노와이어는 상기 나노와이어 주위를 식각함으로써 생성되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 프로브 장치
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1 US2012130459 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8504148 US 미국 DOCDBFAMILY
3 WO2011142509 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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