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저압 공정 챔버와 진공 펌프 사이에 위치하여 상기 저압 공정 챔버에서 발생된 오염 물질을 제거하는 플라즈마 반응기에 있어서,플라즈마 생성 공간을 형성하며 양단이 개방된 유전체;상기 유전체의 일단에 연결된 제1 접지 전극;상기 유전체의 다른 일단에 연결된 제2 접지 전극; 및상기 유전체의 외주면에 위치하고, 상기 유전체의 원주 방향을 따라 서로간 거리를 두고 위치하는 제1 구동 전극 및 제2 구동 전극을 포함하며,상기 제1 구동 전극과 상기 제2 구동 전극간 거리는 상기 제1 접지 전극 및 상기 제2 접지 전극에 대한 상기 제1 구동 전극 및 상기 제2 구동 전극의 이격 거리보다 작은 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기
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제1항에 있어서,상기 제1 구동 전극과 상기 제2 구동 전극은 상기 유전체의 길이 방향을 따라 같은 길이를 가지며, 상기 유전체의 원주 방향을 따라 같은 원호 길이를 가지는 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기
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제2항에 있어서,상기 제1 구동 전극과 상기 제2 구동 전극은 상기 유전체를 이등분하는 가상의 선을 기준으로 거울 대칭을 이루는 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기
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제2항에 있어서,상기 제1 구동 전극의 원호 길이와 상기 제2 구동 전극의 원호 길이는 각각 상기 유전체 둘레 길이의 0
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제1항에 있어서,상기 유전체의 외주면에서 상기 유전체의 원주 방향을 따라 상기 제1 구동 전극과 상기 제2 구동 전극 사이에 위치하는 보조 접지 전극을 더 포함하는 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기
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제6항에 있어서,상기 제1 구동 전극과 상기 제2 구동 전극 및 상기 보조 접지 전극은 상기 유전체의 길이 방향을 따라 같은 길이를 가지며,상기 보조 접지 전극은 상기 유전체의 원주 방향을 따라 상기 제1 구동 전극 및 상기 제2 구동 전극과 거리를 두고 위치하는 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기
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제7항에 있어서,상기 보조 접지 전극의 원호 길이는 상기 제1 구동 전극의 원호 길이 및 상기 제2 구동 전극의 원호 길이보다 큰 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기
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제7항에 있어서,상기 제1 구동 전극과 상기 제2 구동 전극 및 상기 보조 접지 전극은 상기 유전체의 길이 방향을 따라 상기 제1 접지 전극 및 상기 제2 접지 전극과 각각 L3 및 L4의 거리를 두고 위치하고,상기 제1 구동 전극과 상기 제2 구동 전극간 거리(ℓ1), 상기 제1 구동 전극과 상기 보조 접지 전극간 거리(ℓ2), 및 상기 제2 구동 전극과 상기 보조 접지 전극간 거리(ℓ3)는 상기 L3 및 상기 L4보다 작은 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기
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제9항에 있어서,상기 제1 구동 전극과 상기 제2 구동 전극간 거리(ℓ 1)와 상기 제1 구동 전극과 상기 보조 접지 전극간 거리(ℓ2) 및 상기 제2 구동 전극과 상기 보조 접지 전극간 거리(ℓ3)는 모두 동일한 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기
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제1항에 있어서,제1 접지 전극은 상기 저압 공정 챔버와 연결된 이음관으로 구성되고,상기 제2 접지 전극은 상기 진공 펌프와 연결된 이음관으로 구성되는 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기
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플라즈마 생성 공간을 형성하며 양단이 개방된 유전체;상기 유전체의 일단에 연결된 제1 접지 전극;상기 유전체의 다른 일단에 연결된 제2 접지 전극; 및상기 유전체의 외주면에 위치하고, 상기 유전체의 원주 방향을 따라 서로간 거리를 두고 위치하는 제1 구동 전극 및 제2 구동 전극을 포함하며,상기 제1 구동 전극과 상기 제2 구동 전극은 각자의 전원부와 연결되고 서로 180도의 위상차를 가지는 제1 교류 전압과 제2 교류 전압을 각각 인가받으며,상기 제1 교류 전압과 상기 제2 교류 전압의 진폭은 방전 구동 전압 진폭의 절반 값을 가지는 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기
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제12항에 있어서,상기 방전 구동 전압은 상기 제1 교류 전압과 상기 제2 교류 전압 중 어느 하나와 같은 위상을 가지는 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기
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