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관통형 실리콘 비아의 가공방법 및 그에 의해 제조된 반도체 칩

  • 기술번호 : KST2015129071
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 기판에 포토레지스트를 코팅하는 단계와, 레이저 드릴링을 통해 상기 포토레지스트가 코팅된 반도체 기판에 홀을 형성하는 단계와, 상기 홀의 측벽에 존재하는 용융물 및 응력부가 제거되도록 홀의 측벽을 에칭하는 단계와, 상기 반도체 기판에 형성된 포토 레지스트를 제거하는 단계를 포함하고, 상기 에칭 단계는 화학적 다운스트림 에칭을 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 관통형 실리콘 비아의 가공방법 및 그에 의해 제조된 반도체 칩에 관한 것으로서, 심도반응성이온에칭 및 레이저 드릴링의 단점을 극복함과 아울러 간편하고 빠른 가공 및 대면적 가공이 가능한 관통형 실리콘 비아의 가공방법을 제공하기 위한 것이다.
Int. CL H01L 23/045 (2006.01) H01L 23/055 (2006.01)
CPC H01L 23/481(2013.01) H01L 23/481(2013.01) H01L 23/481(2013.01) H01L 23/481(2013.01)
출원번호/일자 1020110013797 (2011.02.16)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1219386-0000 (2013.01.02)
공개번호/일자 10-2012-0094347 (2012.08.24) 문서열기
공고번호/일자 (20130121) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.02.16)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신동식 대한민국 대전광역시 유성구
2 서정 대한민국 부산광역시 강서구
3 이제훈 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0111573-82
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0125253-59
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.12.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.01.17 수리 (Accepted) 9-1-2012-0005408-46
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0316085-91
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.07.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0606406-87
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0606405-31
10 등록결정서
Decision to grant		 2012.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0785725-81
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판에 포토레지스트를 코팅하는 단계;레이저 드릴링을 통해 상기 포토레지스트가 코팅된 반도체 기판에 홀을 형성하는 단계;상기 홀의 측벽에 존재하는 용융물 및 응력부가 제거되도록 홀의 측벽을 화학적 다운스트림 에칭을 통해 에칭하는 단계; 및상기 반도체 기판에 형성된 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하고,상기 에칭 단계는,상기 반도체 기판이 수용된 챔버와 연통된 도파관에 에칭 가스를 공급하는 단계;상기 도파관에 설치된 플라즈마 발생기를 이용하여 상기 에칭 가스를 플라즈마 상태로 만드는 단계; 및상기 도파관 및 챔버에 하강 기류를 형성시켜 상기 플라즈마를 반도체 기판으로 이송시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 관통형 실리콘 비아의 가공방법
2 2
제1항에 있어서,상기 레이저 드릴링은 피코초 또는 펨토초 펄스 레이저를 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 관통형 실리콘 비아의 가공방법
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 에칭가스는 NF3를 포함하는 것을 특징으로 하는 관통형 실리콘 비아의 가공방법
5 5
제1항에 있어서,상기 포토레지스트의 코팅 전에 상기 반도체 기판에 금속 또는 유기물 재질의 전도층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 관통형 실리콘 비아의 가공방법
6 6
제1항을 따르는 관통형 실리콘 비아의 가공방법에 의해 제조된 반도체 칩
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국기계연구원 산업기술연구회-협동연구사업 차세대 반도체 MCP 핵심기술 개발