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기판 상의 적어도 일부분에 가스 반응 물질이 형성된 가스 센서에 테라헤르츠 펄스를 인가하는 단계;상기 가스 센서를 투과한 테라헤르츠 펄스를 검출하는 단계;검출된 상기 테라헤르츠 펄스로부터 테라헤르츠 TDS(Time Domain Spectroscopy)를 이용하여 상기 가스 반응 물질의 전도도를 산출하는 단계; 및산출된 상기 전도도를 비교하여 가스를 감지하는 단계;를 포함하고,상기 가스 센서는,상기 기판 상의 적어도 일부분에 형성된 실리콘 나노선; 및상기 실리콘 나노선 상에 형성된 가스 반응 물질;을 포함하고,상기 가스 반응 물질은 ZnO, Cr2O3, Mn2O3, Co3O4, NiO, CuO, SrO, In2O3, WO3, TiO2, V2O3, Fe2O3, GeO2, Nb2O5, MoO3, Ta2O5, La2O3, CeO2, Nd2O3 중의 적어도 하나를 포함하며,상기 테라헤르츠 TDS를 이용하여 상기 가스 반응 물질의 전도도를 산출하는 단계는,상기 가스 반응 물질이 형성된 기판을 투과한 테라헤르츠 펄스 및 상기 가스 반응 물질이 형성되지 않은 기판만을 투과한 테라헤르츠 펄스를 이용하여 전도도를 산출하며,상기 전도도를 비교하여 가스를 감지하는 단계는,공기 분위기에서 산출된 상기 가스 반응 물질의 전도도와 반응 가스 분위기에서 산출된 상기 가스 반응 물질의 전도도를 비교하여 가스를 감지하는 가스 감지 방법
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제1 항에 있어서,상기 테라헤르츠 펄스를 인가하는 단계는,1
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테라헤르츠를 이용하여 가스를 감지하는 가스 센서로서,테라헤르츠 펄스가 투과되는 기판;상기 기판 상의 적어도 일부분에 형성된 실리콘 나노선; 및상기 실리콘 나노선 상에 형성된 가스 반응 물질;을 포함하고,상기 가스 반응 물질은 ZnO, Cr2O3, Mn2O3, Co3O4, NiO, CuO, SrO, In2O3, WO3, TiO2, V2O3, Fe2O3, GeO2, Nb2O5, MoO3, Ta2O5, La2O3, CeO2, Nd2O3 중의 적어도 하나를 포함하는 가스 센서
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제5 항에 있어서,상기 기판은 사파이어 기판 또는 화학기상증착법(CVD)으로 성장시킨 다이아몬드 기판 중의 적어도 하나를 포함하는 가스 센서
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테라헤르츠를 이용하여 가스를 감지하는 가스 센서 제조 방법에 있어서,테라헤르츠 펄스를 투과하는 기판을 준비하는 단계;상기 기판 상의 적어도 일부분에 실리콘 나노선을 형성하는 단계;상기 가스 센서의 표면적을 넓히기 위해 상기 실리콘 나노선에 열산화(thermal oxidation) 및 에칭(etching) 공정을 수행하는 단계; 및상기 실리콘 나노선 상에 원자층 증착법으로 가스 반응 물질을 증착하는 단계;를 포함하고,상기 가스 반응 물질은 ZnO, Cr2O3, Mn2O3, Co3O4, NiO, CuO, SrO, In2O3, WO3, TiO2, V2O3, Fe2O3, GeO2, Nb2O5, MoO3, Ta2O5, La2O3, CeO2, Nd2O3 중의 적어도 하나를 포함하는 테라헤르츠를 이용하여 가스를 감지하는 가스 센서의 제조 방법
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제9 항에 있어서,상기 테라헤르츠 펄스를 투과하는 기판은 사파이어 기판 또는 화학기상증착법(CVD)으로 성장시킨 다이아몬드 기판 중의 적어도 하나를 포함하는 테라헤르츠를 이용하여 가스를 감지하는 가스 센서의 제조 방법
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