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(a) 기판을 제공하는 단계와,(b) 촉매 물질을 사용하지 않으면서, 상기 기판 상에 스퍼터링에 의해, Al-Sb-Te 3원 조성물의 박막을 증착하는 단계와,(c) 상기 박막이 형성된 기판을 산화 분위기 하의 반응로 내부에서 어닐링 열처리하여, Te을 상분리시켜 와이어 형태로 상기 박막으로부터 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 (c) 단계에 있어서, 상기 산화 분위기 하의 반응로 내부에서 어닐링 열처리하여, 상기 3원 조성물의 박막 중 Te을 제외한 두 원소를 산화시키고, 산화되지 않은 Te이 상분리되어 상기 박막으로부터 성장하도록 하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 제조 방법
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청구항 2에 있어서, 상기 (c) 단계에 있어서, 상기 반응로 내부를 산소 분위기 하에서 그리고 상압 조건 하에서, 상기 열처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 제조 방법
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청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (b) 단계에 있어서, 상기 3원 조성물의 박막을 50 nm의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 제조 방법
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청구항 4에 있어서, 상기 열처리를 30분간 수행하여, 다결정의 Te 나노와이어를 상기 박막으로부터 성장시키는 것을 특징으로 하는 나노와이어 제조 방법
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청구항 4에 있어서, 상기 열처리를 4시간 수행하여, 단결정의 Te 나노와이어 또는 수지상 형태의 나노와이어를 상기 박막으로부터 성장시키는 것을 특징으로 하는 나노와이어 제조 방법
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7
청구항 4에 있어서, 상기 열처리를 8시간 수행하여, 단결정의 Te 나노와이어 및 나노튜브를 상기 박막으로부터 성장시키는 것을 특징으로 하는 나노와이어 제조 방법
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8
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (b) 단계에 있어서, 상기 3원 조성물의 박막을 400 nm의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 제조 방법
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청구항 8에 있어서, 상기 열처리를 30분 동안 수행하여, 다결정의 Te 마이크로 와이어를 상기 박막으로부터 성장시키는 것을 특징으로 하는 나노와이어 제조 방법
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청구항 9에 있어서, 상기 박막 중 Al은 28% 이상 함유되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 제조 방법
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(A) 기판을 제공하는 단계와;(B) 촉매 물질을 사용하지 않으면서, 상기 기판 상에 Al-Sb-Te 박막을 증착하는 단계와;(C) 상기 박막이 형성된 기판을 진공 또는 불활성 가스 분위기 하의 반응로 내부에서 어닐링 열처리하여, Al을 상분리시킴과 아울러 Sb2Te3를 나노와이어 형태로 상기 박막으로부터 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 제조 방법
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12
청구항 11에 있어서, 상기 (C) 단계에서 상기 반응로 내부는 질소 가스 분위기인 것을 특징으로 하는 나노와이어 제조 방법
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13
청구항 12에 있어서, 상기 (C) 단계에서 상기 열처리는 250℃의 온도에서 30분간 수행하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 제조 방법
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14
청구항 11 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 있어서, 상기 박막 중 Al의 함량은 28~35%의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 나노와이어 제조 방법
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