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테라헤르츠를 이용한 가스 감지 방법, 가스 센서, 가스 센서의 제조 방법 및 가스 감지 시스템

  • 기술번호 : KST2015126069
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판상의 적어도 일부분에 가스 반응 물질이 형성된 가스 센서에 테라헤르츠 펄스를 인가하는 단계 및 상기 가스 센서를 투과한 테라헤르츠 펄스를 검출하는 단계를 포함하는 가스 감지 방법에 관한 것이다.
Int. CL G01N 21/25 (2006.01) G01N 27/02 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC G01N 21/3586(2013.01) G01N 21/3586(2013.01) G01N 21/3586(2013.01) G01N 21/3586(2013.01)
출원번호/일자 1020140104368 (2014.08.12)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1510228-0000 (2015.04.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150410) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.08.12)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형준 대한민국 서울특별시 영등포구
2 고경용 대한민국 제주특별자치도 제
3 이태윤 대한민국 서울특별시 서대문구
4 이슬아 대한민국 서울특별시 서대문구
5 최현용 대한민국 서울특별시 송파구
6 홍주리 대한민국 경기도 김포시
7 박준 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
2 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2014-0762087-09
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
3 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-1230552-74
4 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2014.12.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2015.01.06 수리 (Accepted) 9-1-2015-0000378-17
6 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2015.01.15 수리 (Accepted) 9-1-2015-0006729-79
7 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2015.01.16 수리 (Accepted) 9-1-2015-0006806-97
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.01.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0034973-97
9 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2015.01.17 수리 (Accepted) 9-1-2015-0006818-34
10 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2015.01.18 수리 (Accepted) 9-1-2015-0006829-36
11 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-0060422-60
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.03.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0254657-21
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0254656-86
14 등록결정서
Decision to grant
2015.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0204063-52
15 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2015.06.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0581535-41
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상의 적어도 일부분에 가스 반응 물질이 형성된 가스 센서에 테라헤르츠 펄스를 인가하는 단계;상기 가스 센서를 투과한 테라헤르츠 펄스를 검출하는 단계;검출된 상기 테라헤르츠 펄스로부터 테라헤르츠 TDS(Time Domain Spectroscopy)를 이용하여 상기 가스 반응 물질의 전도도를 산출하는 단계; 및산출된 상기 전도도를 비교하여 가스를 감지하는 단계;를 포함하고,상기 가스 센서는,상기 기판 상의 적어도 일부분에 형성된 실리콘 나노선; 및상기 실리콘 나노선 상에 형성된 가스 반응 물질;을 포함하고,상기 가스 반응 물질은 ZnO, Cr2O3, Mn2O3, Co3O4, NiO, CuO, SrO, In2O3, WO3, TiO2, V2O3, Fe2O3, GeO2, Nb2O5, MoO3, Ta2O5, La2O3, CeO2, Nd2O3 중의 적어도 하나를 포함하며,상기 테라헤르츠 TDS를 이용하여 상기 가스 반응 물질의 전도도를 산출하는 단계는,상기 가스 반응 물질이 형성된 기판을 투과한 테라헤르츠 펄스 및 상기 가스 반응 물질이 형성되지 않은 기판만을 투과한 테라헤르츠 펄스를 이용하여 전도도를 산출하며,상기 전도도를 비교하여 가스를 감지하는 단계는,공기 분위기에서 산출된 상기 가스 반응 물질의 전도도와 반응 가스 분위기에서 산출된 상기 가스 반응 물질의 전도도를 비교하여 가스를 감지하는 가스 감지 방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1 항에 있어서,상기 테라헤르츠 펄스를 인가하는 단계는,1
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테라헤르츠를 이용하여 가스를 감지하는 가스 센서로서,테라헤르츠 펄스가 투과되는 기판;상기 기판 상의 적어도 일부분에 형성된 실리콘 나노선; 및상기 실리콘 나노선 상에 형성된 가스 반응 물질;을 포함하고,상기 가스 반응 물질은 ZnO, Cr2O3, Mn2O3, Co3O4, NiO, CuO, SrO, In2O3, WO3, TiO2, V2O3, Fe2O3, GeO2, Nb2O5, MoO3, Ta2O5, La2O3, CeO2, Nd2O3 중의 적어도 하나를 포함하는 가스 센서
6 6
삭제
7 7
제5 항에 있어서,상기 기판은 사파이어 기판 또는 화학기상증착법(CVD)으로 성장시킨 다이아몬드 기판 중의 적어도 하나를 포함하는 가스 센서
8 8
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9 9
테라헤르츠를 이용하여 가스를 감지하는 가스 센서 제조 방법에 있어서,테라헤르츠 펄스를 투과하는 기판을 준비하는 단계;상기 기판 상의 적어도 일부분에 실리콘 나노선을 형성하는 단계;상기 가스 센서의 표면적을 넓히기 위해 상기 실리콘 나노선에 열산화(thermal oxidation) 및 에칭(etching) 공정을 수행하는 단계; 및상기 실리콘 나노선 상에 원자층 증착법으로 가스 반응 물질을 증착하는 단계;를 포함하고,상기 가스 반응 물질은 ZnO, Cr2O3, Mn2O3, Co3O4, NiO, CuO, SrO, In2O3, WO3, TiO2, V2O3, Fe2O3, GeO2, Nb2O5, MoO3, Ta2O5, La2O3, CeO2, Nd2O3 중의 적어도 하나를 포함하는 테라헤르츠를 이용하여 가스를 감지하는 가스 센서의 제조 방법
10 10
삭제
11 11
제9 항에 있어서,상기 테라헤르츠 펄스를 투과하는 기판은 사파이어 기판 또는 화학기상증착법(CVD)으로 성장시킨 다이아몬드 기판 중의 적어도 하나를 포함하는 테라헤르츠를 이용하여 가스를 감지하는 가스 센서의 제조 방법
12 12
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13 13
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14 14
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15 15
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 중견연구자지원 테라헤르츠 기반 초민감 다중 분자 검지 시스템
2 지식경제부 연세대학교 산학협력단 전자정보디바이스산업원천기술개발 초미세 반도체와 플렉서블 디스플레이 공정을 위한 무기물 박막증착용 고밀도 플라즈마 기술개발
3 미래창조과학부 연세대학교 산학협력단 글로벌프런티어사업(다차원 스마트 IT 융합 시스템 연구) 상시 환경 모니터링을 위한 원자층 PN 광 다이오드 기반 무전원 분자 검출 시스템 개발