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나노선 패턴 형성 방법 및 선 편광자 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015128571
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 선폭이 100nm 이하인 나노선 패턴을 대면적으로 용이하게 형성할 수 있는 나노선 패턴 형성 방법과, 이를 이용한 선 편광자 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 나노선 패턴 형성 방법은, 결정질 기판을 고온 열처리하여 자발적으로 볼록부와 오목부를 포함하는 기초 나노선 패턴을 형성하는 제1 단계와, 기초 나노선 패턴 위에 제1 블록과 제2 블록이 결합된 블록 공중합체를 도포 후 열처리하여 라멜라 구조의 제1 블록과 제2 블록을 나누어 정렬시키는 제2 단계와, 제1 블록과 제2 블록 중 어느 하나를 제거하여 나노선 패턴을 형성하는 제3 단계를 포함한다. 제2 단계에서 분리된 제1 블록의 높이와 제2 블록의 높이는 기초 나노선 패턴의 볼록부 높이보다 크다.나노선, 결정질, 사파이어, 실리콘, 라멜라, 블록공중합체, 자기조립
Int. CL B82B 3/00 (2006.01)
CPC C23C 18/31(2013.01) C23C 18/31(2013.01) C23C 18/31(2013.01) C23C 18/31(2013.01)
출원번호/일자 1020090078066 (2009.08.24)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1109104-0000 (2012.01.17)
공개번호/일자 10-2011-0020450 (2011.03.03) 문서열기
공고번호/일자 (20120216) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.24)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최대근 대한민국 대전광역시 유성구
2 이기중 대한민국 대전 서구
3 정준호 대한민국 대전광역시 유성구
4 최준혁 대한민국 대전광역시 유성구
5 김기돈 대한민국 서울 송파구
6 이지혜 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0515638-67
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.02.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0023136-10
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0216276-57
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2011-0416893-07
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.06.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0416894-42
9 등록결정서
Decision to grant		 2011.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0782806-21
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
결정질 기판을 고온 열처리하여 자발적으로 볼록부와 오목부를 포함하는 기초 나노선 패턴을 형성하는 제1 단계;상기 기초 나노선 패턴 위에 제1 블록과 제2 블록이 결합된 블록 공중합체를 도포 후 열처리하여 라멜라 구조의 제1 블록과 제2 블록을 나누어 정렬시키는 제2 단계; 및상기 제1 블록과 상기 제2 블록 중 어느 하나를 제거하여 나노선 패턴을 형성하는 제3 단계를 포함하며,상기 제2 단계에서 분리된 상기 제1 블록의 높이와 상기 제2 블록의 높이는 상기 기초 나노선 패턴의 볼록부 높이보다 큰 나노선 패턴 형성 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 제1 단계에서, 상기 결정질 기판은 사파이어 기판이며, 600℃ 내지 2000℃에서 열처리되는 나노선 패턴 형성 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 제1 단계에서, 상기 결정질 기판은 실리콘 기판이며, 500℃ 내지 1200℃에서 열처리되는 나노선 패턴 형성 방법
4 4
제2항 또는 제3항에 있어서,상기 제1 단계에서, 상기 볼록부는 20nm 내지 130nm의 폭과, 0
5 5
제2항에 있어서,상기 제1 단계에서, 볼록부는 경사진 산 모양으로 형성되는 나노선 패턴 형성 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 제2 단계에서 분리된 상기 제1 블록의 높이와 상기 제2 블록의 높이는 20nm보다 큰 나노선 패턴 형성 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 제3 단계에서, 상기 나노선 패턴의 높이는 50nm 이상인 나노선 패턴 형성 방법
