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나노전극을 제조하는 방법(S100')에 있어서, a) 표면에 미세 구조 패턴(11)이 형성된 기재(10)를 준비하는 기재준비단계(S110); b) 습식 두드림 방법을 이용하여 나노입자(20)를 상기 미세 구조 패턴(11)에 도입하는 나노입자배열단계(S120); c) 나노입자 리소그래피 방법(Nano Lithography)을 이용하여 기재(10)를 식각하여 나노전극(30)을 형성하는 기재식각단계(S130); 및 d) 상기 나노전극(30)의 적어도 일부분을 금속물질(50)로 코팅하는 코팅단계(S140);를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노전극 제조방법
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제 11 항에 있어서, 상기 d) 코팅단계(S140)는: d-1) 나노전극(30)이 형성된 기재(10) 상부면에 포토레지스트(photoresist, 60)를 소정 두께만큼 도포하여 나노전극(30) 일부분만이 노출되도록하는 포토레지스트 도포단계(S141); d-2) 포토레지스트(60) 상부면에 금속물질(50)을 증착하여, 일부분만이 노출된 나노전극(30)을 금속물질(50)로 코팅하는 금속물질 증착단계(S142); 및 d-3) 리프트 오프(lift-off) 방법을 이용하여 포토레지스트(50)를 제거하는 포토레지스트 제거단계(S143);를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노전극 제조방법
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제 11 항에 있어서, 상기 d) 코팅단계(S140)의 금속물질(50)은 접착성 금속 또는 전도성 금속인 것을 특징으로 하는 나노전극 제조방법
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제 11 항에 있어서, 상기 d) 코팅단계(S140)의 금속물질(50)은 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 백금(Pt), 은(Ag) 및 금(Au)으로 이루어진 군에서 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 나노전극 제조방법
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제 11 항에 있어서, 상기 a) 기재준비단계(S110)에서, 상기 미세 구조 패턴(11)은, 기재(10) 표면이 식각되어 형성된 것이거나, 기재(10) 표면에 형성된 다른 물질이 패턴된 것임을 특징으로 하는 나노전극 제조방법
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제 11 항에 있어서, 상기 나노입자(20)는, 고분자 나노 입자, 실리카계 나노 입자 및 금속 나노 입자로 이루어진 군 중에서 선택되는 적어도 하나 이상인 것을 특징으로 하는 나노전극 제조방법
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제 11 항에 있어서, 상기 나노입자(20)는, 폴리스티렌(polystyrene) 나노 입자, 실리카(silica) 나노 입자 및 금(gold) 나노 입자로 이루어진 군 중에서 선택되는 적어도 하나 이상인 것을 특징으로 하는 나노전극 제조방법
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제 11 항에 있어서, 상기 b) 나노입자배열단계(S120)는: b-1) 기재(10)의 미세 구조 패턴(11) 상에 나노 입자(20)를 포함하는 콜로이드용액(colloidal solution, 21)을 공급하는 콜로이드용액 공급단계(S121); b-2) 충격부재(40)를 사용하여 콜로이드 용액(21)이 공급된 기재(10)의 표면을 반복적으로 두드려(tapping), 콜로이드 용액(21) 내 나노 입자(20)를 미세 구조 패턴(11)에 도입시키는 나노입자도입단계(S122); 및 b-3) 상기 기재(10)의 표면에 잔류하는 콜로이드 용액(21)을 제거하는 잔류용액제거단계(S123);를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노전극 제조방법
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제 18 항에 있어서, 상기 b-2) 나노입자도입단계(S122)에서, 상기 충격부재(40)로 기재(10)의 표면을 기재(10)의 표면과 수직인 방향으로 두드리는 것을 특징으로 하는 나노전극 제조방법
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제 18 항에 있어서, 상기 b-2) 나노입자도입단계(S122)에서, 상기 충격부재(40)로 두드리는 압력은, 0
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제 18 항에 있어서, 상기 b-2) 나노입자도입단계(S122)에서, 상기 충격부재(40)로 두드리는 속도는 1 초당 0
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제 18 항에 있어서, 상기 충격부재(40)는 다공성(porous) 물질로 이루어진 특징으로 하는 나노전극 제조방법
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제 18 항에 있어서, 상기 충격부재(40)는 우레탄계 고분자 화합물인 것을 특징으로 하는 나노전극 제조방법
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상기 제 11 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 따른 나노전극 제조방법(S100, S100')에 의해 제조된 나노전극(30)
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상기 제 24 항에 따른 나노전극(30)을 포함하는 것을 특징으로 하는 미세전자기계시스템(MEMS; Microelectromechanical Systems)
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