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유기 발광다이오드 및 유기 발광다이오드의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015128968
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기 발광다이오드 및 유기 발광다이오드의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 유기 발광다이오드는, 유기 발광층을 통해 빛을 발산하며, 기판과, 상기 기판 상에 형성되는 양전극과, 상기 양전극 상에 형성되며 상기 유기 발광층을 포함하는 유기 박막층과, 상기 유기 박막층 상에 형성되는 음전극을 포함하는 유기 발광다이오드에 있어서, 상기 기판 및 상기 양전극 사이에 형성되며, 상면에 나노기둥 및 나노홀이 교대로 배치되는 나노패턴이 형성된 레진 박막층; 및 상기 나노홀에 충진되는 나노금속 콜로이드;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 51/54 (2006.01) H01L 51/56 (2006.01)
CPC H01L 51/5262(2013.01) H01L 51/5262(2013.01)
출원번호/일자 1020090060681 (2009.07.03)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1013885-0000 (2011.02.01)
공개번호/일자 10-2011-0003080 (2011.01.11) 문서열기
공고번호/일자 (20110214) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.07.03)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최준혁 대한민국 대전광역시 유성구
2 김기돈 대한민국 서울특별시 송파구
3 이지혜 대한민국 대전광역시 유성구
4 최대근 대한민국 대전광역시 유성구
5 정준호 대한민국 대전광역시 유성구
6 박성제 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 나승택 대한민국 서울특별시 서초구 양재천로**길 **, *층 (양재동, 대화빌딩)(무일국제특허법률사무소)
2 조영현 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***(도곡동, 은하수빌딩) *층(특허사무소시선)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2009-0407626-64
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2010-0026362-48
3 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0273274-55
4 우선심사신청관련 서류제출서
Submission of Document Related to Request for Accelerated Examination		 2010.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0336001-19
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0319282-24
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0620666-90
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.10.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0448194-07
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2010.11.08 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2010-0726850-47
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0726844-73
10 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2010.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0525829-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
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번호 청구항
1 1
유기 발광층을 통해 빛을 발산하며, 기판과, 상기 기판 상에 형성되는 양전극과, 상기 양전극 상에 형성되며 상기 유기 발광층을 포함하는 유기 박막층과, 상기 유기 박막층 상에 형성되는 음전극을 포함하는 유기 발광다이오드에 있어서, 상기 기판 및 상기 양전극 사이에 형성되며, 상면에 나노기둥 및 나노홀이 교대로 배치되는 나노패턴이 형성된 레진 박막층; 및 상기 나노홀에만 충진되는 나노금속 콜로이드;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광다이오드
2 2
제1항에 있어서, 상기 나노금속 콜로이드는 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 및 이들의 합금으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광다이오드
3 3
삭제
4 4
유기 발광층을 통해 빛을 발산하는 유기 발광다이오드의 제조방법에 있어서, 기판 상에 레진 박막층을 형성하는 레진 박막층 형성단계; 상기 레진 박막층의 상면에 나노기둥 및 나노홀이 교대로 배치되는 나노패턴을 형성하는 나노패턴 형성단계; 상기 나노홀 내에 나노금속 콜로이드를 충진하는 충진단계; 상기 나노기둥 상에 잔존하는 나노금속 콜로이드를 제거하는 제거단계; 충진된 나노금속 콜로이드를 응결시키는 응결단계; 상기 레진 박막층 상에 양전극을 형성하는 양전극 형성단계; 상기 양전극 상에 상기 유기 발광층을 포함하는 유기 박막층을 형성하는 유기 박막층 형성단계; 상기 유기 박막층 상에 음전극을 형성하는 음전극 형성단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광다이오드의 제조방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 나노금속 콜로이드는 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 및 이들의 합금으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광다이오드의 제조방법
6 6
제4항에 있어서, 상기 충진단계에서는, 스핀코팅 공정을 적용하여 상기 나노금속 콜로이드가 분산된 나노금속 콜로이드 용액을 상기 레진 박막층 상에 도포시키는 것을 특징으로 하는 유기 발광다이오드의 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 스핀코팅 공정은, 제1회전속도에서 상기 나노금속 콜로이드 용액을 상기 레진 박막층 상에 공급하는 용액공급단계와, 상기 제1회전속도보다 빠른 제2회전속도로 회전속도를 상승시키면서 상기 나노금속 콜로이드 용액을 상기 나노홀 내에 충진시키는 분산충진단계를 포함하며, 상기 용액공급단계와 상기 분산충진단계를 하나의 사이클로 하여 상기 사이클을 복수 회 반복하는 것을 특징으로 하는 유기 발광다이오드의 제조방법
8 8
제4항에 있어서, 상기 제거단계에서는, 상기 레진 박막층 상에 크리닝 용액을 공급하고 상기 기판을 회전시키면서 상기 크리닝 용액을 상기 레진 박막층 전면에 분산시킨 후 상기 크리닝 용액을 제거하는 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 유기 발광다이오드의 제조방법
9 9
제4항에 있어서, 상기 제거단계에서는, 유연성과 흡수성이 우수한 블레이드를 상기 레진 박막층 상에서 스크러빙함으로써 상기 나노금속 콜로이드를 상기 블레이드에 흡착시키는 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 유기 발광다이오드의 제조방법
10 10
제4항에 있어서, 상기 제거단계에서는, 롤 형태로 부착된 필름에 크리닝 용액을 흡수시킨 후 상기 필름을 상기 레진 박막층 상에서 롤링시킴으로써 상기 나노금속 콜로이드를 상기 필름에 흡착시키는 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 유기 발광다이오드의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국기계연구원 나노메카트로닉스기술개발사업단 나노임프린트공정기술