8 8
결정질 기판을 고온 열처리하여 자발적으로 볼록부와 오목부를 포함하는 기초 나노선 패턴을 형성하는 제1 단계;상기 기초 나노선 패턴 위에 제1 블록과 제2 블록이 결합된 블록 공중합체를 도포 후 열처리하여 라멜라 구조의 제1 블록과 제2 블록을 나누어 정렬시키는 제2 단계;상기 제1 블록과 상기 제2 블록 중 어느 하나를 제거하여 100nm 이하의 폭과 50nm 이상의 높이는 가지는 나노선 패턴을 형성하는 제3 단계;투명 기판 위에 점성을 가진 도전성 물질을 도포하는 제4 단계; 및상기 나노선 패턴으로 상기 도전성 물질을 가압 후 분리시켜 편광 나노선 패턴을 형성하는 제5 단계를 포함하는 선 편광자 제조 방법
9 9
제8항에 있어서,상기 제4 단계에서, 상기 도전성 물질은 니켈, 알루미늄, 은, 금, 백금, 구리, 탄소 나노튜브, 흑연, 및 도전성 고분자 물질로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 물질과, 열 경화성 또는 자외선 경화성 고분자 물질을 포함하는 선 편광자 제조 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 제5 단계에서 상기 나노선 패턴의 분리 후 상기 도전성 물질에 열 또는 자외선을 인가하여 상기 도전성 물질을 경화시키는 선 편광자 제조 방법
11 11
결정질 기판을 고온 열처리하여 자발적으로 볼록부와 오목부를 포함하는 기초 나노선 패턴을 형성하는 제1 단계;상기 기초 나노선 패턴 위에 제1 블록과 제2 블록이 결합된 블록 공중합체를 도포 후 열처리하여 라멜라 구조의 제1 블록과 제2 블록을 나누어 정렬시키는 제2 단계;상기 제1 블록과 상기 제2 블록 중 어느 하나를 제거하여 100nm 이하의 폭과 50nm 이상의 높이는 가지는 나노선 패턴을 형성하는 제3 단계;상기 나노선 패턴의 사이 공간으로 금속선을 성장시키는 제4 단계; 및상기 금속선을 투명 기판으로 전이시켜 편광 나노선 패턴을 형성하는 제5 단계를 포함하는 선 편광자 제조 방법
12 12
제11항에 있어서,상기 제4 단계에서, 상기 금속선은 무전해 증착법으로 형성하며, 상기 나노선 패턴보다 큰 높이를 가지는 선 편광자 제조 방법
13 13
제11항에 있어서,상기 제5 단계에서, 상기 투명 기판 위에 상기 나노선 패턴보다 상기 금속선과의 접합력이 큰 접착제를 도포하고, 상기 금속선을 상기 접착제에 밀착시켜 상기 투명 기판으로 전이시키는 선 편광자 제조 방법
14 14
제11항에 있어서,상기 제5 단계에서, 상기 투명 기판을 말단기가 티올인 표면처리제로 표면처리하거나 산소 플라즈마 처리하고, 상기 금속선을 상기 투명 기판에 밀착시켜 상기 투명 기판으로 전이시키는 선 편광자 제조 방법
15 15
결정질 기판을 고온 열처리하여 자발적으로 볼록부와 오목부를 포함하는 기초 나노선 패턴을 형성하는 제1 단계;상기 기초 나노선 패턴 위에 제1 블록과 제2 블록이 결합된 블록 공중합체를 도포 후 열처리하여 라멜라 구조의 제1 블록과 제2 블록을 나누어 정렬시키는 제2 단계;상기 제1 블록과 상기 제2 블록 중 어느 하나를 제거하여 100nm 이하의 폭과 50nm 이상의 높이는 가지는 나노선 패턴을 형성하는 제3 단계;몰드 기판 위에 고분자 물질을 도포하고, 상기 나노선 패턴으로 상기 고분자 물질을 가압 후 분리시켜 요철 구조를 가지는 임프린트 몰드를 제작하는 제4 단계; 및상기 임프린트 몰드를 이용한 임프린트 기법으로 투명 기판 위에 도전성 물질을 패터닝하여 편광 나노선 패턴을 형성하는 제5 단계를 포함하는 선 편광자 제조 방법
16 16
제15항에 있어서,상기 제4 단계에서, 상기 고분자 물질은 열 경화성 또는 자외선 경화성 고분자 물질을 포함하며, 상기 나노선 패턴의 분리 후 열 또는 자외선에 의해 경화되는 선 편광자 제조 방법
17 17
제15항에 있어서,상기 제3 단계와 상기 제4 단계 사이에,상기 제1 블록과 상기 제2 블록 중 남은 블록을 식각 마스크로 사용하여 상기 결정질 기판을 식각함으로써 상기 나노선 패턴의 종횡비를 높이는 단계를 더욱 포함하는 선 편광자 제조 방법
18 18
제15항에 있어서,상기 제3 단계와 상기 제4 단계 사이에,상기 나노선 패턴의 사이 공간으로 금속을 증착하여 금속 나노선 패턴을 형성한 다음 상기 제1 블록과 상기 제2 블록 중 남은 블록을 제거하는 단계; 및상기 금속 나노선 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 결정질 기판을 식각함으로써 상기 금속 나노선 패턴의 종횡비를 높이는 단계를 더욱 포함하며,상기 제4 단계에서, 상기 나노선 패턴 대신 상기 금속 나노선 패턴으로 상기 고분자 물질을 가압 후 분리시키는 선 편광자 제조 방법
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순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국기계연구원 국가플랫폼 기술개발사업 비노광 기반 나노구조체 제작기술(1/3)