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나노 와이어 반도체 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015126936
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노 와이어 반도체 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 금속기판을 사용함으로써 금속기판 위에 별도의 촉매를 가하지 아니하고, 챔버내에서의 반응에 따라 금속기판으로부터 자체적으로 형성되는 촉매를 이용하여 반응물질에 대응되는 나노 와이어를 성장시키도록 하는 나노와이어 반도체 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 특히 금속기판을 사용하게 되므로 종래에서와 같이 기판상에 촉매를 별도로 형성하여야 하는 공정상의 복잡성을 해소시킬 수 있고, 금속기판 위에 직접 나노 와이어가 성장하도록 하는 것이므로 기판상에 별도로 전극을 형성할 필요가 없으며, 금속기판과 나노 와이어의 면 접촉으로부터 형성되는 금속-실리사이드가 자기 오믹 접합을 형성하도록 할 수 있고, 촉매부분 역시 금속-실리사이드 형성으로 자기 오믹 접합을 이루어, 나노 와이어 전체적으로 통전효과가 향상된 나노 와이어 반도체 및 그 제조방법을 제공한다.금속기판, 나노와이어, 반도체, 촉매, 금속-실리사이드, 오믹 접합
Int. CL B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020090093090 (2009.09.30)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1118685-0000 (2012.02.14)
공개번호/일자 10-2011-0035395 (2011.04.06) 문서열기
공고번호/일자 (20120307) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.09.30)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최헌진 대한민국 서울특별시 성북구
2 김명하 대한민국 인천광역시 부평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 강민수 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, *층 (역삼동, 우일빌딩)(광개토국제특허법률사무소)
2 최환욱 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 케이앤와이빌딩)(특허법인 수)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0602703-56
2 보정요구서
Request for Amendment		 2009.10.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0075855-52
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2009-0627252-96
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0350855-93
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.06.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0495630-92
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0495629-45
7 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2011.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0500435-14
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
9 등록결정서
Decision to grant		 2012.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0073722-99
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
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번호 청구항
1 1
Sc, Y, Ti, Zr, Hf, La, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Fe, Co, Rh, Pd, Pt, Cu, Er, Yb, Lu, Nd, Sm, Eu 또는 Gd를 적어도 일영역 포함하고 있는 단체 또는 화합물 금속기판을 챔버에 위치시키는 단계; 상기 챔버에 규소 화합물 또는 게르마늄 화합물 중에서 선택되는 적어도 어느 하나의 기체를 충전하여 상기 기체와 금속기판의 반응을 위한 촉매를 발생시키는 단계; 및상기 금속기판상에서 규소, 게르마늄 또는 규소-게르마늄 화합물 와이어를 성장시키는 단계;를 포함하도록 함으로써, 이종의 촉매 및 전극물질 없이도 상기 금속 기판상에서 나노 와이어가 성장될 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 반도체의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 와이어는 봉상 또는 침상인 것을 특징으로 하는 나노 와이어 반도체의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 와이어의 적어도 일부는, N 타입 물질, P 타입 물질 또는 전이금속 중 적어도 어느 하나에 의해 도핑되는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 반도체의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 금속 기판은 와이어 단부의 적어도 일부면과 접촉되어 있는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 반도체의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 금속기판과 상기 와이어는 오믹 컨택(ohmic contact)인 것을 특징으로 하는 나노 와이어 반도체의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 촉매를 발생시키는 단계는, 수소 분위기 하에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 반도체의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 촉매는, 금속 기판의 물질과 동일한 물질인 것을 특징으로 하는 나노 와이어 반도체의 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 챔버의 내부 온도는 700℃ ～ 1200℃의 온도범위인 것을 특징으로 하는 나노 와이어 반도체의 제조방법
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 규소 화합물 기체는 SiH4, SiCl4 중 어느 하나이며, 게르마늄 화합물 기체는 GeH4, GeCl4 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노 와이어 반도체의 제조방법
10 10
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항의 방법에 의하여 제조되어, 금속기판과 동일한 물질의 전극과 촉매를 갖는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 반도체
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