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임플란트 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015125742
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 임플란트 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 구체적으로 설명하면, 기재 표면에 산화티타늄을 코팅층으로 도입한 임플란트로서, 기재 표면과 산화티타늄 코팅층 간의 접착력이 우수하기 때문에 임플란트가 크게 팽창되더라도 코팅층이 파괴되지 않을 뿐만 아니라, 생체적합성이 우수하다.
Int. CL C23C 14/14 (2013.01) C23C 14/34 (2013.01) A61F 2/82 (2013.01) A61L 27/30 (2013.01)
CPC A61L 27/306(2013.01) A61L 27/306(2013.01) A61L 27/306(2013.01) A61L 27/306(2013.01)
출원번호/일자 1020100100711 (2010.10.15)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1046674-0000 (2011.06.29)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20110706) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.10.15)
심사청구항수 22

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장양수 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 썬텍 주식회사 서울특별시 금천구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2010-0666561-61
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2010.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2010-0768596-17
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2010.11.26 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2010.11.30 수리 (Accepted) 9-1-2010-0073531-13
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.01.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0026688-08
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0173839-63
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.03.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0210305-18
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0209352-18
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0210299-10
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.03.22 무효 (Invalidation) 1-1-2011-0209354-10
11 보정요구서
Request for Amendment
2011.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0027437-70
12 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2011.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0239500-27
13 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2011.04.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0028894-90
14 등록결정서
Decision to grant
2011.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0291260-19
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
아르곤 및 산소의 유량비가 10:1
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,증착 시간은 6 ~ 15 분인 스텐트의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 스퍼터링 증착법은 마그네트론 스퍼터링 증착법(magnetron sputtering deposition)인 스텐트의 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 마그네트론 스퍼터링 증착법은 RF 마그네트론 증착법이고, RF 파워(RF power)는 200 내지 500 W이고, 동작압력(working pressure)은 1 내지 10 mtorr인 스텐트의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서,산화티타늄 코팅층을 형성하는 단계 전에 아르곤 가스 5 내지 15 sccm, 동작압력 60 내지 100 mtorr 및 DC 파워 700 내지 800 W의 조건 하에서 기재를 프리스퍼터링(presputtering)하는 단계를 추가로 포함하는 스텐트의 제조방법
7 7
스퍼터링 증착법으로 티타늄(Ti)을 강철, 강철 합금, 니켈, 니켈 합금, 스테인레스 또는 코발트-크롬 합금 소재의 기재 표면에 증착시켜 200 내지 350 nm 두께의 티타늄 코팅층을 형성하는 단계; 및 아르곤 및 산소의 유량비가 10:1
8 8
제 7 항에 있어서,티타늄 코팅층을 형성하는 단계의 스퍼터링 증착법은 DC 마그네트론 증착법인 스텐트의 제조방법
9 9
제 8 항에 있어서,DC 마그네트론 증착법의 DC 파워는 800 내지 1,000 W인 스텐트의 제조방법
10 10
삭제
11 11
제 7 항에 있어서,증착 시간은 3 ~ 7 분인 스텐트의 제조방법
12 12
삭제
13 13
스퍼터링 증착법으로 티타늄을 강철, 강철 합금, 니켈, 니켈 합금, 스테인레스 또는 코발트-크롬 합금 소재의 기재 표면에 증착시켜 200 내지 350 nm 두께의 티타늄 코팅층을 형성하는 단계; 및아르곤 및 산소의 혼합가스 분위기 하에서, 스퍼터링 증착법으로 산화티타늄을 상기 티타늄 코팅층 표면에 증착시키되, 상기 아르곤 및 산소의 유량비가 10:1
14 14
제 13 항에 있어서,산화티타늄 코팅층을 형성하는 단계는 아르곤 및 산소의 유량비가 10:0
15 15
제 14 항에 있어서,제1산화티타늄 코팅층을 형성하는 단계는 제1산화티타늄 코팅층의 두께를 2 내지 20 nm가 되도록 증착 시간을 제어하는 스텐트의 제조방법
16 16
제 15 항에 있어서,증착시간은 1분 내지 5분인 스텐트의 제조방법
17 17
제 13 항에 있어서,티타늄 코팅층을 형성하는 단계의 스퍼터링 증착법은 DC 마그네트론 증착법이고, DC 파워는 800 내지 1,000 W인 스텐트의 제조방법
18 18
삭제
19 19
제 14 항에 있어서,제2산화티타늄 코팅층의 두께가 10 내지 50 nm 되도록 증착 시간을 제어하는 스텐트의 제조방법
20 20
강철, 강철 합금, 니켈, 니켈 합금, 스테인레스 또는 코발트-크롬 합금 소재의 기재; 및상기 기재 상에 형성된 20 내지 50 nm 두께의 산화티타늄 코팅층을 포함하며, 하기 일반식 1을 만족하는 스텐트:[일반식 1]X = (ρf - ρi) /ρi ≥ 2상기 일반식 1에서,X는 40~50 kHz 주파수의 초음파로 2~3 시간 동안 처리할 때 코팅층이 파괴되기 시작하는 스텐트 직경의 변형율로서, ρi는 스텐트의 변형 전 내경이고, ρf 는 변형 후의 스텐트 내경을 나타낸다
21 21
제 20 항에 있어서,상기 일반식 1에 있어서, X ≥ 3을 만족시키는 스텐트
22 22
제 20 항에 있어서,상기 일반식 1에 있어서, X ≥ 4를 만족시키는 스텐트
23 23
제 20 항에 있어서,기재 및 산화티타늄 코팅층 사이에 티타늄 코팅층을 추가로 포함하는 스텐트
24 24
제 23 항에 있어서,산화티타늄 코팅층은 TixOy의 조성을 가지고, 티타늄 코팅층과 접하는 면으로부터 수직방향으로의 두께가 증가함에 따라, y/x의 값이 증가하는 스텐트;여기서, 상기 x는 티타늄 원자의 몰수를 나타내며, y는 산소 원자의 몰수를 나타낸다
25 25
강철, 강철 합금, 니켈, 니켈 합금, 스테인레스 또는 코발트-크롬 합금 소재의 기재; 상기 기재 표면 상에 형성된 200 내지 350 nm 두께의 티타늄 코팅층; 상기 티타늄 코팅층 상단에 형성된 20 내지 50 nm 두께의 산화티타늄(TixOy) 코팅층을 포함하고,상기 산화티타늄 코팅층은 TixOy의 조성을 가지고, 티타늄 코팅층과 접하는 면으로부터 수직방향으로의 두께가 증가함에 따라, y/x의 값이 증가하는 스텐트:여기서, 상기 x는 티타늄 원자의 몰수를 나타내며, y는 산소 원자의 몰수를 나타낸다
26 26
제 25 항에 있어서,산화티타늄 코팅층은 티탄층 상단에 형성되고, y/x가 0
27 27
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 보건복지부 연세대학교 산학협력단 보건의료연구개발사업 중개연구센터 다기능성 혈관 스탠트의 개발