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순차적으로 적층된 제1 전극, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 제2 전극을 포함하는 유기발광소자에 있어서, 상기 제1 전극 및 정공주입층의 계면에 제1 금 나노입자가 분산되고,상기 정공주입층 내부에는 제2 금 나노입자가 블렌딩되고, 상기 제1 전극 및 정공주입층의 계면과, 상기 정공주입층에는 이소프로필알코올이 첨가되고,상기 제1 전극은 ITO(Indium Tin Oxide), FTO(fluorine doped tin oxide), AZO(aluminum doped zinc oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)로 형성되며,상기 정공주입층은 PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfonate); 구리프탈로시아닌, m-MTDATA [4,4',4''-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine], NPB(N,N'-디(1-나프틸)-N,N'-디페닐벤지딘), TDATA, 2T-NATA, Pani/DBSA(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid), Pani/CSA (Polyaniline/Camphor sulfonicacid) 및 PANI/PSS((Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate))로 이루어진 군에서 선택되는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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청구항 1에 있어서, 상기 정공수송층은 NPB(2,2'-bis(N-(naphthyl)-N-phenyl-amino) biphenyl), N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 및 N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민(TPD)로 이루어진 군에서 선택되는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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청구항 1에 있어서, 상기 발광층은 Alq3(트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄;tris-8-hydroxyquinoline aluminum), CBP(4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐), PVK(폴리(n-비닐카바졸)), 9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센(ADN), TCTA, TPBI(1,3,5-트리스(N-페닐벤즈이미다졸-2-일)벤젠(1,3,5-tris(Nphenylbenzimidazole-2-yl)benzene)), TBADN(3-tert-부틸-9,10-디(나프트-2-일) 안트라센) 및 DSA(디스티릴아릴렌)로 이루어진 군에서 선택되는 호스트 재료에, PtOEP, Ir(piq)3, Btp2Ir(acac) 또는 DCJTB와 같은 적색 도펀트; Ir(ppy)3, Ir(ppy)2(acac) 또는 Ir(mpyp)3와 같은 녹색 도펀트; 및 F2Irpic, (F2ppy)2Ir(tmd), Ir(dfppz)3, ter-플루오렌(fluorene), 4,4'-비스(4-디페닐아미노스타릴) 비페닐 (DPAVBi) 또는 2,5,8,11-테트라-티-부틸 페릴렌(TBP)와 같은 청색 도펀트로 이루어진 군에서 선택되는 게스트 재료가 주입되어 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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청구항 6에 있어서, 상기 발광층은 Alq3(tris-8-hydroxyquinoline aluminum):C545T로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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청구항 1에 있어서, 상기 전자수송층은 Alq3(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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청구항 1에 있어서, 상기 제2 전극은 LiF:Al 또는 상기 제1 전극보다 낮은 일함수를 갖는 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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