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희생층이 형성된 기판; 및상기 희생층 상에 형성되고, 적어도 하나의 탄소계 나노 물질층 및 적어도 하나의 실리콘 카바이드(SiC)층을 포함하는 공진구조체를 포함하는 공진기
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제1항에 있어서, 상기 희생층은,상기 공진구조체의 일부 영역이 상기 기판과 이격되도록 하는 에어갭을 포함하는 공진기
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제1항에 있어서,상기 공진구조체는,상기 탄소계 나노 물질층과 상기 실리콘 카바이드층을 순서에 관계없이 각각 한 층씩 포함하는 2층 구조를 갖는 공진기
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제1항에 있어서,상기 공진구조체는, 상기 실리콘 카바이드층을 중심으로 상/하에 상기 탄소계 나노 물질층이 각각 적층되어 상기 공진구조체의 수직 중심부를 기준으로 대칭되는 3층 구조를 갖는 공진기
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제1항에 있어서,상기 공진구조체는, 상기 탄소계 나노 물질층을 중심으로 상/하에 상기 실리콘 카바이드층이 각각 적층되어 상기 공진구조체의 수직 중심부를 기준으로 대칭되는 3층 구조를 갖는 공진기
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제1항에 있어서,상기 탄소계 나노 물질층은 그라핀(grapheme), 그라파이트(graphite) 및 탄소 나노 튜브(CNT : Carbon Nano Tube) 중 어느 하나의 물질을 포함하는 공진기
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희생층이 형성된 기판 상에 적어도 하나의 탄소계 나노 물질층 및 적어도 하나의 실리콘 카바이드층을 포함하는 구조물을 형성하는 단계;상기 구조물을 식각하여 공진구조체를 형성하는 단계; 및상기 공진구조체의 일부 영역이 상기 기판과 이격되도록 상기 희생층을 식각하는 단계를 포함하는 공진기 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 구조물을 형성하는 단계는, 베이스 기판상에 금속층을 형성하는 단계;상기 금속층 상에 상기 탄소계 나노 물질층을 형성하는 단계;상기 베이스 기판으로부터 상기 금속층 및 상기 탄소계 나노 물질층을 분리시키는 단계;상기 분리된 금속층 및 상기 탄소계 나노 물질층을, 상기 희생층이 형성된 기판 상에 상기 탄소계 나노 물질층이 접하도록 접합하는 단계;상기 금속층을 식각하여 상기 탄소계 나노 물질층을 노출시키는 단계; 및 상기 탄소계 나노 물질층 상에 상기 실리콘 카바이드층을 형성하여 상기 구조물을 형성하는 단계를 포함하는 공진기 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 구조물을 형성하는 단계는, 상기 실리콘 카바이드층 상에 상기 탄소계 나노 물질층을 더 형성하는 단계를 더 포함하는 공진기 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 탄소계 나노 물질층을 형성하는 단계는, 상기 금속층이 형성된 베이스 기판을 석영 튜브 내에 장착하여 가열하는 단계;탄소 성분을 포함하는 반응 기체 혼합물을 상기 석영 튜브 안으로 주입하여 상기 탄소계 나노 물질층을 증착하는 단계; 및상기 탄소계 나노 물질을 냉각시키는 단계를 포함하는 공진기 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 구조물을 형성하는 단계는, 베이스 기판상에 금속층을 형성하는 단계;상기 금속층 상에 상기 실리콘 카바이드층을 형성하는 단계;상기 기판으로부터 상기 금속층 및 상기 실리콘 카바이드층을 분리시키는 단계;상기 분리된 금속층 및 상기 실리콘 카바이드층을, 상기 희생층이 형성된 기판 상에 상기 실리콘 카바이드층이 접하도록 접합하는 단계;상기 금속층을 식각하여 상기 실리콘 카바이드층을 노출시키는 단계; 및 상기 실리콘 카바이드층 상에 상기 탄소계 나노 물질층을 형성하여 상기 구조물을 형성하는 단계를 포함하는 공진기 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 구조물을 형성하는 단계는, 상기 탄소계 나노 물질층 상에 상기 실리콘 카바이드층을 더 형성하는 단계를 더 포함하는 공진기 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 탄소계 나노 물질층은그라핀(grapheme), 그라파이트(graphite) 및 탄소 나노 튜브(CNT : Carbon Nano Tube) 중 어느 하나의 물질을 포함하는 공진기 제조 방법
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