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기재; 및상기 기재 상에 형성되고, 일정한 간격으로 배열된 나노 입자를 함유하는 광결정층을 포함하는 구조물의 변형률 측정용 장치
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제 1 항에 있어서, 나노 입자는, 1nm 내지 10nm의 일정한 간격으로 배열되어 있는 구조물의 변형률 측정용 장치
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제 1 항에 있어서, 나노 입자는, 직경이 50nm 내지 300nm인 구조물의 변형률 측정용 장치
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제 1 항에 있어서, 나노 입자는, 폴리스티렌, 폴리(메타)아크릴산 에스테르, 폴리(메타)아크릴아마이드, 폴리실록산, 양친매성의 폴리스티렌/메타아크릴레이트 블록공중합체 및 자성체로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 구조물의 변형률 측정용 장치
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제 4 항에 있어서, 자성체는 금속 물질, 자성 물질 및 자성 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 구조물의 변형률 측정용 장치
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제 5 항에 있어서,금속 물질은, Pt, Pd, Ag, Cu 및 Au로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 구조물의 변형률 측정용 장치
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제 5 항에 있어서, 자성 물질은 Co, Mn, Fe, Ni, Gd, Mo, MM’2O4 및 MxOy로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상이고, 상기 M 및 M’은 각각 독립적으로 Co, Fe, Ni, Zn, Gd 또는 Cr을 나타내며, 0003c# x ≤3, 0003c# y ≤5인 구조물의 변형률 측정용 장치
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제 5 항에 있어서, 자성 합금은, CoCu, CoPt, FePt, CoSm, NiFe 및 NiFeCo로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 구조물의 변형률 측정용 장치
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제 4 항에 있어서, 자성체는 강자성 나노입자 클러스터; 및 상기 클러스터를 둘러싸고 있는 코팅층을 포함하는 형태인 구조물의 변형률 측정용 장치
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제 9 항에 있어서, 코팅층은 실리카, 폴리알킬렌글리콜, 폴리에테르이미드, 폴리비닐피롤리돈, 친수성 폴리아미노산 및 친수성 비닐계 고분자 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 구조물의 변형률 측정용 장치
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제 1 항에 있어서, 광결정층은, 두께가 5㎛ 내지 10㎛인 구조물의 변형률 측정용 장치
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제 1 항에 있어서, 광결정층은 열경화성 수지 또는 광경화성 수지 내에 나노 입자가 일정한 간격으로 배열된 것을 특징으로 하는 구조물의 변형률 측정용
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제 12 항에 있어서, 열경화성 수지는, 에폭시 수지, 폴리에스테르 수지, 페놀 수지, 요소 수지 및 멜라민 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 구조물의 변형률 측정용 장치
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제 12 항에 있어서, 광경화성 수지는, 폴리우레탄아크릴레이트, 폴리이소프렌계 아크릴레이트 또는 그 에스테르화물, 테르펜계 수소 첨가 수지, 부타디엔 중합체, 비스페놀 디아크릴레이트계 수지 및 폴리에틸렌글리콜 디아크릴레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 구조물의 변형률 측정용 장치
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15
광결정층을 기재 상에 형성하는 제 1단계;상기 광결정층이 형성된 기재를 변형 측정대상 구조물 표면에 부착시키는 제 2단계; 및상기 광결정층의 구조색 변화 또는 자속 변화를 측정하는 제 3단계를 포함하는 구조물의 변형률 측정방법
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제 15 항에 있어서, 광결정층은, 강자성 나노입자 클러스터 및 코팅층 전구체를 혼합하는 제 a 단계;상기 코팅층 전구체를 이용하여 강자성 나노입자 클러스터에 코팅층을 형성하는 제 b 단계;상기 코팅층이 형성된 강자성 나노입자 클러스터와 열경화성 수지 또는 광경화성 수지를 혼합하는 제 c 단계; 및상기 혼합물에 열 또는 광선을 가하여 광결정층을 제조하는 제 d 단계를 포함하는 제조 방법에 의해 제조된 구조물의 변형률 측정 방법
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